EFL电路

① 关于夏利汽车电路图问题

您好！你发的图很小，请密我发全图，给你说下怎么看电路图。如你电路图所示。上面10个横线，根据你说的ACC是 在汽车上主要指像收音机等的音响系统在钥匙门那里有图标，ST 是启动档位，AM2 AM ig1 等 有的是电瓶 常火线和发电机上的火线。至于你说的05G—W等 需要看下张图纸。在整个夏利电路图会有明确标注的。给你传个7100的夏利的空调线路图空调电源由点火开关2控制，空调放大器9是控制电路的核心，它的输入信号有:①蒸发器出风口处的热敏电阻17，阻值随环境温度的变化而改变;②点火线圈断电器触点6处传来的发动机转速信号，并有电容8将自感电势产生的峰值为300V的谐波成分滤掉。 l一蓄电池;2一点火开关;3=点火线圈附加电阻;4一点火线圈;5一分电器;6一断电器;7一转速传感器(低通滤波器) ;
8 一滤波电容;9一空调控制器;10一怠速提高装置;11一二极管;12一压缩机电磁离合器;13一冷却风扇继电器;
14一冷却(冷凝器与散热器)风扇电动机;15一空调开关;16一空调指示灯;17一热敏电阻;18一鼓风机开关:
19一空调鼓风机;20一鼓风机调速电阻;21一低压控制开关;控制器9内部的元件参数如下:
RI一28kΩ R冰-lOkΩ RI5一15OkΩ C6一0·1μF R2一28kΩ R9一1·8kΩ
RI6一lkΩ C7一15OμF R3一5kΩ Rl0一680ΩCl一0·03μF 8一0·047μF
R4一7·5kΩ Rl1一30OΩ C2一0·033μF Vl一6B2 R5一33kΩ Rl2一lOkΩ
C3一4·7μF V2一TG R6一28kΩ Hl3一5kΩ C4一0·047μF V3一TG8·H
R7一4kn Rl4一1·2kn C5一47pF V4一TG8·F
VTl一C2655 国产管型号为3DKIO5C或3DKlOC VT2一Cl959国产管型号为3DAI03
Wl一IOkΩ W2一2kΩ J一直流I2V单触点继电器 IC一SE078混合集成电路

空调放大器9的控制对象是空调压缩机的电磁离合器12与冷凝器(散热器)电风扇的继电器13。执行机构是放大器内部的继电器J以及怠速提高装置10,一旦发动机负荷加重,转速下降时,放大器就自动切断压缩机和冷却风扇电路 ,同时保持怠速
提高装置继续工作。
当车内温度低于高定值,怠速提高装置10,压缩机12,冷却风扇14电路才会同时切断。
空调放大器由一与会专用混合集成电路IC .两个塑料功率天关管VT1和VT2.继电器J以及一些阻容元件构成积分电路.
比较电路.缓溃回路.触发回路和逻辑电路,IC的3端与4端分别控制VT2和VT1的基极。

