硅晶圆电路

『壹』 晶圆是什么东西

晶圆是生产集成电路所用的载体。

晶圆（英语：Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，是生产集成电路（integrated circuit，IC）所用的载体。而我们现实中比较常见到的硅晶片就要数电脑CPU和手机芯片。

在半导体行业，尤其是集成电路领域，晶圆的身影随处可见。晶圆就是一块薄薄的、圆形的高纯硅晶片，而在这种高纯硅晶片上可以加工制作出各种电路元件构，使之成为有特定电性功能的IC产品。

晶圆制造工艺：

表面清洗：晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层，在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。

初次氧化：由热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术。

热CVD：此方法生产性高，梯状敷层性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜）等，故用途极广。

以上内容参考：网络-晶圆

『贰』 碳化硅晶圆和硅晶圆的区别

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。

目前碳化硅晶圆主要是4英寸与6英寸,而用于功率器件的硅晶圆以8英寸为主,这意味着碳化硅单晶片所产芯片数量较少、碳化硅芯片制造成本较高。

基本介绍：

在现已开发的宽禁带半导体中，碳化硅（SiC）半导体材料是研究最为成熟的一种。SiC半导体材料由于具有宽禁带、高击穿电场、高热导率、高饱和电子迁移率以及更小的体积等特点，在高温、高频、大功率、光电子以及抗辐射器件等方面具有巨大的应用潜力。

碳化硅的应用范围十分广泛：由于具有宽禁带的特点，它可以用来制作蓝色发光二极管或几乎不受太阳光影响的紫外线探测器；由于可以耐受的电压或电场八倍于硅或砷化镓，特别适用于制造高压大功率器件如高压二极管、功率三极管以及大功率微波器件。

由于具有高饱和电子迁移速度，可制成各种高频器件(射频及微波)；碳化硅是热的良导体, 导热特性优于任何其它半导体材料，这使得碳化硅器件可在高温下正常工作。

『叁』 硅晶圆直径、集成电路工艺尺寸的区别是什么

这是两种描述晶圆规格及工艺水平的数据，几寸指的晶圆大小（直径），几纳米指的晶体管之间的距离，晶圆直径越大，且晶体管之间的距离越小，那么单片晶圆上集成的晶粒（芯片）数也越多，也就是集成度越高，所以尺寸越做越大，间距（纳米）越做越小，技术也越来越复杂。

硅是由石英砂所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%）。

(3)硅晶圆电路扩展阅读：

注意事项：

1、由于晶圆生产工艺中，其表面会形成薄膜，这需要光刻技术将它去掉。在晶圆制造过程中，晶体、电容、电阻等在晶圆表面或表层内构成，这些部件是每次在一个掩膜层上生成的，并且结合生成薄膜及去除特定部分，通过光刻工艺过程，最终在晶圆上保留特征图形的部分。

2、光刻确定了器件的关键尺寸，光刻过程中的错误可造成图形歪曲或套准不好，最终可转化为对器件的电特性产生影响。

3、高纯度的多晶硅放在石英坩埚中，并用外面围绕着的石墨加热器不断加热，温度维持在大约一千多摄氏度，炉中的空气通常是惰性气体，使多晶硅熔化，同时又不会产生不需要的化学反应。

参考资料来源：网络-晶圆

参考资料来源：网络-晶圆工艺

参考资料来源：网络-纳米

参考资料来源：网络-晶体管

参考资料来源：网络-硅

『肆』 想知道晶圆是什么东西

晶圆是电路制作所用的硅晶片。由于其形状为圆形，故称为晶圆，在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的集成电路产品，半导体集成电路最主要的原料是硅，因此对应的就是硅晶圆。

晶圆的工艺

初次氧化，由热氧化法生成SiO2缓冲层，用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力氧化技术，热CVD，此方法生产性高，梯状敷层性佳（不管多凹凸不平，深孔中的表面亦产生反应，及气体可到达表面而附着薄膜）等，故用途极广。

硅在自然界中以硅酸盐或二氧化硅的形式广泛存在于岩石、砂砾中，硅晶圆的制造可以归纳为三个基本步骤，硅提炼及提纯、单晶硅生长、晶圆成型，制造工艺，表面清洗，晶圆表面附着大约2um的Al2O3和甘油混合液保护层，在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。

『伍』 晶圆和芯片的关系是什么

芯片是晶圆切割完成的半成品。

『陆』 硅晶圆的简单定义

硅晶圆就是指硅半导体电路制作所用的硅晶片，晶圆是制造IC的基本原料。

『柒』 晶圆是什么

晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片。

晶圆原始材料是硅。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。如今国内晶圆生产线以8英寸和12英寸为主。

晶圆的主要加工方式为片加工和批加工，即同时加工1 片或多片晶圆。随着半导体特征尺寸越来越小，加工及测量设备越来越先进，使得晶圆加工出现了新的数据特点。

晶圆的抛光：

为防止晶圆在旋转过程中被甩出，抛光头必须具有保持环结构。在 CMP 技术的发展历程中出现过两种保持环：固定保持环和浮动保持环。

由于固定保持环无法避免边缘效应，目前的主流 CMP 装备均采用了浮动保持环，通过对浮动保持环施加不同的压力可以调节晶圆与抛光垫的接触状态，从而有效改善边缘效应。

由于保持环与抛光垫紧密贴合，必须在保持环底部设计一系列沟槽以引导抛光液顺利进入晶圆/抛光垫界面。此外，为提高寿命，保持环需选择高强度、耐腐蚀、耐磨损的聚苯硫醚或聚醚酮 等材料。

『捌』 处理器芯片内部的电路是怎么在硅晶片上实现的比如电阻、电容、三极管

处理器内部的电路简单来说是通过掩模光刻、扩散、掺杂、离子注入等等一系列繁复的半导体制程工艺加工制造在硅晶圆片上的，集成电路中一般不包含电容，其中的半导体器件也不是逐个制造而是整体分层加工制成的。

『玖』 硅片上所谓的层数是什么意思

硅片上所谓的层数的意思是：

芯片布图上的每一层图案用不同颜色标示。对应每一层的图案，制造过程会在硅晶圆上制做出一层由半导体材料或介质构成的图形。把这些图形层称之为材料介质层。例如P型衬底层、N型扩散区层、氧化膜绝缘层、多晶硅层、金属连线层等。

芯片布图有多少层，制造完成后的硅晶圆上基本就有多少材料介质层。根据工艺安排，材料介质层的层数也许还会有增加。

芯片制造就是按照芯片布图，在硅晶圆上逐层制做材料介质层的过程。材料介质层在硅晶圆上叠加在一起，就形成了整个芯片上，乃至整个硅晶圆上所有的电路元器件。它们主要包括晶体管(三极管)、存储单元、二极管、电阻、连线、引脚等。

这些电路元器件从材料介质层的角度上看是有结构的、立体的。但是，电路元器件是平面分布在硅片上，乃至整个硅晶圆上，它们是二维(2D)分布的，是一个平面层。本文把硅晶圆上的电路元器件层称之为电路层。这样的芯片裸片封装起来就是早期传统的平面芯片(2D芯片)。

『拾』 硅晶圆的介绍

硅晶圆： 晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成长硅晶棒，成为制造积体电路的石英半导体的材料，经过照相制版，研磨，抛光，切片等程序，将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒，然后切割成一片一片薄薄的晶圆。