Ⅰ 外行人都看得懂的半导体知识:集成电路是怎么制造出来
一般说外行人很难理解也多看不懂的半导体:唯一简单说法是集成电路以纯度极高的硅砂经过至少三百道工序制造出来。
Ⅱ 集成电路制造五个步骤
半导体产业开始于上世纪。随着 1947 年固体晶体管的发明, 半导体行业已经获得了长足发展, 之后的发展方向是引入了集成电路和硅材料。集成电路将多个元件结合在了一块芯片上,提高了芯片性能、降低了成本。随着硅材料的引入,芯片工艺逐步演化为器件在硅片上层以及电路层的衬底上淀积。
芯片制造主要有五大步骤:硅片制备、芯片制造、芯片测试与挑选、装配与封装、终测。
芯片制造主要有五大步骤_国内硅片制造商迎来春天
芯片制造的五大步骤
(1)硅片制备。
首先是将硅从矿物中提纯并纯化,经过特殊工艺产生适当直径的硅锭。然后将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片。最后按照不同的定位边和沾污水平等参数制成不同规格的硅片。 本文讨论的主要内容就是硅片制备环节。
(2)芯片制造。
裸露的硅片到达硅片制厂,经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂等步骤,硅片上就刻蚀了一整套集成电路。芯片测试/拣选。 芯片制造完后将被送到测试与拣选区,在那里对单个芯片进行探测和电学测试,然后拣选出合格的产品,并对有缺陷的产品进行标记。
(3)装配与封装。
硅片经过测试和拣选后就进入了装配和封装环节,目的是把单个的芯片包装在一个保护壳管内。 硅片的背面需要进行研磨以减少衬底的厚度,然后把一个后塑料膜贴附在硅片背面,再沿划线片用带金刚石尖的锯刃将硅片上每个芯片分开,塑料膜能保持芯片不脱落。在装配厂,好的芯片被压焊或抽空形成装配包,再将芯片密封在塑料或陶瓷壳内。
(4)终测。
为确保芯片的功能, 需要对每一个被封装的集成电路进行测试, 以满足制造商的电学和环节的特性参数要求。
硅片制作的工艺流程
硅片制备之前是制作高纯度的半导体级硅(semiconctor-grade silicon, SGS),也被称为电子级硅。 制备过程大概分为三步,第一步是通过加热含碳的硅石(SiO2) 来生成气态的氧化硅 SiO;第二步是用纯度大概 98%的氧化硅,通过压碎和化学反应生产含硅的三氯硅烷气体(SiHCl3); 第三步是用三氯硅烷经过再一次的化学过程,用氢气还原制备出纯度为 99.9999999%的半导体级硅。
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半导体硅的生产过程
对半导体级硅进一步加工得到硅片的过程被称为硅片制备环节。 硅片制备包括晶体生长、整型、切片、抛光、清洗和检测等步骤,通过单晶硅生长、 机械加工、化学处理、表面抛光和质量检测等环节最终生产出符合条件的高质量硅片。
Ⅲ 集成电路是怎样制造出来
集成电路是制复造过制程:
集成电路(integrated circuit)是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母“IC”表示。集成电路发明者为杰克·基尔比(基于锗(Ge)的集成电路)和罗伯特·诺伊思(基于硅(Si)的集成电路)。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。
Ⅳ 如何制作简易集成电路
制作简易集成电来路的方法:
1、根据自源己的电路功能要求,用verilog编写程序。编写完成后导入quartus软件,编译、综合后进行电气规则验证、芯片面积验证等各种验证,如果不合适就修改程序重新验证,如果通过了就输出电子元件表。
2、把1的结果导入布局布线的相关软件,在其中进行布局布线,并进行各种验证,通过后输出相应的掩膜文件表。
3、把2中的掩膜文件表交给集成电路芯片制造工厂,由工厂进行制造即可。
集成电路是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺,把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起,制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上,然后封装在一个管壳内,成为具有所需电路功能的微型结构;其中所有元件在结构上已组成一个整体,使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。
Ⅳ 半导体集成电路的制造工艺
集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上,已集成了一台微型计算机的核心部分,包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到,已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的直径为75mm的硅片上(现在已发展到φ=125mm~150 mm)将有 3000000个这样的元件,组成几百个电路、子系统或系统。通过氧化、光刻、扩散或离子注入、化学气相淀积蒸发或溅射等一系列工艺,一层一层地将整个电路的全部元件、它们的隔离以及金属互连图形同时制造在一个单晶片上,形成一个三维网络。而一次又可以同时加工几十片甚至上百片这样的硅片,所以一批可以得到成千上万个这样的电路。这样高的效率,正是集成电路能迅速发展的技术和经济原因。
半导体集成电路
这个三维网络可以有各种不同的电路功能和系统功能,视各层的拓扑图形和工艺规范而定。在一定的工艺规范条件下,主要由各层拓扑图形控制,而各层的拓扑图形又由各次光刻掩膜版所决定。所以光刻掩膜版的设计是制造集成电路的一个关键。它从系统或电路的功能要求出发,按实际可能的工艺参数进行设计,并由计算机辅助来完成设计和掩膜版的制造。
在芯片制造完成后,经过检测,然后将硅片上的芯片一个个划下来,将性能满足要求的芯片封装在管壳上,即构成完整的集成电路。
Ⅵ 芯片的制造流程详细
Ⅶ 半导体集成电路(IC)生产中,晶圆是如何制造出来的其详细制造流程是什么国内本土有名的半导体生产
晶圆是由一根单向结晶硅切片而来,然后由机器在其表面生长硅晶体,依靠掺杂浓度控制半导体性能,详细制造的流程是行业机密,从来不会对外。
Ⅷ 集成电路是怎样制造出来的
真简单的回答不了。看这个:
单片集成电路工艺 利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形,使元件按需要互连成完整电路,制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路,平面工艺技术也随之得到发展。例如,扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺;紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术,如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等;外延生长又采用超高真空分子束外延技术;采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜;互连细线除采用铝或金以外,还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜,以及多层互连结构等工艺。
薄膜集成电路工艺 整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。
Ⅸ 半导体集成电路的制备工艺包括哪些步骤
IC的制备工艺相对复杂一点,但跟基本的晶体管、MOS工艺等差不多的。NPN管为例硅外延平面管的结构主要工艺流程:(1) 切,磨,抛衬底(2)外延(3)一次氧化(4)基区光刻(5)硼扩散/硼注入,退火(6)发射区光刻(7)磷扩散(磷再扩)(8)低氧(9)刻引线孔 (10)蒸铝(11)铝反刻(12)合金化 (13)CVD(14)压点光刻(15)烘焙(16)机减(17)抛光(18)蒸金(19)金合金(20)中测.