② 双极型集成电路的发展简况

双极型集成电路是在硅平面晶体管的基础上发展起来的，最早的是双极型数字逻辑集成电路。在数字逻辑集成电路的发展过程中，曾出现过多种不同类型的电路形式。常见的双极型集成电路可分类如下。
DCTL电路是第一种双极型数字逻辑集成电路，因存在严重的“抢电流”问题（见电阻-晶体管逻辑电路)而不实用。RTL电路是第一种有实用价值的双极型集成电路。早期的数字逻辑系统曾采用过 RTL电路，后因基极输入回路上有电阻存在，限制了开关速度。此外，RTL逻辑电路的抗干扰的性能较差，使用时负载又不能多，因而被淘汰。电阻-电容-晶体管逻辑电路（RCTL）是为了改善RTL电路的开关速度而提出来的，即在RTL电路的电阻上并接电容。实际上 RCTL电路也未得到发展。DTL电路是继 RTL电路之后为提高逻辑电路抗干扰能力而提出来的。DTL电路在线路上采用了电平位移二极管，抗干扰能力可用电平位移二极管的个数来调节。常用的 DTL电路的电平位移二极管，是用两个硅二极管串接而成，其抗干扰能力可提高到1.4伏左右（见二极管-晶体管逻辑电路）。HTL电路是在 DTL电路的基础上派生出来的。HTL电路采用反接的齐纳二极管代替DTL电路的电平位移二极管，使电路的阈值提高到约7.4伏左右（见高阈值逻辑电路)。可变阈值逻辑电路（VTL)也是DTL电路系列中的另一种变形电路。阈值逻辑电路（TLC)是 HTL和VTL逻辑电路的总称。TTL逻辑电路是在DTL逻辑电路基础上演变而来，于1962年研制成功。为了提高开关速度和降低电路功耗，TTL电路在线路结构上经历了三代电路形式的改进（见晶体管-晶体管逻辑电路)。
以上均属饱和型电路。在进一步探索提高饱和型电路开关速度的同时，发现晶体管多余载流子的存储效应是一个极重要的障碍。存储现象实质上是电路在开关转换过程中由多余载流子所引起。要提高电路开关速度，除了减少晶体管PN结电容，或者设法缩短多余载流子的寿命以外，就得减少和消除晶体管内载流子存储现象。60年代末和70年代初，人们开始在集成电路中利用熟知的肖特基效应。在TTL电路上制备肖特基势垒二极管，把它并接在原有晶体管的基极和集电极上，使晶体管开关时间缩短到1纳秒左右；带肖特基势垒二极管箝位的TTL门电路的平均传输延迟时间达2～4纳秒。
肖特基势垒二极管-晶体管-晶体管逻辑电路（STTL)属于第三代 TTL电路。它在线路上采用了肖特基势垒二极管箝位方法，使晶体管处于临界饱和状态，从而消除和避免了载流子存储效应。与此同时，在TTL电路与非门输出级倒相器的基极引入晶体管分流器，可以改善与非门特性。三极管带有肖特基势垒二极管，可避免进入饱和区，具有高速性能；输出管加上分流器，可保持输出级倒相的抗饱和程度。这类双极型集成电路，已不再属于饱和型集成电路，而属于另一类开关速度快得多的抗饱和型集成电路。
发射极耦合逻辑电路（ECL)是电流型逻辑电路（CML)。这是一种电流开关电路，电路的晶体管工作在非饱和状态，电路的开关速度比通常TTL电路又快几倍。ECL逻辑电路把电路开关速度提高到 1纳秒左右，大大超过 TTL和STTL电路。ECL电路的出现，使双极型集成电路进入超高速电路范围。
集成注入逻辑电路 (I2L)又称合并晶体管逻辑电路（MTL)，是70年代研制成的。在双极型集成电路中，I2L电路的集成密度是最高的。
三层结构逻辑电路（3TL)是1976年中国在I2L电路的基础上改进而成，因有三层结构而得名。3TL逻辑电路采用NPN管为电流源，输出管采用金属做集电极（PNM)，不同于I2L结构。
多元逻辑电路（DYL)和双层逻辑电路（DLL)，是1978年中国研制成功的新型逻辑电路。DYL逻辑电路线性与或门，能同时实现开关逻辑和线性逻辑处理功能。DLL电路是通过ECL和TTL逻辑电路双信息内部变换来实现电路逻辑功能的。
此外，在双极型集成电路发展过程中，还有许多其他型式的电路。例如，发射极功能逻辑电路（EFL)、互补晶体管逻辑电路（CTL)、抗辐照互补恒流逻辑电路（C3L)、电流参差逻辑电路（CHL)、三态逻辑电路（TSL)和非阈值逻辑电路（NTL)等。

