四硅驱动电路图

1. 这张四硅机电路图画得正确吗

里面的C30电容和电感L1会不会画错呢？本人也只是爱好而已，就照图做了一个、就是可控硅不能调了，灯直亮不闪，后来把C30和L1改接却可以用了

2. 有哪些可控硅模块有四个引脚，两个引脚接控制电流，两个接大电流，且控制极断电自动关断

双向可控硅是一种功率半导体器件，也称双向晶闸管，在单片机控制系统中，可作为功率驱动器件，由于双向可控硅没有反向耐压问题，控制电路简单，因此特别适合做交流无触点开关使用。双向可控硅接通的一般都是一些功率较大的用电器，且连接在强电网络中，其触发电路的抗干扰问题很重要，通常都是通过光电耦合器将单片机控制系统中的触发信号加载到可控硅的控制极。为减小驱动功率和可控硅触发时产生的干扰，交流电路双向可控硅的触发常采用过零触发电路。过零触发是指在电压为零或零附近的瞬间接通。由于采用过零触发，因此上述电路还需要正弦交流电过零检测电路。 1 过零检测电路电路设计如图1 所示，为了提高效率，使触发脉冲与交流电压同步，要求每隔半个交流电的周期输出一个触发脉冲，且触发脉冲电压应大于4V ，脉冲宽度应大于20us.图中BT 为变压器，TPL521 - 2 为光电耦合器，起隔离作用。当正弦交流电压接近零时，光电耦合器的两个发光二极管截止，三极管T1基极的偏置电阻电位使之导通，产生负脉冲信号，T1的输出端接到单片机80C51 的外部中断0 的输入引脚，以引起中断。在中断服务子程序中使用定时器累计移相时间，然后发出双向可控硅的同步触发信号。过零检测电路A、B 两点电压输出波形如图2 所示。 2 过零触发电路电路如图3 所示，图中MOC3061 为光电耦合双向可控硅驱动器，也属于光电耦合器的一种，用来驱动双向可控硅BCR 并且起到隔离的作用，R6 为触发限流电阻，R7 为BCR 门极电阻，防止误触发，提高抗干扰能力。当单片机80C51 的P1. 0 引脚输出负脉冲信号时T2 导通，MOC3061 导通，触发BCR 导通，接通交流负载。另外，若双向可控硅接感性交流负载时，由于电源电压超前负载电流一个相位角，因此，当负载电流为零时，电源电压为反向电压，加上感性负载自感电动势el 作用，使得双向可控硅承受的电压值远远超过电源电压。虽然双向可控硅反向导通，但容易击穿，故必须使双向可控硅能承受这种反向电压。一般在双向可控硅两极间并联一个RC阻容吸收电路，实现双向可控硅过电压保护，图3 中的C2 、R8 为RC 阻容吸收电路。 原理简介： 1.可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。 2，由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，条件如下： A、从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位，2、控制极有足够的正向电压和电流，两者缺一不可。 B、维持导通1、阳极电位高于阴极电位，2、阳极电流大于维持电流，两者缺一不可。 C、从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位，2、阳极电流小于维持电流，任一条件即可。

3. 可控硅驱动电路

光耦的应该会有两个电源的是吧？！一个高电压，一个低电压，可以隔离开来，这样安全性能比较高；
脉冲变压器的话，一个电源搞定，方便省事。
各有好处，看用在什么情况了。。。

