先导集成电路

Ⅰ 集成电路先导工艺与仪器装备技术，集成电路与系统设计技术，高性能器件与电路集成技术

高性能器件与电路集成技术，射频、微波器件与电路集成技术，新型纳米器件与集成技术，三维集成与系统封装技术，这几个方向是跟世界差距比较大的，也是国家很紧迫要解决的，将来的发展空间会比较大。

Ⅱ 中国22纳米技术概念股有哪些中国22纳米技术相关股票名单

摘要：中国22纳米技术概念股 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心（以下专简称先导工艺研发属中心）通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破。中国科学院微电子研究所与长电科技（600584）、通富微电（002156）、华... 中国22纳米技术概念股 中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心（以下简称先导工艺研发中心）通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破。中国科学院微电子研究所与长电科技（600584）、通富微电（002156）、华天科技（002185）、深南电路有限公司等共同投资设立华进半导体封装先导技术研发中心有限公司，综艺股份、北京君正是CPU企业。 中国22纳米技术概念股一览： 长电科技（600584） 通富微电（002156） 华天科技（002185）让更多人知道事件的真相，把本文分享给好友：更多

Ⅲ 中国微电子所在finfet工艺上的突破有何意义

中国微电子所在FinFET工艺上的突破有何意义？
本文作者：铁流 2017-01-05 10:40
导语：利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏（MSD），将N/PMOS器件性能提高大约30倍。
按：SOI技术作为一种全介质隔离技术，可以用来替代硅衬底。为何FinFET会成为主流，即便是掌握了22nm FD-SOI工艺的格*还是购买了三*的14nm FinFET技术授权呢？本文将会解析：新型FinFET逻辑器件工艺突破到底有什么影响？
最近，中国微电子所集成电路先导工艺研发中心在下一代新型FinFET逻辑器件工艺研究上取得重要进展。微电子所殷华湘研究员的课题组，利用低温低阻NiPt硅化物在新型FOI FinFET上实现了全金属化源漏（MSD），能显著降低源漏寄生电阻，从而将N/PMOS器件性能提高大约30倍，使得驱动性能达到了国际先进水平。

基于本研究成果的论文被2016年IEEE国际电子器件大会（IEDM）接收，并在IEDM的关键分会场之一——硅基先导CMOS 工艺和制造技术（PMT）上，由张青竹做了学术报告。
那么，这个新型FinFET逻辑器件工艺是干啥用的呢?通俗的说就是下一用来制造CPU等逻辑器件的工艺，举例来说，现在14/16nm芯片大多采用FinFET工艺，而这个新型FinFET则是国内对下一代工艺的有益探索。
| FinFET和SOI
在介绍微电子所开发出的新工艺之前，先介绍下FinFET和FD-SOI工艺。

FinFET 中的 Fin是指鳍式，FET是指场效应晶体管，合起来就是鳍式场效应晶体管。在FinFET问世前，一直在使用MOSFET，但由于当栅长小于20nm的情况下，源极和漏极过于接近且氧化物也愈薄，这很有可能会漏电现象。
因此，美国加*伯*分校胡正明、Tsu-Jae King-Liu、Jeffrey Bokor 等三位教授发明了FinFET，把原本 2D 构造的 MOSFET 改为 3D 的 FinFET，由于构造很像鱼鳍，也就得名“鳍式”。
2015年，胡正明教授凭借在FinFET上的贡献荣获美国年度国家技术和创新奖。根据胡正明教授本人的介绍，FinFET实现了两个突破：一是把晶体做薄并解决了漏电问题，二是向上发展，晶片内构从水平变成垂直，也就是把2D的MOSFET 变为 3D 的 FinFET。
而这种做法有怎样的效果呢？
台*就曾表示：16nm FinFET工艺能够显著改进芯片性能、功耗，并降低漏电率，栅极密度是台*28nm HPM工艺的两倍，同等功耗下速度可以加快超过40％，同频率下功耗则可以降低超过60％。
值得一提的是，被三*挖走的前台*员工梁孟*的博士论文指导教授就是胡正明，想必这也是三*能够在14nm FinFET上实现大跃进的原因之一吧。
相对于在晶体管上做文章的FinFET，SOI工艺则着眼于晶片底衬。
SOI （Silicon-On-Insulator绝缘体上硅）是指绝缘层上的硅，是一种用于集成电路集成电路的供应商制造的新型原材料。SOI技术作为一种全介质隔离技术，可以用来替代硅衬底。FD-SOI就是在衬底上做文章，在晶体管相同的情况下，采用FD-SOI技术可以实现在相同功耗下性能提高30%左右，或者在相同性能下，功耗降低30%左右。
根据格*公布的数据：
22nm FD-SOI工艺功耗比28nmHKMG降低了70%；
芯片面积比28nmBulk缩小了20%；
光刻层比FinFET工艺减少接近50%；
芯片成本比16/14nm低了20%。
如果格*发布的数据属实，那么，22nm FD-SOI拥有堪比14/16nm FinFET的性能和功耗，但芯片的成本却与28nm相当。而且格*还表示：若是将制程提升到14nm，相对于28nm SOI的会有35%的性能提升，功耗也会降到原来的一半。

