电路栅

1. 光栅尺的分辨率是指四倍频之后的值吗这个四倍频电路是要自己加的还是光栅尺读数头内已经处理了

分辨率就指光栅尺的最底解析度,在显示器上显示的最小变量,一般的光栅有版以下分辩率:0.01mm,0.005mm,0.001mm,0.0005mm,0.0002mm,0.0001mm等，常用的是0.005mm/0.001mm。权
四倍频电路光栅尺读数头内没有做处理的。
输出的一个方波代表多少值，这个与光栅尺的分别率有关系的。

2. 共源共栅电路 自偏置 什么意思

1、场效应管有三种组态：共源、共栅、共漏

2、直流偏置电路分自给偏压电路和分压式自偏压电路

3. 电视遭雷击...怎么办！

电视要是这样的话
方案一、你的电视有没有参加保险呀，那样可以去反应的。
方案二、要是没有内参保的话，就去容维修部修下，花点钱。
方案三、要是出现这种情况的话，你不想修，那就买一个吧，也不贵。但是，你还是自己请个懂的人，安一个避雷针吧，反正就是有一个可以避雷的就好。
下次不要出现这种情况了，好危险呀。

4. 电脑纯平显示器开机出现回扫线并且每隔七秒左右出现闪屏，这是怎么回事

出现回扫线有太多的故障现象：
一、场输出电路故障
在屏幕的上半部出现几专根或十几根回扫线，有属时伴有上卷边；
这是场逆程脉冲的幅度不足和逆程时间延长造成的；
一般是自举升压电容或场逆程高压供电电容不良；
二、场消隐电路
会在屏幕上出现十几条回扫线，有时是实线，有时是断续的虚线；
三、视频电路
光栅较亮，图像较淡，或没有图像，满屏回扫线，亮度和对比度控制不明显，有时伴有自动关机或闪屏现象；
1、光栅白色
故障在视放供电电压整流电路，一般是整流二极管或电容损坏；
2、光栅为某一基色
则是该基色视放故障；
一般是三极管击穿，或饱和导通，或（视放板上的）放电管因受潮出现打火现象
四、显象管电路
一般是加速极加速电压过高，或显象管阴极和灯丝碰极；
1、加速极电压过高时，有图像，光栅较亮，满屏回扫线，有时在图像较亮时没有回扫线；可调低加速极电压；
2、阴极与灯丝碰极时，某一基色的亮光栅，有时伴有自动关机现象；
楼主的问题类似于第三项。

5. 场效应管中，有些电路栅极处的电容起到什么作用

举例说明： 极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。CiSS = CGS+CGD=pF, CoSS= CGD+CDS =pF，CrSS = CGD =pF Power MOSFET 的开通过程：由于Power MOSFET 有输入电容，因此当脉冲电压上升沿到来时，输入电容有一个充电过程，栅极电压Ugs按指数曲线上升。当Ugs上升到开启电压Ut时，开始形成导电沟道并出现漏极电流Id。从up前沿时刻到Ugs=UT，且开始出现Id的时刻，这段时间称为开通延时时间td(on)。此后，Id随Ugs的上升而上升，Ugs从开启电压Ut上升到Power MOSFET临近饱和区的栅极电压Ugsp这段时间，称为上升时间tr。这样Power MOSFET的开通时间 ton=td(on)+tr =45ns+75ns=ns (根据datasheet) Power MOSFET的关断过程：当up电压下降到0时，栅极输入电容上储存的电荷通过连在MOS上的二极管放电到地，使栅极电压按指数曲线下降，当下降到Ugsp 继续下降，Id才开始减小，这段时间称为关断延时时间td(off)。此后，输入电容继续放电，Ugs继续下降，Id也继续下降，到Ugs< SPAN>T时导电沟道消失，Id=0，这段时间称为下降时间tf。这样Power MOSFET 的关断时间关于这个建议去硬之城官网看看哦,能快速解决问题 服务态度又好这个很多地方都做不到的。

6. 电视机雷击问题

一,电视机遭受雷击原因
雷电来源
①电网 雷电通过电网线路进入电视机.
②有线电视信号线 雷电由有线电视信号进入电视机.
③室外天线 雷电沿室外天线进入电视机.
电视机遭受雷击的原因
根据雷击来源,电视机遭受雷击的原因有两个:
从天线侵入
雷电从室外天线进入.轻者造成高频头损坏,重者涉及到中放和其他电路.被损坏的电视机大多为有室外天线的用户.
从电源侵入
雷电侵入市电电网后,经电网进入各用户的用电设备.轻者造成电视机电源损坏,重者涉及到负载电路.
雷电的电场强,雷击电流大,往往造成落雷附近电器的大面积损坏.落雷时,不但正在收看的电视机损坏,而接上电源未开机的电视也会损坏,连拔掉电源和天线并移出几米远的电视机,有时也未能幸免.受雷击的彩电损坏的面积较大,元器件较多,检修时不要忙于通电试机.要先排除较明显的短路故障和开路故障后,再按常规检修方法通电试机.
电视机雷击故障的特征
由于电视机遭受雷击的程度和击坏的部位不同,所表现出的故障现象也不尽相同.根据检修实践中的情况,我归纳出常见雷击损坏的故障部位是电源电路,高频头电路,CPU电路,解码电路,AV/TV转换电路,伴音电路,电路铜箔.其中,高频头与电源部分击坏的故障率最高,其余部分又多为集成电路击坏.
由于电视机各部分电路功能特定,不同功能电路的击坏,表现出不同的故障现象.电源电路击坏时,表现为三无;高频头击坏时,表现为无图无声;解码电路击坏时,常表现为光栅异常;CPU电路击坏时,表现为面板功能键失控,遥控失灵;AV/TV转换电路击坏时,表现为图声异常;伴音电路击坏时,表现伴音失真或无声;电路板铜箔的击坏,随击坏的部分不同而表现各异,且击坏的程度有轻有重.上述故障特征见表1.

