放大电路图

Ⅰ 三极管PNP放大10倍的电路图

PNP放大电路原理和NPN放大电路原理相同，只是电源极性、偏置电流方向与NPN电路内相反而已。

R1、容R2、R4组成基极分压偏置电路，同时R4担任交直流负反馈。

静态工作点：R1、R2、R4组成基极分压偏置电路，使R1上电压约为0.8V，则R4上电压为0.8-0.65=0.15V，Ic≈Ie=0.15/100=0.0015A=1.5mA，Uc=-6+Ic*R3=-3V。

电路所示的参数，当负电阻抗是2K时，三极管的输出负载是1K（R3与RL并联），交流负反馈电阻R4是100，因此电压放大倍数约是1K/100=10。

由于这是一个简单的单管放大电路，所以它的放大倍数随负载电阻的变化而变化。

Ⅱ 关于三极管多级放大电路的一个图

记住了，三极管的发射结处于正偏置并且导通后，发射结两端，也就是版基极与发射极的权电压差（电位差、电平差）就固定在0.7V左右了，以后你还会明白这就叫钳位作用；
由于VT2基极上要电阻提供了正偏置电压并足以令其导通，又因为VT1的集电极直接与VT2基极相连接，所以VT1的集电极被钳位在VT2基极电位上，也就是VT1的集电极电压（电位、电平）等于0.7V；
因此VT1的集电极的输出电压（电位、电平）不会高于0.7V，但是可以低于0.7V，因为低于0.7V后，VT2就截止了，同时就失去了钳位作用了；
关于电压、电位、电平的概念，其实几乎都一样的，都是指定某一点作为参考点，所得到的电压差，一般是以0V作为参考点，此时三者的叫法是相通的，也就是隐去参考点，各个节点的伏特量，可以叫电压、电位、电平；
但是，在任意两个节点之间（不包含0V参考节点）的电压差，我们就习惯叫电压，此时就不能再叫电位、电平了，当然可以叫电位差、电平差；

Ⅲ 三极管单级放大电路图

请问您是要放大电压信号还是电流信号？
对输入电阻、输出电阻、信号带宽都有版那些要求？

8050是NPN管，权8550PNP管，参数相同

参数：
耗散功率0.625W（贴片：0.3W）
集电极电流0.5A
集电极--基极电压40V
集电极--发射极击穿电压25V
特征频率fT 最小150MHZ 典型值产家的目录没给出
按三极管后缀号分为 B C D档 贴片为 L H档
放大倍数B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

Ⅳ NPN放大10倍的电路图

R1、R2、R4组成基极分抄压偏置电袭路，同时R4担任交直流负反馈。

静态工作点：R1、R2、R4组成基极分压偏置电路，使R1上电压约为0.8V，则R4上电压为0.8-0.65=0.15V，Ic≈Ie=0.15/100=0.0015A=1.5mA，Uc=6-Ic*R3=3V。

电路所示的参数，当负电阻抗是2K时，三极管的输出负载是1K（R3与RL并联），交流负反馈电阻R4是100，因此电压放大倍数约是1K/100=10。

由于这是一个简单的单管放大电路，所以它的放大倍数随负载电阻的变化而变化。

Ⅳ 三极管PNP放大150倍的电路图

实用电路见下图。三极管应选用β值大的，例如BC859CLT1G（β=420~800），但不要用那种β值超大的复合管版，因为权电源电压只有3V。

具体的Rb取值要根据实际β值确定，要使无信号时的三极管集电极电压Vc=1V左右。

Rc=67Re可使放大倍数为66倍。

Ⅵ 请问基本放大电路有几种分别是什么特点 图上是哪种

您好：
一、基本放大电路有以下几种：
按放大信号分类，
电压放大，电流放大，功率放大。
按工作状态类型分类，
A,B,C,D或甲乙丙丁类放大器。
按BJT或FET的连接方式，
有共基、共射、共集，放大电路。
A、共发射极特点：
1. 放大电路的核心元件晶体管工作在放大状态，即要求其发射结正偏、集电结反偏。
2. 输入回路的设置应当使输入信号耦合到晶体管的输入电极，并形成变化的基极电流Ib，进而产生晶体管的电流控制关系，变成集电极电流Ic的变化。
3. 输出回路的设置应当保证晶体管放大后的电流信号能够转换成负载需要的电压形式。
4. 信号通过放大电路时不允许出现失真。
B、共集电极特点：
电压增益（放大倍数）共集电极放大电路小于1但近似等于1，输出电压与输入电压同相位，输入电阻高、输出电阻低。虽然共集电极放大电路的电压增益小于1，但是它的输入电阻高，当信号源（或前极）提供给放大电路同样大小的信号电压时，由于具有较高的输入电阻，使所需提供的电流减小，从而减轻了信号源的负载。
C、共基极特点：
共基极放大电路的输入电阻很低，一般只有几欧到几十欧，但其输出电阻却很高。另外，共基放大电路允许的工作频率较高，高频特性比较好，所以它多用于高频和宽频带电路或恒流源电路中。

二、上图是一个共射放大电路！
至于具体特点，请参见http://ke..com/link?url=EoIQWYBJT_m9oox_ekLmsu2ESe_-EOXmH1MrUVO_
望采纳。

Ⅶ LM358放大电路，有图，求解

你的电路有问题，输入那里加一个100k电阻，前面再加个电容微信号输入，把电源加个100k接到3脚就ok了。呵呵

Ⅷ 晶体管放大电路的图解法

楼主问题意思是：假设晶体管工作在放大区，由近似分析得到IBQ，用T输出特性曲线和输出回路负载线以及IBQ得到的交点却又恰好可能在饱和区，这样的前后矛盾。
如果楼主意思是我所描述的，
那么
第一：图解法是最为准确的解法，精度取决于你晶体管输入、输出特性曲线的测试。
图解法整个流程应该是：
输入回路负载线与T输入特性曲线交点求出IBQ，
再由输出特性曲线以及输出回路负载线及IBQ读出晶体管是工作在什么状态，以及UCE和ICQ
这样精度是高，但是测试输入输出特性曲线的过程麻烦。
第二：近似分析
假定T是在放大区，IC≈βIB（忽略了一些因素所得，学半导体原理的同学才能完全搞清楚，我也不懂，学模电更多是学怎么用，及知道怎么近似，近似是忽略什么）
UBE≈0.7V（其实是在0.7V左右，如果输入回路直流电源够大，可以直接将UBE压降看成0.7V，如果电源更大，甚至可以忽略，这是看你要的精度）
再结合输入回路电路图即可求出IB，
再求出IC，
结合输出回路电路图即可求出UCE。
结合UCE判断你的假设正不正确。
这样能快速分析晶体管的状态，但是存在着一定无处，有可能分析出来的结果在临界饱和或者截止附近，容易判断出错。如果是这种情况的话，要么还是用图解法再分析一次，要么就用上你的电表测试吧。
个人觉得，楼主是将两种方法混在了一起（也不是说不能这样），但你既然用了近似分析，就要承担近似分析带来的误差，如果出现楼主所描述情况，最好就单纯图解法，或者实际量一下。
来自一个模电初学者的理解。。。。
老司机们轻喷。。。。
（PS：楼主最后结合图解得出ICQ，UCE和直接输出回路分析得出ICQ，UCE是一样道理，如果得出UCE小于UBE（小的程度大一点，那么误差可以忽略），认为就是在饱和区了）

Ⅸ 最简单的三极管放大电路图

这是一个典型的三极管放大电路.从上面可看出电流的流向.各偏置电阻的作用.