A. 什么是CMOS
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1.
当你因为使用了超频的电脑而频繁死机时,旁边懂电脑的同事就会告诉你说:“进入CMOS设置,把CPU频率降下来就会好了”。
当你换了一块硬盘或加了一块硬盘而电脑却不认硬盘时,有人就会说:“你进入CMOS设置,重新设置一下硬盘参数就好了”。
又或者我们想要从光盘安装系统,但是始终不能从启动光盘启动,这时又会有人告诉你说:“进入CMOS设置,把启动顺序改成从光驱启动就可以了”。
当出现电脑故障时,很多情况下我们会听到“CMOS设置”这样的话,说明这个“CMOS”很重要,那么到底“CMOS”是什么呢?
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconctor(互补金属氧化物半导体)的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片。是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的。
现在的CMOS芯片通常都集成在主板的BIOS芯片里面(所以主板上一般看不到CMOS芯片,只能看到BIOS芯片),如下图所示:
平时说的BIOS设置和CMOS设置其实都是一回事,就是通过BIOS程序对电脑硬件进行设置,设置好的参数放在CMOS芯片里面。但是CMOS芯片和BIOS芯片却是完全不同的概念。
想不想知道如何用“CMOS设置”知识来解决具体的问题呢?下面我们就来实际操作吧。
2. 如何进入CMOS设置
如果是兼容台式电脑,并且是Award、AMI、Phoenix公司的BIOS设置程序,那么开机后按Delete键或小键盘上的Del键就可以进入CMOS设置界面。如下图所示。
如果是品牌机(包括台式电脑或笔记本电脑),如果按Delete不能进入CMOS,那么就要看开机后电脑屏幕上的提示,一般是出现【Press XXX to Enter SETUP】,我们就按“XXX”键就可以进入CMOS了。
如果没有如何提示,就要查看电脑的使用说明书。如果实在找不到,那么就试一试下面的这些品牌机常用的键:“F2”,“F10”,“F12”,“Ctrl+F10”,“Ctrl+Alt+F8”,“Ctrl+Alt+Esc”等。
3. CMOS设置具体操作方法
按下Delete键后,首先跃入我们眼帘的是下面这个CMOS设置主界面(不同的BIOS程序和不同的BIOS版本界面可能不一样,但是具体的操作方法却大同小异),如下页图所示:
在这个设置界面里,我们可以按键盘上的四个方向键来选择具体的选项,选择了某个选项后按回车就可以进入这个选项。比如说我们选择了第二项【BIOS FEATURES SETUP】,回车后就出现下面的界面。
再用方向键选择,选定了后就可以按键盘上的“Page Down”或“Page Up”键来改变值(有些BIOS版本是设计的按回车键后再按方向键来选择值)。
如果想要退出【BIOS FEATURES SETUP】这个选项,可以按“Esc”键。这样就又回到了主界面。
要退出CMOS设置,有两个选择,一个是保留我们刚才的设定退出,可以选择【SAVE & EXIT SETUP】(或按键盘上的“F10”键),在这个选项上回车后再选择“Y”键就可以了。
另一个就是选择【EXIT WITHOUT SAVING】,按“Y”后就是不保留设定退出。
B. 什么是cmos
CMOS,是互补金属氧化物半导体的缩写,是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片,是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。CMOS在三个应用领域呈现出迥然不同的外观特征:一是用于计算机信息保存,CMOS作为可擦写芯片使用,在这个领域,用户通常不会关心CMOS的硬件问题,而只关心写在CMOS上的信息,也就是BIOS的设置问题。二是在数字影像领域。三是在更加专业的集成电路设计与制造领域。
C. 什么是cmos电路
指互补金属氧化物(PMOS管和NMOS管)共同构成的互补型MOS集成电路制造工艺,它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间看,要么PMOS导通,要么NMOS导通,要么都截至,比线性的三极管(BJT)效率要高得多,因此功耗很低。
D. 什么是CMOS电路
CMOS Complementary Metal Oxide Semiconctor,本意是指互补金属氧化物半导体
mos电路分飞pmos和nmos 但两者都有某种缺陷,于是设计了让两者互补的电路模式,成为COMS
E. CMOS是什么
在计算机领域,CMOS常指保存计算机基本启动信息(如日期、时间、启动设置等)的芯片。有时人们会把CMOS和BIOS混称,其实CMOS是主板上的一块可读写的RAM芯片,是用来保存BIOS的硬件配置和用户对某些参数的设定。CMOS可由主板的电池供电,即使系统掉电,信息也不会丢失。CMOS RAM本身只是一块存储器,只有数据保存功能。
因为不知道你所说的是那个领域内的CMOS,下面是俺搜索的结果,你可以参考一下:
一、微电子学中的CMOS概念
CMOS,全称Complementary Metal Oxide Semiconctor,即互补金属氧化物半导体,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。
二、数码相机领域
CMOS制造工艺也被应用于制作数码影像器材的感光元件(常见的有TTL和CMOS),尤其是片幅规格较大的单反数码相机。
三、媒介研究方法
CMOS 跨媒体优化研究(Cross Media Optimization Study)
美国IAB 互动广告署 (Internet Advertising Bureau) 于2003年起联合知名品牌广告主、媒体、媒介代理等参与方,共同推动 XMOS 跨媒体优化研究(Cross Media Optimization Study),吸引多芬、麦当劳、福特、ING等众多品牌参与,以及Google, Yahoo, AOL、MSN、cnet等媒体。
四、CMOS集成电路介绍
自1958年美国德克萨斯仪器公司(TI)发明集成电路(IC)后,随着硅平面技术的发展,二十世纪六十年代先后发明了双极型和MOS型两种重要的集成电路,它标志着由电子管和晶体管制造电子整机的时代发生了量和质的飞跃。