③ 能耗监测系统属于消防吗

不算
检测系统

计量装置
国家规定电能计量应当合理设置分项计量回路。其分项计量系统应当采用电子式、精度等级为1.0级及以上(0.2、0.5、1.0级)的有功电能表。采用的普通电能表，应当由测量单元和数据处理单元等组成，并能显示、储存和输出数据，具有标准通讯接口。
ACR330ELH电力仪表
在变压器低压侧(AC230/400V)总进线处，应当设置多功能电能表，至少具有监测和计量三相电流、电压、有功功率、功率因数、有功电能、最大需量、总谐波含量和2-21次各次谐波分量的功能。可选用ACR330ELH电力仪表。
主要功能
全电量测量(U、I、P、Q、PF、F、S)
最大需量(I,P)，四象限电能计量、复费率电能累计
THDu、THDi、2-31次谐波分量
电压波峰系数、电话波形因子、电流K系数、电压电流不平衡度
电网电压电流正、负、零序分量测量
4DI+3DO
RS485接口、Modbus、DL/T645
应用于高压重要回路低压进线柜。
建筑工程能耗监测系统能耗"应合理设置分项计量回路，以下回路应设置分项计量表计"。
变压器低压侧出线回路;
单独计量的外供电回路;
特殊区供电回路;
制冷机组主供电回路;
单独供电的冷热源系统附泵回路;
集中供电的分体空调回路;
照明插座主回路;
电梯回路;
其他应单独计量的用电回路。
ACR220EFL/ACR120EFL电力仪表
上述回路可选用ACR220EFL和ACR120EFL电力仪表。
主要功能
全电量测量(U、I、P、Q、PF、F、S)
四象限电能计量、复费率电能累计、最大需量统计
4DI+2DO
RS485接口、Modbus 、DL/T645
应用于低压联络柜、出线柜、动力柜。
数据处理方法
建筑总能耗为建筑各分类能耗(除水耗量外)所折算的标准煤量之和。
总用电量=∑各变压器总表直接计量值
分类能耗量=∑各分类能耗计量表的直接计量值
分项用电量=∑各分项用电计量表的直接计量值
单位建筑面积用电量=总用电量/总建筑面积
单位空调面积用电量=总用电量/总空调面积
能耗数据展示
数据中心接收并存储其管理区域内监测建筑和数据中转站上传的数据，并对其管理区域内的能耗数据进行处理、分析、展示和发布。
数据中心分为部级数据中心、省(自治区、直辖市)级数据中心和市级数据中心。
市级和省(自治区、直辖市)级数据中心应将各种分类能耗汇总数据逐级上传。
部级数据中心对各省(自治区、直辖市)级数据中心上报的能耗数据进行分类汇总后形成国家级的分类能耗汇总数据，并发布全国和各省(自治区、直辖市)的能耗数据统计报表以及各种分类能耗汇总表。
监测建筑数据展示应包括:
建筑的基本信息，能耗监测情况，能耗分类分项情况;
各监测支路的逐时原始读数列表;
各监测支路的逐时、逐日、逐月、逐年能耗值(列表和图);
各类相关能耗指标图、表;
单个建筑相关能耗指标与同类参考建筑(如标杆值、平均值等)的比较(列表和图)。

④ 集成电路各元件介绍

双极型集成电路

bipolar integrated circuit

以通常的NPN或PNP型双极型晶体管为基础的单片集成电路。它是1958年世界上最早制成的集成电路。双极型集成电路主要以硅材料为衬底，在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元件。按功能可分为数字集成电路和模拟集成电路两类。在数字集成电路的发展过程中，曾出现了多种不同类型的电路形式，典型的双极型数字集成电路主要有晶体管-晶体管逻辑电路(TTL)，发射极耦合逻辑电路(ECL)，集成注入逻辑电路(I2L)。TTL电路形式发展较早，工艺比较成熟。ECL电路速度快，但功耗大。I2L电路速度较慢，但集成密度高。

同金属-氧化物-半导体集成电路相比，双极型集成电路速度快，广泛地应用于模拟集成电路和数字集成电路。

在半导体内，多数载流子和少数载流子两种极性的载流子（空穴和电子）都参与有源元件的导电，如通常的NPN或PNP双极型晶体管。以这类晶体管为基础的单片集成电路，称为双极型集成电路。
双极型集成电路是最早制成集成化的电路，出现于1958年。双极型集成电路主要以硅材料为衬底，在平面工艺基础上采用埋层工艺和隔离技术，以双极型晶体管为基础元件。它包括数字集成电路和线性集成电路两类。
发展简况 双极型集成电路是在硅平面晶体管的基础上发展起来的，最早的是双极型数字逻辑集成电路。在数字逻辑集成电路的发展过程中，曾出现过多种不同类型的电路形式。常见的双极型集成电路可分类如下。

