『壹』 蚀刻PCB电路板是用草酸、水、双氧水吗
之前一直使用三氯化铁。
由于是整块铜板需要蚀刻出所有的PCB线路，因此可能需要时间久一些
『贰』 用蚀刻法制作电路板的步骤(要求在家里就能完成的)，还有“金属孔化”是怎么弄的
目前工业蚀刻法常用的药水分为碱性氯化铜蚀液和酸性盐酸蚀刻液，都需要加热加压的情况下才能把线路刻蚀出来，如果在家里做由于以上药水的环境污染比较严重，而且需要对应的设备，所以是无法完成的。金属化孔是通过化学沉积和电解的原理把铜离子电镀到孔壁及面上的，处理工艺还是比较复杂的。
『叁』 印刷电路板蚀刻法和雕刻法分别是什么意思因为是PCB初学者，所又不太明白，还望详细点，谢谢
电路板蚀刻法,是化学腐蚀法，是用浓硫酸腐蚀不需要的覆铜做成的电路板。
雕刻法使用物理的方法，用专门的雕刻机，刀头雕刻覆铜板形成电路走线的方法。
再看看别人怎么说的。
『肆』 在家蚀刻电路板（铜）可以用Fe3(SO4)2吗速度怎样
广泛采用三氯化铁蚀刻铜、铜合金及铁、锌、铝等。这是由于它的工艺稳定，操作方便，价格便宜。但是，近些年来，由于它再生困难，污染严重，废液处理困难等而正在被淘汰。因此，这里只简单地介绍。
三氯化铁蚀刻液适用于网印抗蚀印料、液体感光胶、干膜、金等抗蚀层的印制板的蚀刻。但不适用于镍、锡、锡—铅合金等抗蚀层。
1.蚀刻时的主要化学反应
三氯化铁蚀刻液对铜箔的蚀刻是一个氧化－还原过程。在铜表面Fe3+使铜氧化成氯化亚铜。同时Fe3+被还原成Fe2+。
FeCl3＋Cu →FeCl2＋CuCl
CuCl具有还原性，可以和FeCl3进一步发生反应生成氯化铜。
FeCl3＋CuCl →FeCl2＋CuCl2
Cu2+具有氧化性，与铜发生氧化反应：
CuCl2＋Cu →2CuCl
所以，FeCl3蚀刻液对Cu的蚀刻时靠Fe3+和Cu2+共同完成的。其中Fe3+的蚀刻速率快，蚀刻质量好；而Cu2+的蚀刻速率慢，蚀刻质量差。新配制的蚀刻液中只有Fe3+，所以蚀刻速率较快。但是随着蚀刻反应的进行，Fe3+不断消耗，而Cu2+不断增加。当Fe3+消耗掉35％时，Cu2+已增加到相当大的浓度，这时Fe3+和Cu2+对Cu的蚀刻量几乎相等；当Fe3+消耗掉50％时，Cu2+的蚀刻作用由次要地位而跃居主要地位，此时蚀刻速率慢，即应考虑蚀刻液的更新。
在实际生产中，表示蚀刻液的活度不是用Fe3+的消耗量来度量，而是用蚀刻液中的含铜量(g/l)来度量。因为在蚀刻铜的过程中，最初蚀刻时间是相对恒定的。然而，随着Fe3+的消耗，溶液中含铜量不断增长。当溶铜量达到60g/l时，蚀刻时间就会延长，当蚀刻液中的Fe3+消耗40％时，溶铜量达到82.40g/1时，蚀刻时间便急剧上升，表明此时的蚀刻液不能再继续使用，应考虑蚀刻液的再生或更新。
一般工厂很少分析和测定蚀刻液中的含铜量，多以蚀刻时间和蚀刻质量来确定蚀刻液的再生与更新。经验数据为，采用动态蚀刻，温度为50℃左右，铜箔厚度为50μm，蚀刻时间5分钟左右最理想，8分钟左右仍可使用，若超过10分钟，侧蚀严重，蚀刻质量变差，应考虑蚀刻液的再生或更新。
蚀刻铜箔的同时，还伴有一些副反应，就是CuCl2和FeCl3的水解反
『伍』 集成电路已蚀刻是什么意思
集成电路制造有一套复杂的工艺过程，需要经过大量设计人员设计、认证，设计好后，进入流片工艺，其中需要进行照相、光刻、腐蚀……等一系列工序，已蚀刻说明芯片已经进入流水线，很快将会面世。成为产品。
『陆』 “蚀刻”印刷电路板和“腐蚀”印刷电路板一样吗
选择C
氯气没有漂白性，溶于水形成的HClO有漂白性。Cl2 + H2O ==== HCl + HClO
这是常考的，需要注意。
其他的都对。
『柒』 线路板蚀刻是怎么回事有什么工序
主要的过程是：干膜——曝光——显影——蚀刻——去膜……
