场效应管驱动电路图

1. 这样的电路可以驱动场效应管栅极吗

不可以，关键是Q2Q4集电极没有形成电流回路而不能工作；
或需要在两个三极管上并联电阻，作为集电极电阻；

2. 场效应管5V驱动12V直流电机问题

仿真是没问题的，但实际使用中会有很多问题：
由于电机是电感性负载，必须在其两端加续流二极管（负极接电机上端，正极接电机下端），而且电流要足够，否则在MOS管关断时电机产生的感应电压会击穿MOS管。
5V控制电压过低，MOS管可能不完全导通，会造成MOS管过热损坏；一般这个电压可选在10-12V左右。此电路中可以用5V控制信号通过三极管或运放电路等把12V电压加到G极来控制MOS的导通。
至于电机功率，要看你MOS管的散热条件，条件足够好的话，控制到20-30A的电流没问题。

3. 用场效应管作调整管做稳压电路驱动直流电机，但又要是能控制停止和启动的开关

用功率三极管S8050，若用MOS管的话就用功率场效应管IR2104S ，可以做成H桥式

4. 四个场效应管驱动电机谁给我个电路图

四个场效应管驱动一个电机共有两种电路、其中上图是直流电机正反转控制电路。只要将图中1和1、0和0对角两个基极并连后引出两条控制线,分别输入0(接地)和1(10V)就可以控制直流电机正/反转。

另外一种是五线二相步进电机底边驱动电路,不知你要的那一种

5. 如图是功率场效应管的驱动电路，如果用在高边驱动该怎么改动啊

采用“自举”的方法提升门极电压，使之达到400V+Vcc的数值。
但是驱动模块本身耐压必须达到这个数值，用分立元件自己搭接很不方便，建议选用现成电路如IR2110集成块，就是专门实现你这样要求的。

6. 这比较器电路驱动场效管电路图对吗

1）电路图中没有场效应管；
2）比较电路中，并没有固定的基准电压作为参照，你的比较器功能是什么；

7. 场效应管和可控硅驱动电路一样吗

<p>他们的驱动电路是有本质上的区别，首先场效应管通常分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管，可控硅通常分为单向可控硅和双向可控硅（可控硅也叫晶闸管，可分单向晶闸管和双向晶闸管），其中绝缘栅型场效应管也叫MOS管（有一种场效应管、三极管混合的器件叫IGBT俗称门控管，该器件的驱动电路与场效应管的驱动电路几乎一样），这种驱动属于电压驱动，在大多应用在功率输出、电力变换等场合，要求最好采用PWM（脉宽调制）信号来控制，其输入到栅极的方波上升沿要求陡峭（也称图腾柱输出），并且要有一定的瞬态驱动能力（因为场效应管的栅极等效一个电容，当驱动信号的瞬态功率不够时，其原本的波形将被改变，通常等效为一个积分器），要求导通时，其栅极电压要相对于源极高10-20V左右，典型值15V，而关断时为了保证场效应管关断可靠，该电压此时应该为-15V，在实际应用中为了减小场效应管的功耗过大或防止其损坏一般要加如过流保护和相关吸收电路，并且尽量做到场效应管的工作频率与负载的谐振频率相同，典型应用就是电磁炉，流过炉盘（加热线圈）的电流与流过吸收电容的电流各自虽然都很大，但相位不同，互相抵消，经叠加后的总电流较小，即流过场效应管（实际用IGBT）的电流较小。下图为场效应管的典型驱动电路：</p>
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<p>而可控硅属电流驱动，因为他等效于两个三极管构成正反馈放大，当有一个触发信号后，由于强大的正反馈作用，使之一直导通，当栅极电压高于阳极电压或者阳极、阴极电压差小于一定数值时正反馈才会失效，即可控硅被复位，一般情况下，其栅极电压不会高于阳极，所以可控硅属于不可关断的半控器件，当触发导通时无法通过栅极关断，而场效应管属全控器件可以通过栅极关断。下图为可控硅结构及其典型驱动电路：</p>
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8. 场效应管驱动电路和发热的问题

烫不烫不仅要看电流，还要看ds极间电压，如果负载很重（就是导通时电阻比较小），那么场效应管ds极间电压较高，肯定发热，建议重新检查电路，交流220整流滤波后可达300V，不知你的负载需要多少伏，可再连通电路测下负载和场效应管的电压,还有，不知你滤波没，滤波电容容量不够也可能造成场效应管发热