F. CMOS是什么
CMOS是Complementary Metal Oxide Semiconctor(互补金属氧化物半导体)的缩写。它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片,是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。
因为可读写的特性,所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据,这个芯片仅仅是用来存放数据的。电压控制的一种放大器件,是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
而对BIOS中各项参数的设定要通过专门的程序。BIOS设置程序一般都被厂商整合在芯片中,在开机时通过特定的按键就可进入BIOS设置程序,方便地对系统进行设置。因此BIOS设置有时也被叫做CMOS设置。
(6)什么是cmos集成电路扩展阅读:
相对于其他逻辑系列,CMOS逻辑电路具有以下优点:
1、允许的电源电压范围宽,方便电源电路的设计
2、逻辑摆幅大,使电路抗干扰能力强
3、静态功耗低
4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大,从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多。
G. cmos集成电路的主要特点有哪些
CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconctor),互补金属氧化物半导体,
电压控制的一种放大器件。是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconctor)结构的晶体管简称MOS晶体管,有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路,而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC( Complementary MOS Integrated CIRcuit)。
CMOS集成电路的性能特点
微直流功耗—CMOS电路的单门静态功耗在毫微瓦(nw)数量级。
高噪声容限—CMOS电路的噪声容限一般在40%电源电压以上。
宽工作电压范围—CMOS电路的电源电压一般为1.5~18伏。
高逻辑摆幅—CMOS电路输出高、低电平的幅度达到全电压的
“1”为VDD,逻辑“0”为VSS。
高输入阻抗--CMOS电路的输入阻抗大于108Ω,一般可达1010Ω。
高扇出能力--CMOS电路的扇出能力大于50。
低输入电容--CMOS电路的输入电容一般不大于5PF。
宽工作温度范围—陶瓷封装的CMOS电路工作温度范围为 - 55 0C ~ 125 0C;塑封的CMOS电路为 – 40 0C ~ 85 0C。
所有的输入均有删保护电路,良好的抗辐照特性等。
JEDEC最低工业标准
JEDEC最低标准是电子工业协会(EIA)联合电子器件工程委员会(JEDEC)主持下制定的CMOS集成电路的最大额定范围和静态参数的最低工业标准。下表即为
JEDEC制定的CMOS集成电路的最大额定范围:
电源电压 VDD~VSS 18 ~ -0.5V(DC)
直流输入电流 IIN 10 mA(DC)
输入电压 VSS ≤VI ≤ VDD+0.5V(DC)
器件功耗 PD 200mw
工作温度范围 T -55~125(陶封),-40~85(塑封)ºC
存储温度范围 TSTG -65 ~ 150 ºC
输入/输出信号规则
所有的CMOS电路的输入端不能浮置,最好使用一个上拉或下拉电阻,以保护器件不受损害。在某些应用场合,输入端要串入电阻,以限制流过保护二极管的电流不大于10mA。
输入脉冲信号的上升和下降时间必须小于15us, 否则必须经施密特电路整形后方可输入CMOS开关电路。避免CMOS电路直接驱动双极型晶体管,否则可能导致CMOS电路的功耗超过规范值。CMOS缓冲器或大电流驱动器由于其本身的低输出阻抗,必须注意这些电路采用大负载电容(≥500PF)时等效于输出短路的情况。CMOS电路的输出不能并接成线逻辑状态。因为导通的PMOS管和导通的NMOS管的低输出阻抗会将电源短路。
H. 什么叫cmos集成电路和ttl集成电路相比有哪些优点
ttl集成电路使用ttl管,也就是pn结。功耗较大,驱动能力强,一般工作电压+5v
cmos集成电路使用mos管,功耗小,工作电压范围很大,一般速度也低,但是技术在改进,这已经不是问题。
就ttl与cmos电平来讲,前者属于双极型数字集成电路,其输入端与输出端均为三极管,因此它的阀值电压是<0.2v为输出低电平;>3.4v为输出高电平。
而cmos电平就不同了,他的阀值电压比ttl电平大很多。而串口的传输电压都是以coms电压传输的。
1,ttl电平:
输出高电平>2.4v,输出低电平<0.4v。在室温下,一般输出高电平是3.5v,输出低电平
是0.2v。最小输入高电平和低电平:输入高电平>=2.0v,输入低电平<=0.8v,噪声容限是
0.4v。
2,cmos电平:
1逻辑电平电压接近于电源电压,0逻辑电平接近于0v。而且具有很宽的噪声容限。
3,电平转换电路:
因为ttl和coms的高低电平的值不一样(ttl
5v<==>cmos
3.3v),所以互相连接时需
要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。哈哈
4,oc门,即集电极开路门电路,od门,即漏极开路门电路,必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱
动门电路。
5,ttl和coms电路比较:
1)ttl电路是电流控制器件,而coms电路是电压控制器件。
2)ttl电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。
coms电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
coms电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常
现象。