A. 场效应管保护电路
1,这种抄回路,一般在开关电源开关管上常用
也有一些继电器上用之
2,这个回路是消除MOS在连接一个电感,或是变压器,在开关状态下产生的反电动势。避免反电动势高的电压将MOS管损坏, 简单点说就是把电动势放电。
3,这个是场效应管,但不是PNP的场效应管
是一颗N通道耗尽型场效应管(除非符号画错)
B. 三极管开关电路与场效应管电路有哪些不同
双极型三极管BJT与场效应管FET电路主要区别体现在以下方面:
①制程工艺内不同,容结构不同,也导致了成本不同。
②导电的载流子不同
③电气参数不同。
以下详述:
①制程工艺不同
双极型三极管BJT与场效应管FET的物理结构如图所示:
C. pin开关和fet开关区别
Pin需要提供电流偏置,Fet要求有偏压。
Pin管开关和Fet开关的驱动电路是不同的,前者需要提供电流偏置,后者则要求有偏压,驱动器好坏是影响PIN开关速度的主要因素之一。
所谓PIN开关的功率容量是指它能承受的最大微携携波功率。PIN二极管的功率蠢隐备容量主要受到以下两方面的限制,管子导通时所允许的最大功耗。管子截止时所能承受的最大反向电压,也就是反向击穿电压。如果PIN开关工作的时候超过了这些限制,前者会导致管内温升过高而烧毁。后者会导致I区雪崩击穿。它由开关开、关状态下允许的微波信号功率的较小带毁者决定。
D. fet依靠什么控制漏极电流id的器件
不同场效应晶体管的导通电压不同,低压为3-5V,高压为5-10V。具体开启电压请参考相应型号场效应晶体管手册。
场效应晶体管(FET)简称场效应晶体管。主要有两种类型(结型场效应晶体管——JFET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOS-FET)。由多数载流子传导,也称为枣亮岁单极晶体管。属于压控半导体器件。它具有高输凳睁入电阻(10到10到15ω)、低噪声、低功耗、大动态范围、易于集成、无二次击穿、安全工作区宽等诸多优点。现在已经成为双极晶体管和功率晶体管的有力竞争者。
场效应晶体管(FET)是一种利用控制输入电路的电键耐场效应来控制输出电路电流的半导体器件,因此而得名。
它也被称为单极晶体管,因为它只由半导体中的多数载流子传导。
英语是场效应晶体管,缩写为FET。
与双极晶体管相比,场效应晶体管具有以下特点。
(1)FET是电压控制器件,通过VGS(栅源电压)控制ID(漏电流);
(FET的控制输入电流极小,因此其输入电阻很大。
(3)采用多数载流子导电,温度稳定性好;
(4)三极管组成的放大电路的电压放大系数小于三极管组成的放大电路的电压放大系数;
(5)FET抗辐射能力强;
(6)噪声低,因为它没有电子无序运动产生的散粒噪声。
E. FET分压偏置电路电阻如何计算
先说点晶体管放大电路的常识吧
任何晶体管放大电路温度都是敏感的,为了让温度对电路的影响减小到很小,但又要让电路达到你要求的指标,一般会让RS1上的电压在1V以上,单个晶体管的电流一般都是取在1mA左右,当然,2mA也行,反正都是行纯歼在mA级别的
为了让电路的输出达到最大的摆幅,D极的电压,就是Rd下面那个点那的档冲电压,一般设计在电源的中心,这样的话输出上摆下摆都会得到最大的幅度
假设,电源的电压是10V,设计输出的电流是1mA,输出的电压是中心电压,要设计RS1的电压是1V
现在计算Rd=UD/ID=5V/1mA=5K
根据场效应管的原理可知,ID=IS,那么,RS1=1v/1mA=1K
根据场效应管的原理可知裤汪,VS是比VG高0.25V
VG就是RG2上面的压降,
那么RG2上面的电压就是0.75V了,你只要设计一个分压电路,就是RG1和RG2分压,让RG2上面的电压是0.75V就得了,电阻的阻值都是在百K级别的就得了,场效应管是不用什么驱动电流的
这样电阻就计算出来了.......
如果你觉得我说的很陌生,那就得到看一下场效应管方面的知识了
F. 在低噪声电路的设计中,试说明为什么选用FET而不是BJT
相对的来说FET比BJT对低噪声电路好,
因为滚睁大多数低噪斗备键声电路是电压控制为主的,用FET效果比较理想.
而BJT对电流控制比空巧较好
G. 电压控制电路中几种FET的使用方法
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件,有3个极性,栅极,漏极,源极,它的特点是栅极的内阻极高,采岁敬好用二氧化硅材料的可以乎铅达到几百兆欧,属于电压控制型器件。特点具有输入电阻高(108~109Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现稿宽象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
H. 手机里FET是什么意思有什么用处
手机电池内基板上一个控制充放电状态的IC~
FET 场效应管 起的举戚键是一个开关的作用!
基板上还有一个核心的IC,分析电池的状态,数模转正巧换后决定是否给FET一个触发电压!FET就根据仔缺这个电压来控制开关电路
I. pin-fet大神们,帮忙分析一下这个pin-fet电路!
专业解答:
单个光电二极管作为接收器件使用常常很难实现高灵敏度,在要求高的场合经常将其运族与前端放大器集成
1:电阻RF和下面电阻组成 普好镇通的旁袜弊运放放大器,比值为放大倍数,跨阻放大器所需要的。
2:电容用于加强抗干扰能力,避免光信号持续稳定性防止误触动,所以要接地。
3:运放为双电源供电,pin必须接负电源以提供电流回路。
J. fet用作放大电路与电流源有什么不同
fet用作放大电路与电流源不同之处就在于大电闭键路场效应管是一种单极型晶体管, 它只有一个 P-N 结, 在零偏压的状态下, 它是导通的, 如果在其栅极(G) 和源极(S) 之间加上一个反向偏压(称栅极偏压) 在反和禅向电场作用下 P-N 变厚 (称轿棚巧耗尽区) 沟道变窄, 其漏极电流将变小,希望我的回答对你有帮助。