电路图偏移

A. 叠后偏移( 自激自收记录剖面的偏移) 的基本原理

(一)叠后偏移的基本概念

叠后偏移在水平叠加之后进行，一般认为水平叠加剖面相当于自激自收记录剖面，故叠后偏移又称为自激自收记录剖面的偏移。可以从以下三个方面理解叠后偏移的概念。

图4-29 偏移的反射分析

从反射的观点讨论。当地下界面水平时，由地下反射点R₁、R₂反射的波在自激自收剖面上的位置(经时深转换后)R'₁、R'₂与原反射点一致(图4-29a)，自激自收剖面上的界面位置与真实界面一致。当界面倾斜时，由R'₁、R'₂点反射的波在普通剖面上则绘于自激自收点O₁、O₂的正下方，经时深转换后为 (图4-29b)。由图可见，自激自收剖面上的视界面 在长度、位置、倾角等方面均不一致。通过简单的几何运算，可以得到它们之间的数量关系。当构造复杂时，自激自收剖面上的视界面由于位置不正确可能产生能量会聚、空白或干涉等现象，使记录复杂化(图4-30)，影响解释工作的进行。所谓偏移处理，就是将自激自收剖面上的同相轴恢复其原来的正确位置，同时使干涉带自动得到分解，剖面面貌变得清晰。

图4-30 反射界面位置不正确造成能量会聚，空白或干涉

从广义绕射的观点讨论。地下界面上的每—点均可认为是一个绕射点，它们在入射波的激励下会向界面上方辐射广义绕射波。地下一个绕射点对应到记录上就是一条绕射双曲线，即一大片，这正是一个模糊化过程。由于真实界面由许多绕射点所组成，它们都辐射绕射波，自激自收剖面上的视界面是所有这些绕射波双曲线的公切线，其位置与双曲线顶点连线不一致，发生了偏离(图4-31)。偏移处理就是将绕射波能量正确地会聚于其双曲线顶点，结果能量收敛、模糊化消除、界面也自然恢复到其真实位置处(即双曲线顶点连线位置)。

从波场分析的角度来看，可以将偏移处理过程看作为自激自收剖面形成的反过程。众所周知，波场函数既是时间变量的函数，又是空间变量的函数，地下任何一点处均存在着波场，地震记录仅是地面处的波场值。偏移处理也就是将已知的地面波场值(自激自收记录剖面)作为边界条件反过来求地下各点处波场值的过程。要想得到地下各点波场值可以将检波器放置在地下这些点处进行记录，但是这是办不到的，只能借助于数学运算的方法，计算出地下各点波场值。因此，偏移处理就相当于将检波器不断地向地下移动的过程，故也称之为延拓或波场外推。

图4-31 偏移的绕射分析

以上从三个方面讨论了偏移处理的概念。实际上，它们是一致的。数学上可以证明;一个反射界面上各点形成的广义绕射波在地面上被记录下来时，其绕射双曲线顶点的连线与真实地下界面一致，而该绕射双曲线族的公切线与用反射观点算出的视界面一致。延拓意味着检波器与地下界面距离越来越近，即界面深度越来越小。可以证明:当界面深度越来越小时，用反射观点算出的地下反射点的纵向和横向偏离都越来越小，广义绕射波主要能量分布范围也越来越小。

上述讨论是针对自激自收剖面偏移而言的。实际上，其思想完全可用于非自激自收剖面的偏移，仅在具体计算上作微小变动，例如采用反射、绕射观点计算时，需将炮点、检波点分开，以计算界面偏离情况和绕射双曲线，延拓时需将炮点、检波点同时向下延拓等。

(二)爆炸反射面模型和成像原理

自激自收记录剖面偏移计算中有一个十分重要的模型，即爆炸反射面模型。根据这一模型，地下反射界面上任一点都是一个震源，它们发出的波以相当于介质速度一半大小的速度向上传播，在地面上被接收到就组成了自激自收记录剖面。

