绝缘栅型ＭＯＳ开关电路

❶ 技术小科普—MOS管场效应管（MOSFET）详解

MOS管场效应管详解如下：

一、定义与分类 定义：MOS场效应管是绝缘栅型场效应管的一种。 分类：根据沟道材料和导电方式，MOSFET分为N沟道和P沟道，以及耗尽型和增强型。

二、关键参数 饱和漏源电流：衡量MOSFET在一定条件下的最大漏源电流。 夹断电压：使MOSFET沟道夹断所需的栅源电压。 开启电压：使MOSFET开始导通的栅源电压。 跨导：表示栅源电压对漏源电流的控制能力。 漏源击穿电压：MOSFET能承受的最大漏源电压，超过此值会导致器件损坏。 最大耗散功率：MOSFET在允许的最大结温下所能耗散的最大功率。 最大漏源电流：MOSFET在允许条件下所能承受的最大漏源电流。

三、作用与应用 作用：包括放大、阻抗变换、可变电阻、恒流源和电子开关等。 应用：由于其高输入阻抗和高开关速度，MOSFET在放大电路和开关电路中表现优异，广泛应用于大规模集成电路、电力电子和半导体领域。

四、测试与防护 测试：测试场效应管时，需注意不同类型的管子的管脚识别和栅极判定，以及放大能力测试。对于MOSFET，还需特别关注静电防护。 防护：在测试和使用过程中，应采取防静电措施以保护器件，避免静电损伤。同时，遵循焊接工艺规则以确保器件的可靠性和稳定性。

五、与晶体管的比较 MOSFET：电压控制、单极型器件，适合低电流、低电压条件。 晶体管：电流控制、双极型器件，适合大电流、高电压应用。

以上是对MOS管场效应管的详细科普，更多详细信息可参考相关官方网站和微信公众号。

❷ mos管在电路中的作用

MOS即MOSFET全称金属氧化膜绝缘栅型场效应管，有门极Gate,源极Source,漏极Drain.通过给Gate加电压产生电场控制S/D之间的沟道电子或者空穴密度（或者说沟道宽度）来改变S/D之间的阻抗。这是一种简单好用，接近理想的电压控制电流源电晶体
它具以下特点:开关速度快、高频率性能好，输入阻抗高、驱动功率小、热稳定
性优良、无二次击穿问题、全工作区宽、工作线性度高等等，其最重要的优点
就是能够减少体积大小与重量，提供给设计者一种高速度、高功率、高电压、
与高增益的元件。在各類中小功率开关电路中应用极为广泛。
MOS又分为兩种，一种为耗尽型（Depletion MOS），另一种为增强型
（Enhancement MOS）。这兩种型态的结构没有太大的差異，只是耗尽型MOS一
开始在Drain-Source的通道上就有载子，所以即使在VGS为零的情况下，耗尽型
MOS仍可以导通的。而增强型MOS则必须在其VGS大於某一特定值才能导通。

❸ 主板的mos管有什么用

MOS管，全称为MOSFET，即金属氧化物半导体型场效应管，是一种场效应晶体管中的绝缘栅型器件。因此，MOS管有时也被称为场效应管。在电子电路设计中，MOS管通常被应用在放大电路或开关电路中。

稳压作用：我们知道MOS管对于整个供电系统具有稳压功能，但单独使用时效果有限。MOS管需要与电感线圈、电容等元件共同组成滤波稳压电路，才能充分发挥其稳压效果。

MOS管的工作原理主要依赖于其绝缘栅结构，这种结构使得MOS管具有高输入阻抗、低导通电阻和高速开关等特性。这些特性使其在电子设备中广泛应用于信号放大、电压调节、信号开关等场景。

MOS管在电子电路中的应用非常广泛。例如，在电源管理电路中，MOS管可以用于电压调节，确保输出电压的稳定；在信号处理电路中，MOS管可以放大微弱的电信号，提高信号的强度；在开关电路中，MOS管可以实现高速切换，提高电路的工作效率。

由于MOS管具有高输入阻抗特性，因此在放大电路中，它可以有效地隔离输入信号和输出信号，避免信号之间的干扰。同时，MOS管的低导通电阻特性使其在开关电路中具有较低的能量损耗，从而提高电路的工作效率。

综上所述，MOS管作为一种重要的半导体器件，在电子电路设计中发挥着重要作用，不仅能够实现稳压功能，还能够应用于放大、开关等电路中，提高电路的工作性能。

❹ MOS管在开关电路中的使用

MOS管也就是常说的场效应管（FET），有结型场效应管、绝缘栅型场效应管（又分为增强型和耗尽型场扰指差效应管）。

也可以只分成两类P沟道和N沟道，这里我们就按照P沟道和N沟道分类。

对MOS管分类不了解的可以自己上网查一下。

场效应管的作用主要有信号的转换、控制电路的通断，这里我们讲解的是MOS管作为开关管的使用。

对于MOS管的选型缓皮，注意4个参数：漏源电压（D、S两端承受的电压）、工作电流（经过MOS管的电路）、开启电压（让MOS管导通的G、S电压）、工作频率（最大的开关频率）。

下面我们看一下MOS管的引脚，如下图所示：

有三个引脚，分别为G（栅极）、S（源极）、D（漏极）。

在开关电路中，D和S相当于需要接通的电路两端，G为开关控制。

这里分享一个自己的分辨P沟道和N沟道的方法，我们就看中间的箭头，把G（栅极）连接的部分当做沟道，大家都知道PN结，而不是NP结，那么就是P指向N的，所以脑海里想到这样的情景 P-->N，所以箭头都是P-->N的，那么中间的箭头指向的就是N，如果指向沟道那就是N沟道，如果指向的是S（没有指向沟道），那就是P沟道。

这个方法也适用于三极管的判别（NPN、PNP）。

在上图中我们可以看到右边都有一个寄生二极管，起到保护的作用。

那么根据二极管的单向导电性我们也能知道在电路连接中，D和S应该如何连接。使用有寄生二极管的N沟道MOS管的情况下，D的电压要高于S的电压，否则MOS管无法正常工作（二极管导通）。

使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。

下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反即为导通（当然这个相反电压需要达到MOS管的开启电压）。

比如导通电压为3V的N沟道MOS管，只要G的电压比S的电压高3V即可导通（D的电压也要比S的高）。

同理，导通电压为3V的P沟道MOS管，只要G的电压比S的电压低3V即可导通（S的电压比D的高）。

在电路中的典型逗桐应用如下图所示，分别为N沟道与P沟道的MOS管驱动电路：

我们可以看到，N沟道的MOS管的电路中，BEEP引脚为高电平即可导通，蜂鸣器发出声音，低电平关闭蜂鸣器；

P沟道的MOS管是用来控制GPS模块的电源通断，GPS_PWR引脚为低电平时导通，GPS模块正常供电，高电平时GPS模块断电。

重点、重点、重点，以上两个应用电路中，N沟道和P沟道MOS管不能互相替代，如下两个应用电路不能正常工作：

对于上面两个电路如何修改能正常工作？

❺ 求功率场效应管开关电路。

功率场抄效应管开关电路图：

场效应管导通时，漏沟道电阻有几千MΩ。所以，场效应客可以构成比较理想的低频开关。场效应管的极间电容不利于高频信号的隔离，从而增大了响应时间，限制了最高工作频率。

功率MOS场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型，但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal Oxide Semiconctor FET），简称功率MOSFET（Power MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Inction Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。