㈠ mos管是怎样控制电压的
MOS管就是场效应管：一种是1V（高电位）导通，一种0V（低电位）导通，一般是三支脚器件，一个信号脚，两个端口电路脚，当然很多应用是双MOS，四MOS等，管脚相应会增加
㈡ 有大神帮忙分析下这个电路图是什么原理
题主，这个电路是一个Buck电路，什么是Buck电路，就是降压电路。
设计者为什么这样画？
因为图中用的Q1是N沟道的MOS管，N沟道的MOS管如果想要让它导通的话
必须使其Vgs电压大于阀值电压，一般都是12-15V，因此需要现在对Vg的电压进行抬升，也就是我们所说的高端驱动。
那么如何抬升Vg电压呢？
图中很巧妙的运用3845的5脚接到换流点，也就是MOS源极、Q2整流二极管阴极以及电感的交叉点，而3845的6脚输出电平参考5脚，因此6脚的电平肯定比换流点高，那么高多少呢？
高1V也是高，高2V高也是高，但是高1V或者2V都不能使MOS管导通，必须要高于MOS管的开启电压，MOS管才能导通，MOS管的开启电压一般都是4-5V左右，你可以查一下这个MOS管的Datasheet。
那么如何才能达到6脚的电平比MOS管高12-15V呢？
我们先来看看，3845是怎么样才开始工作的，就是3845的供电电源如何启动的？
从图中可知，3845的启动电压是从48V输入电压取的，48V通过R1(20K)对E2(50uF)电解电容进行充电，当充电电压达到3845的开启电压时，应该是7.9V这样子吧，3845就可以开始工作了。
但是有一点疑问，就是R2是对48V分压，导致7脚的电平无法满足7.9V启动电压要求，因此我怀疑R2的参数是不是错了。否则这个电路工作不了，应该把R2的参数设大一些，R2等于5K差不多吧。
好，现在3845工作起来了，6脚开始陆续有PWM输出，到时MOS管也开始工作在PWM状态，随着对L1电容和E4电解电容不断的充电，输出电压，也就是12V慢慢建立起来。
一旦12V电压建立了起来，D2导通，接替48V给3845供电，确保3845一直工作。
至于周围的其它电容电阻，一般都是R/C震荡、电压采样等作用。
R5，C5组成RC震荡。
R8和R9组成输出电压采样电路，由图中可知，R8 = 3.3K，R9=12K，而3845的内部参考电压为2.5V，因此输出电压等于 (1 + 12/3.3) * 2.5 = 11.59V，接近12V。可以微调R8的阻值达到微调输出电压的目的。
C3，R7组成采样网络的反馈环节，经采样得到的小信号送到3845内部进行处理，以控制3845输出的PWM占空比大小。
C4和R4应该是组成电流采样电路，但是有一个疑虑，主要的电流不是从R4这边走，因此R4感觉在这里不是采样电阻，不知道设计者为何在这里添加R4和C4，或者这个电路本身就没有电流控制模式，只是单纯的利用3845的PWM电压控制模式，因为3845是峰值电流控制模式的。
补充一句，如果我没猜错的话，这个电路应该是电动车里的48V电瓶电压转换12V的电路。
因为单从电路中使用的Q2整流二极管以及Q1的参数来看，这个电路本身处理的电流比较大，
电路的功率应该比较大。
有点佩服设计者的思维。
㈢ 求MC34063 12V降压5V 电流要求1A 和2A的，请问这要降压扩流电路吗要加三极管或MOS管吗怎么选
34063,开关最大允许通过电流1.5A，以75%效率计算，BUCK电路12VIN足够输出5V-1A-2A。
不需要扩流。但是散热片一定要加。
另如果扩流，选择TO220的三极管或者MOS当扩流开关管，也需要在上面加散热器。
只是类似的散热器比较好匹配。
开关管选择只要保证电流与开关速度。
如1.5A,30K以上都可以。
㈣ 关于一个MOS管组成的电压选择电路的电路分析，请个人大侠帮忙分析一下，先谢谢啦！
个人观点。。。。。。
首先MOS管是四端器件，栅源漏衬，一般源衬短接。
在集成电路制造中，NMOS制作在P型衬底上，P衬上做N阱，而PMOS做在N阱上的，
如果只有一个PMOS管（比如左边的电路），
那么当控制引脚是高电平时，左边电路导通，现在假设只有Q5，电源通过Q5的源端再经过沟道区到达漏端然后输出。
也就是说，此时漏端是高电平，而漏端是P型半导体区域，衬底是N型的，这即是说漏到N阱有一条低阻通路（正向pn结，很小的电压即可导通），一旦N阱接到什么低电平的地方，立马会出现大的电流，那就完蛋啦。
如果在串联一个PMOS，注意第二个PMOS是反向的，现在我们从电源开始走一遍。
首先是电源，然后来到第一个PMOS的衬，P+（表示重掺杂）半导体区域，然后来到第一个PMOS的源，P区域，再经过第一个的栅来到第一个PMOS的漏端，还是P区域。接下来来到第二个PMOS‘漏’（其实这种说法不对但是更易于理解），这个也是P区域，那么第二个PMOS的‘漏’是不是可以和第一个的漏合并咯，都是P区域半导体嘛。再下来到第二个MOS的栅再到第二个MOS的‘源’，然后来到第二个的衬，P+区域，而这个P+区域接的是高电位。也就是说电荷只会在每个P区域之间交换，不会无聊的去克服势垒到达N阱的N区域的。这样避免了大规模漏电。也就是说输出端只输出高电平而不输出大的电流。在电路上讲输出阻抗很较大，这样就不会影响下一级电路的设计了，这是大部分电路的理想要求哦
至于肖特基二极管，应该是用来钳位的吧，保证输出不会高于某个电压值。比如钳位电压是1.5V，那么选中左边的时候，输出是1.5V而不是3.3V
。。。。。。。只是个人这么觉得，，，，，
㈤ 请教：MOS管做电子开关电路
电路错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于PNP型三极管，对P三极管来说，E接电源入，C接控制输出，同理如上。