4. 场效应管和可控硅驱动电路一样吗

他们的驱动电路是有本质上的区别，首先场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其中绝缘栅型场效应管也叫MOS管（有一种场效应管、三极管混合的器件叫IGBT俗称门控管，该器件的驱动电路与场效应管的驱动电路几乎一样），这种驱动属于电压驱动，在大多应用在功率输出、电力变换等场合，要求最好采用PWM（脉宽调制）信号来控制，其输入到栅极的方波上升沿要求陡峭（也称图腾柱输出），并且要有一定的瞬态驱动能力（因为场效应管的栅极等效一个电容，当驱动信号的瞬态功率不够时，其原本的波形将被改变，通常等效为一个积分器），要求导通时，其栅极电压要相对于源极高10-20V左右，典型值15V，而关断时为了保证场效应管关断可靠，该电压此时应该为-15V，在实际应用中为了减小场效应管的功耗过大或防止其损坏一般要加如过流保护和相关吸收电路，并且尽量做到场效应管的工作频率与负载的谐振频率相同，典型应用就是电磁炉，流过炉盘（加热线圈）的电流与流过吸收电容的电流各自虽然都很大，但相位不同，互相抵消，经叠加后的总电流较小，即流过场效应管（实际用IGBT）的电流较小。下图为场效应管的典型驱动电路：
而可控硅属电流驱动，因为他等效于两个三极管构成正反馈放大，当有一个触发信号后，由于强大的正反馈作用，使之一直导通，当栅极电压高于阳极电压或者阳极、阴极电压差小于一定数值时正反馈才会失效，即可控硅被复位，一般情况下，其栅极电压不会高于阳极，所以可控硅属于不可关断的半控器件，当触发导通时无法通过栅极关断，而场效应管属全控器件可以通过栅极关断。下图为可控硅结构及其典型驱动电路：

5. 双向可控硅驱动电路，如图，我用的是MOC3041，双向可控硅是BTA 16-600B，AA1接上面时负载一直工作，

图中可控硅控制极接法有点奇怪，光敏器件无输入时R2提供电压给控制极，可控硅会导通版；而光敏器权件有输入时，即使饱和导通，由于R3的作用可控硅还是可能导通，起不了开关作用。
可控硅控制极一般接在R3与光耦连接处。此时光耦有输入时可控硅导通，无输入时关断。
R2为控制极提供触发电压，一般取100欧左右；R3用于消除光耦漏电流影响，防止误触发，一般取1K左右。这两个电阻不需要承受多大的功率，1/8-1/4瓦都可以。
R4、C1是阻容吸收电路，一般取几十欧，功率1W。

6. 关于MOC3021驱动双向可控硅典型应用电路的问题

MC3021之2脚为低电平时双向可控硅导通，当它为高电平时，交流电的下一个过零点后截止。
RC的值图上已有标准值。
两电阻的功率没有明确经验值，1/4W貌似也可以正常工作。

7. 三相10瓦发电机用四硅做后级输出电伏多少伏 电路图怎样画的

三相10瓦发电机用四硅做后级输出电压为12V。

电路图如图：

发电机（英文名称：Generators）是将其他形式的能源转换成电能的机械设备，它由水轮机、汽轮机、柴油机或其他动力机械驱动，将水流，气流，燃料燃烧或原子核裂变产生的能量转化为机械能传给发电机，再由发电机转换为电能。发电机在工农业生产、国防、科技及日常生活中有广泛的用途。

8. 电力驱动原理(马达，电锯等)，要图

电机驱动电路既可通过继电器或功率晶体管驱动，也可利用可控硅或功率型MOS场效应管驱动。为了适应不同的控制要求(如电机的工作电流、电压，电机的调速，直流电机的正反转控制等)，下面介绍几种电机驱动电路，以满足以上要求：图1电路利用了达林顿晶体管扩大电机驱动电流，图示电路将BG1的5A扩流到达林顿复合管的30A，输入端可用低功率逻辑电平控制。上述电路采用的驱动方式属传统的单臂驱动，它只能使电机单向运转，双臂桥式推挽驱动可使控制更为灵活。

9. 超大电流双向可控硅驱动电路

具体可看下双向可控硅触发电路，有4象限触发方式，且只有一个控制脚，该电路直接用交流降压作为触发信号

10. MOC3022 驱动可控硅的电路

1）断开光耦输出端，如果灯依然亮的，则可控硅击穿了；
2）短路光耦输入端，如果灯依然亮的，则可光耦输出端击穿了；