电路图VGS

① 麻烦各位大神帮忙看看下面开关电源电路图

18V稳压管是MOSFET开关管来的栅极自保护元件，防止栅极电压过高损坏MOS管。开关电源开关管的栅极（或基极）都是脉冲，关注它的直流电压没有太大意义，用万用表量基本上都接近0V。R102和C103是根据开关频率、开关管漏极的最高电压限制的要求等因素计算取值的。R106、R107、VT101对开关管的最大电流（也就是变压器初级的最大电流）进行限制，R105是电流取样电阻，当其上的电压达到使VT101导通的程度时，VT101导通，开关管使进入判断阶段。

② 求解mos管的原理啊。。

不用管这个符号，市面上的MOS一般分为NMOS和PMOS两种，NMOS都是VGS给正电压DS才导通，PMOS都是VGS给负电压SD导通的。没有不给电就导通的。

③ 模电中场效应管的自偏置电路的电路图和原理是什么突然忘记了=_=，求大神解答

利用源极电流与源极电阻产生的压降，加于Vgs端（多用于耗尽型声效应管）。

④ 如何用单片机5v控制24v3A电路的通断，手上有IRF540N。求一个详细的电路图！感激不尽

IRF540N阈值电压Vgsth典型值:4V，保证其工作在开关状态，要求VGS至少大于4.5以上（跟所需求的负载电流有专关）。

5v单片机的输出属口接口高电平，当负载电流小于10uA时输出电压为4.5V，当负载电流300uA时输出电压为3.75V。

因此如果要用IO口直接驱动IRF540N，需保证IO口负载电流在10uA以下才符合工程设计的需求。给出示意图，供参考

⑤ 有没有低压驱动MOS管Vgs=1.2V。

BSP75N VIgs(th）=1.8V

再小的话非常容易误动作。

你那个图，M不是mos，1.2V/600mA应该是描述额定工作状态，跟MOS管的VGS没关系的，再说，你图上Q4是个三极管。

⑥ MOS管中VGS的作用

pmos
管的vgs
同样也有正和负。
mos
管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds
的耐压承受力。
比如说+12v
是开启mos,
-5v
是关闭mos。
是不是你对地的概念有困惑？

⑦ 【模拟电路】结型场效应管的问题，如图，为什么电路简图的极性是那样的。。以左边的n型为例，Vgs≤0

图上Vgs>0只能说明空间耗尽区厚度减小，更易于沟道中的电子导电。。。。Vgs>0才会是空间耗尽区增厚，，才会有后来的分析

⑧ 带场效应管的电路中VDS和VGS，准备将下图的电路图进行仿真，不明白图中VGS和VDS应放置何种元器件，谢谢！

放电压表也可以，放示波器也可以，一般来说那个地方仿真一般都是要看波型，都是放示波器

⑨ 2.图三（2）所示电路中，已知VGS=-2V，IDSS=4mA，VGS（off）=-4V，试分析计算ID和电阻RS1的值。

你好！
我不会~~~但还是要微笑~~~：）
仅代表个人观点，不喜勿喷，谢谢。