延拓是偏移处理中的重要概念，但仅延拓还不够。延拓的结果得到地下各点处波场值，仍然是时间的函数。偏移处理要得到的是地下介质清晰的“原像”，它与时间无关，只是空间坐标的函数。为了要从延拓的结果中得到需要的“像”，必须利用成像原理。分析在t=0时刻观测到的由爆炸反射面激发的波前形状，因为这时没有时间流逝，所以尚未发生波的传播，故波前的形状一定与激发它的反射面的形状相同。t=0时刻的波前形状对应于反射界面形状这个事实就称为成像原理。因此，只需从延拓的结果(地下各点的波场)中取出地下各点处零时刻的波场值就组成了所需要的“像”。

(三)横向分辨率的讨论

横向分辨率是指用地震记录沿横向所能分辨的最小地质体宽度，此宽度越小，则横向分辨率越大。

根据惠更斯原理，地震工作中地表某一点接收到的不是来自地下界面上某一“点”的反射，而是一小块界面上所有点作为次生源发出的绕射波相长干涉的结果。这个能产生次生绕射波相长干涉的小块“面”称为第一菲涅耳带。横向尺度小于第一菲涅耳带的地质体是无法分辨的。因此，第一菲涅耳带的大小是判别横向分辨率大小的重要尺度。

图4-32 第一菲涅尔带的计算

水平界面、自激自收条件下的第一菲涅尔带大小很容易计算(图4-32)。通常认为相位差小于二分之一个波长就能产生相长干涉。由于是自激自收双程旅行时间，故图上标明的为四分之一个波长。由图可知第一菲涅尔带半径为

地震勘探

式中:h为界面深度;λ为波长。因此，当波长λ固定时，第一菲涅尔带的大小由界面深度h决定。偏移处理中，不断地将检波器向地下延拓，同一界面距检波器的距离越来越小，第一菲涅尔带越来越小，故横向分辨率越来越高。还可从前述偏移概念的绕射观点出发讨论横向分辨率问题。地下一个绕射点反映在地面记录上是一大片，即横向“模糊化”了。从理论上说，虽然绕射波可向任何方向传播，但能量主要集中在绕射双曲线顶点附近。若忽略掉那些振幅衰减超过-20dB的能量，则绕射波分布范围为 式中各量的意义同(4-64)式。它的推导较为复杂，这儿就不赘述了，但得到的结论与前述一样，即延拓可以减小界面深度h，从而也就减小了绕射波主要能量部分在地面分布的范围，提高了横向分辨率。

当h=0时，即将检波器置于界面处时能得到最高的横向分辨率记录，将检波器置于界面处的记录正是前述的延拓和成像，也就是偏移处理的结果，所以能达到最高横向分辨率。

实现叠后偏移的方法很多，如基于几何地震学的绕射扫描叠加，基于波动方程的有限差分偏移、频率波数域偏移和克希霍夫积分偏移等。本节主要介绍使用最为广泛的15°有限差分偏移并兼顾其他方法。

B. 如何生成一个幅度为5V 偏移2.5V(OV--5V)频率为20K以上 的三角波 谢谢 需要电路图

如图是一个线性三角波产生电路，三角波的频率由R2、R3、C2决定，f≈0.33/(R2+R3)C2，电阻的单位取KΩ，电容的单位取uF，频率的单位取KHz，图中的频率约100KHz，至于你需要多高的频率，你可以自行计算。

调节R4可以改变三角波的幅度，调节R6可以改变三角波的直流偏移量,如果嫌偏移量的范围过小可以适当地加大R9的阻值，运放你可以自行选择一些标准的运放,如TL084、4558等等。希望对你有帮助！

C. 在微机原理中，偏移量是什么意思

你说的是不是偏移地址啊？

偏移地址
定义:偏移地址就是计算机里的内存分段后,在段内某一地址相对于段首地址(段地址)的偏移量.
如8086存储系统中 20位的物理地址(就是数据存储的实际地址)=16位的段地址*16+16位的偏移量
例如一个存储器的大小是1KB,可以把它分为4段，第一段的地址范围就是0—255，第二段的地址范围就是256-511，依次类推。。这些段内的偏移地址就是在0-255的范围内的。

