电路mos管

Ⅰ 怎么看一个mos管电路

这里场效应管肯定是起着开关作用，至于说电平转换，真的没必要如此浪费资源，用电阻就可以了。而这样构成电路，估计是要多个相同IIC设备，却无法改变其相同的地址，就只能是采用开关电路来切换了；

Ⅱ 电路中MOS管损坏问题

很简单。
2，体积小，MOS输入阻抗，低噪音，低功耗，易于集成。问题的关键是，这些性能比晶体管三极管的管损过大，效率低下。
3，虚，虚短虚断是指类似虚拟地看看后面的话是不实际的接地性能类似地，虚短是不是短路表面上，但性能类似短路，虚拟网球公开赛实际上并不开路，但性能是类似的断开。虚短虚断的运算放大器电路的条件下，运算放大器的线性区，分析，看是否引入电压负反馈运算放大器，电压负反馈的线性区域。
4，微变等效电路是低频率的晶体管特性的模型研究动态的，具体的，复杂的，大量的微分方程，网络是不可能说清楚的，试图读取。
使用此模型中，放大器电路的动态参数，可以进行分析，如动态电阻RBE输入电阻输出电阻，放大倍率，等。

Ⅲ 求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。

常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。

(3)电路mos管扩展阅读：

MOS管应用

1、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

Ⅳ 请教：MOS管做开关电路

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要回由栅源电压uGS决定其答工作状态。

MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。

MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:

当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；

同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；

所以，G极就是控制极；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

Ⅳ mos管在电路中应用

起到开关的作用

Ⅵ 请教：MOS管做电子开关电路

电路错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于PNP型三极管，对P三极管来说，E接电源入，C接控制输出，同理如上。