干膜：在基板（表面是铜）上压覆干膜，有的是采用湿膜（即油墨），湿膜是涂布上去的，因为油墨有粘性，所以要预烤至不粘手。不管干膜和湿膜，都是感紫外光的材质。
曝光——设备是带UV光源的曝光机，有闪光和平行光两种，后者较好。曝光时将事先做好的菲林与基板对好位置并与基板固定好，将基板放在曝光机平台上进行曝光，具体的操作在此略过。曝光的目的是将图形转移至干膜上，菲林上透明的区域会透射过UV光到干膜上，使干膜发生光聚合反应，而菲林的黑色图案遮住了UV光，底下的干膜保持原态，经过曝光的干膜，可以明显看到与菲林一样的图形。
显影——将曝光的基板放在显影液里冲洗，未曝光的干膜可溶于显影液，曝光的刚好相反，所以经过显影形成干膜图形。
蚀刻——将基板放在蚀刻液里蚀刻，干膜据有抗蚀刻性，盖膜的地方保护了底下的铜，而露在外表的铜被蚀刻掉，这样就形成了带干膜和带铜的图形。
去膜——将基板放在去膜液中冲洗，干膜可溶于此种液体，最后基板将是带与菲林图形互补的铜图形。
其实上面讲的是简单的负片蚀刻工艺，也叫减法工艺。目前用得比较多的还有半加成法，使用的菲林是正片的，即作出的铜图形与菲林的是一致的。
写太多了，不知你是否明白？
『捌』 FeCl3溶液能与Cu反应，可用于蚀刻印刷电路,为什么
三价铁离子可以把铜氧化掉。2Fe3+ + Cu==Fe2+ + Cu2+
蚀刻电路简单说就是这样：
电路板本身是一张薄铜片，你设计好电路之后，把电路周边挖空，做成模具。把模具覆盖在铜片上，然后用氯化铁浸泡。没有覆盖的地方就腐蚀了，盖住的地方就留下来了。
然后捞出腐蚀过的铜片，就是你需要的电路。
因为电路板很复杂，而且电路也很小，直接冲压或者印刷操作上都很难。用这个方法比较精准。
『玖』 cpu的半导体单晶硅上面刻蚀的电路是以什么形式存在的
现在市场上产品丰富，琳琅满目，当你使用着配置了最新款CPU的电脑在互联网上纵横驰骋，在各种程序应用之间操作自如的时候，有没有兴趣去想一想这个头不大、功能不小的CPU是怎么制作出来的呢。在今天的半导体制造业中，计算机中央处理器无疑是受关注程度最高的领域，而这个领域中众所周知的两大巨头，其所遵循的处理器架构均为x86，而另外一家号称信息产业的蓝色巨人的IBM，也拥有强大的处理器设计与制造能力，它们最先发明了应变硅技术，并在90纳米的处理器制造工艺上走在最前列。在今天的文章中，我们将一步一步的为您讲述中央处理器从一堆沙子到一个功能强大的集成电路芯片的全过程。
制造CPU的基本原料
如果问及CPU的原料是什么，大家都会轻而易举的给出答案—是硅。这是不假，但硅又来自哪里呢？其实就是那些最不起眼的沙子。难以想象吧，价格昂贵，结构复杂，功能强大，充满着神秘感的CPU竟然来自那根本一文不值的沙子。当然这中间必然要经历一个复杂的制造过程才行。不过不是随便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑细选，从中提取出最最纯净的硅原料才行。试想一下，如果用那最最廉价而又储量充足的原料做成CPU，那么成品的质量会怎样，你还能用上像现在这样高性能的处理器吗？
除去硅之外，制造CPU还需要一种重要的材料就是金属。目前为止，铝已经成为制作处理器内部配件的主要金属材料，而铜则逐渐被淘汰，这是有一些原因的，在目前的CPU工作电压下，铝的电迁移特性要明显好于铜。所谓电迁移问题，就是指当大量电子流过一段导体时，导体物质原子受电子撞击而离开原有位置，留下空位，空位过多则会导致导体连线断开，而离开原位的原子停留在其它位置，会造成其它地方的短路从而影响芯片的逻辑功能，进而导致芯片无法使用。这就是许多Northwood Pentium4换上SNDS(北木暴毕综合症)的原因，当发烧友们第一次给Northwood Pentium4超频就急于求成，大幅提高芯片电压时，严重的电迁移问题导致了CPU的瘫痪。这就是intel首次尝试铜互连技术的经历，它显然需要一些改进。不过另一方面讲，应用铜互连技术可以减小芯片面积，同时由于铜导体的电阻更低，其上电流通过的速度也更快。