表1
故 障 部 位
故 障 现 象
电源电路
三无
CPU
功能失控,无显示
高频头
无图无声
解码电路
光栅单色,有回扫线光栅暗
AV/TV电路
AV/TV转换失常,图声失常
伴音电路
声音失常,无声
线路板
各功能部位表现不同
电视机雷击损坏的检修要点
检修雷击损坏的电视机时,首先应根据电视机的电路构成,弄清楚工作信号流向和有关集成电路关键功能引脚端子的正常电压值.彩电功能信号流向图如图1所示.检修的一般原则为先明后隐,即先检修明显损坏的故障部件,如先修复击坏的电路板铜箔,电源电路中的晶体管等,后检修隐蔽的故障部件,如集成电路和不明显可见损坏的铜箔.检修程序为:
电源 光栅 图像 伴音
检修程序中相对应的功能电路为:
电源电路 扫描电路 解码电路 CPU电路 AV/TV电路 中放电路 高频头电路伴音电路

7. pe版我的世界红石电路栅栏门

据可靠消息0.9.0会添加村民，末影人，不过无红石相关的东西，活塞无宠物可能。

8. 场效应管中，有些电路栅极处的电容起到什么作用

举例说明：
极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。CiSS = CGS+CGD=4850pF, CoSS= CGD+CDS =855pF，CrSS = CGD =222pF

Power MOSFET 的开通过程：由于Power MOSFET 有输入电容，因此当脉冲电压上升沿到来时，输入电容有一个充电过程，栅极电压Ugs按指数曲线上升。当Ugs上升到开启电压Ut时，开始形成导电沟道并出现漏极电流Id。从up前沿时刻到Ugs=UT，且开始出现Id的时刻，这段时间称为开通延时时间td(on)。此后，Id随Ugs的上升而上升，Ugs从开启电压Ut上升到Power MOSFET临近饱和区的栅极电压Ugsp这段时间，称为上升时间tr。这样Power MOSFET的开通时间
ton=td(on)+tr =45ns+75ns=120ns (根据datasheet)
Power MOSFET的关断过程：当up信号电压下降到0时，栅极输入电容上储存的电荷通过连在MOS上的二极管放电到地，使栅极电压按指数曲线下降，当下降到Ugsp 继续下降，Id才开始减小，这段时间称为关断延时时间td(off)。此后，输入电容继续放电，Ugs继续下降，Id也继续下降，到Ugs< SPAN>T时导电沟道消失，Id=0，这段时间称为下降时间tf。这样Power MOSFET 的关断时间

9. 保养家用电脑的方法有哪些

1.阅读家用电脑用户手册，熟悉设备的结构特点，掌握安装及使用方法。回

2.根据手册规定连接答电源和设备，特别要注意家用电脑电源是使用220V，还是110V。目前绝大多数家用电脑使用220V。电源插座上火线与零线是否同要求一致，电压值测量正确后方可连接电脑。

3.家用电脑通电及断电的顺序要正确。

4.用户不应拆动任何部件，不要硬扳开关。

5.保养时，要先切断电源，拔掉插头。

6.清洁时，要用湿软布或镜头纸擦拭显示器屏幕，否则，会擦伤表面。

7.人体电容量为200PF左右，通常静电电压很高，而MOS存储器电路栅极容易被静电击穿。保养时不要用手摸器件。

8.电脑用完后，应用布套罩上，以防止灰尘侵入。

9.要时刻警惕机内是否有烧焦味或其他不正常情况。若有，要及时断电查明原因，原因不明时不要急于通电。

10.电脑有重大故障时，不要私自拆开修理，应及时与销售或维修点联系送修。

10. 场效应管中，有些电路栅极处的电容起到什么作用

举例说明： 极间电容： Power MOSFET的3个极之间分别存在极间电容CGS，CGD，CDS。通常生产厂家提供的是漏源极断路时的输入电容CiSS、共源极输出电容CoSS、反向转移电容CrSS。CiSS = CGS+CGD=4850pF, CoSS= CGD+CDS =855pF，CrSS = CGD =222pF Power MOSFET 的开通过程：由于Power MOSFET 有输入电容，因此当脉冲电压上升沿到来时，输入电容有一个充电过程，栅极电压Ugs按指数曲线上升。当Ugs上升到开启电压Ut时，开始形成导电沟道并出现漏极电流Id。从up前沿时刻到Ugs=UT，且开始出现Id的时刻，这段时间称为开通延时时间td(on)。此后，Id随Ugs的上升而上升，Ugs从开启电压Ut上升到Power MOSFET临近饱和区的栅极电压Ugsp这段时间，称为上升时间tr。这样Power MOSFET的开通时间 ton=td(on)+tr =45ns+75ns=120ns (根据datasheet) Power MOSFET的关断过程：当up信号电压下降到0时，栅极输入电容上储存的电荷通过连在MOS上的二极管放电到地，使栅极电压按指数曲线下降，当下降到Ugsp 继续下降，Id才开始减小，这段时间称为关断延时时间td(off)。此后，输入电容继续放电，Ugs继续下降，Id也继续下降，到Ugs< SPAN>T时导电沟道消失，Id=0，这段时间称为下降时间tf。这样Power MOSFET 的关断时间