D. altium designer打印原理图时部分字符异常向左向下偏移

你打开preferences-----schematic-----Graphical---将convertspecialstring打勾试试希望可以帮到你

E. 图中的施密特触发器电路中，电平偏移电路是怎样工作的，求解释

这里电平偏移也叫电平位移，主要是通过二极管的0，7V的导通电压来进行的；版
这样，T2集电极电压，经过权T3、D5后，就降低了1.4V；
要使T4、T5导通，T4基极电压就需要1.4V，如果T2集电极输出高电平也取1.4V，那么T3、D5就不需要了。可是这个电压不足以保证T1、T2正常工作，因此才出现T2集电极到T4基极之间出现电压差，就需要做电平移位。

F. 各向异性叠前时间偏移原理

各向异性双平方根旅行时叠前时间偏移方程可以写成

三维三分量地震勘探

式中:I是成像点;t(=t_c)是时间深度;W是加权函数;b是从中点到成像点的偏移距;u是输入数据。三维PKTM(克希霍夫叠前时间偏移)能够使三维转换波在空间任何位置准确成像。图4.6.2说明了共成像点(CIP)、炮点和接收点之间的空间关系，来自同一炮－检对数据道的能量根据散射旅行时方程(4.6.8)分配到空间所有可能的成像位置，所有炮点、检波点对数据道的能量依据射线路径累加到该成像点位置。

G. 如何消除运放偏置电流问题

首先，理解下偏执电流的概念：

运放两个输入端偏置电流的平均值，确切地说是运算放大器工作在线性区时流入输入端的平均电流。用于衡量差分放大对管输入电流的大小。

运放偏执电流消除应为正负端输入阻抗相同，这样偏执电流造成的影响才能消除，请看下面具体介绍：

您会为了匹配您运算放大器电路的输入 DC 电阻而添加一个电阻器吗？请看下图所示电路。我

Rb 产生的热噪声以及这种高阻抗节点的潜在外部噪声拾取，可能是不使用 Rb的其他原因。由于输入偏置电流的误差最小，为什么要给电路增加更多潜在的噪声呢？有时，我们可能会需要使用偏置电流消除电阻，而且它也是一种有效的方法。但是，许多电路并不会明显受益，甚至会出现性能下降的情况。

H. 什么是偏移量！

计算机汇编语言中的偏移量定义为：把存储单元的实际地址与其所在段的段地址之间的距离称为段内偏移，也称为“有效地址或偏移量”。

段地址左移四位，与有效地址相加，就构成了逻辑地址。一般而言，段地址是cpu自己独立编制的，但是偏移量是程序员编写的。偏移量就是程序的逻辑地址与段首的差值。

在早期的8086中地址线是20位的，而段地址是16位。在十六进制下就是4位。这样一个段寄存器就不能完整的描述出内存的地址。所以就和通用寄存器配用。偏移量存在通用寄存器中，段地址则存在段寄存器中。

(8)电路图偏移扩展阅读

偏移量是16-bit的，因此，一个段是64KB。偏移量存在通用寄存器中，段地址则存在段寄存器中。而地址首的五位（十六进制下，二十地址线是五位）有个特点，即末尾总是零，所以就取前四位当做段地址。正好是段地址的存储空间大小。

在实模式中，内存比保护模式中的结构更令人困惑。内存被分割成段，并且，操作内存时，需要指定段和偏移量。

段-寄存器这种格局是早期硬件电路限制留下的一个伤疤。地址总线在当时有20-bit。然而20-bit的地址不能放到16-bit的寄存器里，这意味着有4-bit必须放到别的地方。因此，为了访问所有的内存，必须使用两个16-bit寄存器。

I. 电路图示意图一个圈中一个"～"是什么VIN一端接地，我知道是信号，但具体什么信号

信号叠加，交流信号上加了2.5v的直流偏移