除了这两样主要的材料之外，在芯片的设计过程中还需要一些种类的化学原料，它们起着不同的作用，这里不再赘述。
CPU制造的准备阶段
在必备原材料的采集工作完毕之后，这些原材料中的一部分需要进行一些预处理工作。而作为最主要的原料，硅的处理工作至关重要。首先，硅原料要进行化学提纯，这一步骤使其达到可供半导体工业使用的原料级别。而为了使这些硅原料能够满足集成电路制造的加工需要，还必须将其整形，这一步是通过溶化硅原料，然后将液态硅注入大型高温石英容器而完成的。
而后，将原料进行高温溶化。中学化学课上我们学到过，许多固体内部原子是晶体结构，硅也是如此。为了达到高性能处理器的要求，整块硅原料必须高度纯净，及单晶硅。然后从高温容器中采用旋转拉伸的方式将硅原料取出，此时一个圆柱体的硅锭就产生了。从目前所使用的工艺来看，硅锭圆形横截面的直径为200毫米。不过现在intel和其它一些公司已经开始使用300毫米直径的硅锭了。在保留硅锭的各种特性不变的情况下增加横截面的面积是具有相当的难度的，不过只要企业肯投入大批资金来研究，还是可以实现的。intel为研制和生产300毫米硅锭而建立的工厂耗费了大约35亿美元，新技术的成功使得intel可以制造复杂程度更高，功能更强大的集成电路芯片。而200毫米硅锭的工厂也耗费了15亿美元。下面就从硅锭的切片开始介绍CPU的制造过程。
单晶硅锭
在制成硅锭并确保其是一个绝对的圆柱体之后，下一个步骤就是将这个圆柱体硅锭切片，切片越薄，用料越省，自然可以生产的处理器芯片就更多。切片还要镜面精加工的处理来确保表面绝对光滑，之后检查是否有扭曲或其它问题。这一步的质量检验尤为重要，它直接决定了成品CPU的质量。
新的切片中要掺入一些物质而使之成为真正的半导体材料，而后在其上刻划代表着各种逻辑功能的晶体管电路。掺入的物质原子进入硅原子之间的空隙，彼此之间发生原子力的作用，从而使得硅原料具有半导体的特性。今天的半导体制造多选择CMOS工艺(互补型金属氧化物半导体)。其中互补一词表示半导体中N型MOS管和P型MOS管之间的交互作用。而N和P在电子工艺中分别代表负极和正极。多数情况下，切片被掺入化学物质而形成P型衬底，在其上刻划的逻辑电路要遵循nMOS电路的特性来设计，这种类型的晶体管空间利用率更高也更加节能。同时在多数情况下，必须尽量限制pMOS型晶体管的出现，因为在制造过程的后期，需要将N型材料植入P型衬底当中，而这一过程会导致pMOS管的形成。
在掺入化学物质的工作完成之后，标准的切片就完成了。然后将每一个切片放入高温炉中加热，通过控制加温时间而使得切片表面生成一层二氧化硅膜。通过密切监测温度，空气成分和加温时间，该二氧化硅层的厚度是可以控制的。在intel的90纳米制造工艺中，门氧化物的宽度小到了惊人的5个原子厚度。这一层门电路也是晶体管门电路的一部分，晶体管门电路的作用是控制其间电子的流动，通过对门电压的控制，电子的流动被严格控制，而不论输入输出端口电压的大小。
准备工作的最后一道工序是在二氧化硅层上覆盖一个感光层。这一层物质用于同一层中的其它控制应用。这层物质在干燥时具有很好的感光效果，而且在光刻蚀过程结束之后，能够通过化学方法将其溶解并除去。
『拾』 怎么在覆铜板上面刻电路
简单的电路，通常是在覆铜板上防腐蚀层，然后按走线图形刮去相应的防腐蚀层，再用三氯化铁溶液蚀刻。高精细的电路原理也一样，不过是用其防腐蚀层，可以用光去掉。所以叫光蚀刻。这个流程可以机器制作。所以精度就高啦。