DCTL电路是第一种双极型数字逻辑集成电路，因存在严重的“抢电流”问题(见电阻-晶体管逻辑电路)而不实用。RTL电路是第一种有实用价值的双极型集成电路。早期的数字逻辑系统曾采用过 RTL电路，后因基极输入回路上有电阻存在，限制了开关速度。此外,RTL逻辑电路的抗干扰的性能较差，使用时负载又不能多，因而被淘汰。电阻-电容-晶体管逻辑电路（RCTL）是为了改善RTL电路的开关速度而提出来的，即在RTL电路的电阻上并接电容。实际上 RCTL电路也未得到发展。DTL电路是继 RTL电路之后为提高逻辑电路抗干扰能力而提出来的。DTL电路在线路上采用了电平位移二极管,抗干扰能力可用电平位移二极管的个数来调节。常用的 DTL电路的电平位移二极管，是用两个硅二极管串接而成，其抗干扰能力可提高到1.4伏左右（见二极管-晶体管逻辑电路）。HTL电路是在 DTL电路的基础上派生出来的。HTL电路采用反接的齐纳二极管代替DTL电路的电平位移二极管,使电路的阈值提高到约7.4伏左右(见高阈值逻辑电路)。可变阈值逻辑电路(VTL)也是DTL电路系列中的另一种变形电路。阈值逻辑电路(TLC)是 HTL和VTL逻辑电路的总称。TTL逻辑电路是在DTL逻辑电路基础上演变而来，于1962年研制成功。为了提高开关速度和降低电路功耗,TTL电路在线路结构上经历了三代电路形式的改进(见晶体管-晶体管逻辑电路)。
以上均属饱和型电路。在进一步探索提高饱和型电路开关速度的同时，发现晶体管多余载流子的存储效应是一个极重要的障碍。存储现象实质上是电路在开关转换过程中由多余载流子所引起。要提高电路开关速度,除了减少晶体管PN结电容，或者设法缩短多余载流子的寿命以外，就得减少和消除晶体管内载流子存储现象。60年代末和70年代初，人们开始在集成电路中利用熟知的肖特基效应。在TTL电路上制备肖特基势垒二极管,把它并接在原有晶体管的基极和集电极上，使晶体管开关时间缩短到1纳秒左右；带肖特基势垒二极管箝位的TTL门电路的平均传输延迟时间达2～4纳秒。
肖特基势垒二极管-晶体管-晶体管逻辑电路(STTL)属于第三代 TTL电路。它在线路上采用了肖特基势垒二极管箝位方法，使晶体管处于临界饱和状态，从而消除和避免了载流子存储效应。与此同时,在TTL电路与非门输出级倒相器的基极引入晶体管分流器，可以改善与非门特性。三极管带有肖特基势垒二极管，可避免进入饱和区，具有高速性能；输出管加上分流器，可保持输出级倒相的抗饱和程度。这类双极型集成电路，已不再属于饱和型集成电路，而属于另一类开关速度快得多的抗饱和型集成电路。
发射极耦合逻辑电路(ECL)是电流型逻辑电路(CML)。这是一种电流开关电路, 电路的晶体管工作在非饱和状态,电路的开关速度比通常TTL电路又快几倍。ECL逻辑电路把电路开关速度提高到 1纳秒左右，大大超过 TTL和STTL电路。ECL电路的出现,使双极型集成电路进入超高速电路范围。
集成注入逻辑电路 (I2L)又称合并晶体管逻辑电路(MTL)，是70年代研制成的。在双极型集成电路中，I2L电路的集成密度是最高的。
三层结构逻辑电路(3TL)是1976年中国在I2L电路的基础上改进而成,因有三层结构而得名。3TL逻辑电路采用NPN管为电流源，输出管采用金属做集电极(PNM)，不同于I2L结构。
多元逻辑电路(DYL)和双层逻辑电路(DLL)，是1978年中国研制成功的新型逻辑电路。DYL逻辑电路线性与或门,能同时实现开关逻辑和线性逻辑处理功能。DLL电路是通过ECL和TTL逻辑电路双信息内部变换来实现电路逻辑功能的。
此外，在双极型集成电路发展过程中，还有许多其他型式的电路。例如,发射极功能逻辑电路(EFL)、互补晶体管逻辑电路(CTL)、抗辐照互补恒流逻辑电路(C3L)、电流参差逻辑电路(CHL)、三态逻辑电路(TSL)和非阈值逻辑电路(NTL)等。
特点和原理 双极型集成电路的制造工艺，是在平面工艺基础上发展起来的。与制造单个双极型晶体管的平面工艺相比，具有若干工艺上的特点。
①双极型集成电路中各元件之间需要进行电隔离。集成电路的制造，先是把硅片划分成一定数目的相互隔离的隔离区；然后在各隔离区内制作晶体管和电阻等元件。在常规工艺中大多采用PN结隔离，即用反向PN结达到元件之间相互绝缘的目的。除PN结隔离以外，有时也采用介质隔离或两者混合隔离法（见隔离技术）。
②双极型集成电路中需要增添隐埋层。通常，双极型集成电路中晶体管的集电极，必须从底层向上引出连接点，因而增加了集电极串连电阻，这不利于电路性能。为了减小集电极串连电阻，制作晶体管时在集电极下边先扩散一层隐埋层，为集电极提供电流低阻通道和减小集电极的串联电阻。隐埋层，简称埋层，是隐埋在硅片体内的高掺杂低电阻区。埋层在制作集成电路之前预先“埋置”在晶片体内。其工艺过程是：在 P型硅片上，在预计制作集电极的正下方某一区域里先扩散一层高浓度施主杂质即N+区;而后在其上再外延生长一层N型硅单晶层。于是，N型外延层将N+区隐埋在下面,再在这一外延层上制作晶体管。
③双极型集成电路通常采用扩散电阻。电路中按电阻阻值大小选择制备电阻的工艺，大多数是利用晶体管基区P型扩散的同时，制作每方约 150～200欧·厘米的P型扩散电阻。但是,扩散电阻存在阻值误差大、温度系数高和有寄生效应等缺点。除采用扩散电阻外，有时也采用硅单晶体电阻。
④双极型集成电路元件间需要互连线，通常为金属铝薄层互连线。单层互连布线时难以避免交叉的位置，必要时可采用浓磷扩散低阻区，简称磷桥连接法。
⑤双极型集成电路存在寄生效应。双极型集成电路的纵向NPN晶体管，比分立晶体管多一个P型衬底层和一个PN结。它是三结四层结构。增加的衬底层是所有元件的公共衬底，增加的一个PN结是隔离结(包括衬底结)。双极型集成电路因是三结四层结构而会产生特有的寄生效应：无源寄生效应、扩散电阻的寄生电容和有源寄生效应。隔离电容是集电极N型区与隔离槽或衬底P型区形成的PN结产生的电容。隔离和衬底接最低电位，所以这个电容就是集电极对地的寄生电容。扩散电阻的寄生电容是扩散电阻P型区与集电极外延层N型区产生的PN结电容，也属无源寄生效应。这一PN结电容总是处于反偏置工作状态。有源寄生效应即 PNP寄生晶体管。在电路中，NPN晶体管的基区、集电区（外延层）和衬底构成PNP寄生晶体管。在通常情况下，因PN结隔离，外延层和衬底之间总是反向偏置。只有当电路工作时,NPN管的集电结正偏，寄生PNP管才进入有源区。
工艺制备 （见彩图）是利用PN结隔离技术制备双极型集成电路倒相器的工艺流程，图中包括一个NPN晶体管和一个负载电阻R。原始材料是直径为75～150毫米掺P型杂质的硅单晶棒，电阻率ρ=10欧·厘米左右。其工艺流程是：先经过切片、研磨和抛光等工艺(是硅片制备工艺)制备成厚度约300～500微米的圆形硅片作为衬底，然后进行外延生长、氧化、光刻、扩散、蒸发、压焊和多次硅片清洗，最后进行表面钝化和成品封装。

制作双极型集成电路芯片需要经过 5次氧化，对氧化硅 (SiO2)薄层进行5次光刻，刻蚀出供扩散掺杂用的图形窗口。最后还经过两次光刻，刻蚀出金属铝互连布线和钝化后用于压焊点的窗口。因此，整套双极型集成电路掩模版共有 7块。即使通常省去钝化工艺，也需要进行6次光刻，需要6块掩模版。