Ⅳ BOSA TOSA ROSA有哪些公司在做啊

武汉驿天诺科技有限公司就是主做TOSA/ROSA的。

驿天诺是与中科院西安光机所光电子集成电路先导技术研究院合资创办，产品涵盖了光电芯片、光组件、子系统和自动化生产与测试设备。

Ⅳ 陕西光电子集成电路先导技术研究院有限责任公司怎么样

简介：陕西光电子集成电路先导技术研究院是国内首家以光电子集成电路为发展方向，回集该领域国答家战略智库规划、国际前沿产业化技术研究、高端创新创业人才引进、创业投资与孵化为一体的创新机构。由中科院西安光机所发起创立，旨在建成国内光电子集成电路战略智库，广泛统筹科技资源，充分调动和利用陕西省光电子集成电路领域优势技术和产业基础，引进一批国际级领军人才、孵化一批参与国际竞争的科技企业。
法定代表人：张思申
成立时间：2015-10-29
注册资本：19010万人民币
工商注册号：610131100231034
企业类型：其他有限责任公司
公司地址：陕西省西安市高新区上林苑一路15号

Ⅵ 武汉驿天诺科技有限公司怎么样

简介：武汉驿天诺科技有限公司是东隆科技集团和中科院西安光机所光电子集成电专路先导技属术研究院合资创办，公司专注于集成光电子技术和硅光技术，是光通信领域的高科技公司。驿天诺公司依托东隆科技集团全球研发资源，以及中科院创新技术体系资源，作为核心光器件供应商，为客户提供光电芯片、光组件、子系统到自动化生产与测试综合解决方案。
法定代表人：肖娜
成立时间：2009-04-01
注册资本：1000万人民币
工商注册号：420100000136286
企业类型：其他有限责任公司
公司地址：武汉市东湖新技术开发区光谷三路777号

Ⅶ 中国科学院微电子研究所的介绍

中国科学院微电子研究所，前身为成立于1958年的原中国科学版院109厂。1986年，109厂与中国科学院半导体研究权所、计算技术研究所有关研制大规模集成电路部分合并为中国科学院微电子中心。2003年9月，正式更名为中国科学院微电子研究所。1中国科学院微电子研究所是一所专门从事微电子领域研究与开发的国立研究机构，是中国科学院微电子技术的总体和中国科学院EDA中心的依托单位，主要研究方向为：①集成电路先导工艺与仪器装备技术；②集成电路与系统设计技术；③高性能器件与电路集成技术；④射频、微波器件与电路集成技术；⑤三维集成与系统封装技术；⑥新型纳米器件与集成技术；⑦物联网与传感器技术。12截至2014年底，中国科学院微电子研究所设有12个从事应用技术研究的研究室和2个从事前沿基础研究的重点实验室；共有在职职工1061人，其中科技人员819人、科技支撑人员203人，研究员及正高级工程技术人员72人、副研究员151人、高级工程技术人员64人；共有在学研究生293人（其中硕士研究生164人，博士研究生125人，留学生4人），有研究生导师117人（其中博士生导师44人，硕士生导师73人）。

Ⅷ 有什么技术是中国完全自主研发的

1、集成电路先导技术

在集成电路装备专项实施前，国内集成电路制造最先进的量产工艺为130纳米；专项实施后，我国的主流工艺水平提升了5代，其中55、40、28纳米三代成套工艺已研发成功并实现量产，更先进的22、14纳米先导技术也在研发上取得突破，形成了自主知识产权。

2、自动冲压线技术

我国依托“高档数控机床与基础制造装备”专项，大型汽车覆盖件自动冲压线等10多类设备已达到国际领先水平，完全可实现进口替代。

3、油气开发技术

在油气专项的技术支撑下，我国建成了全球除北美之外的第一个商业性开发页岩气田——重庆涪陵页岩气田。

4、新药研发技术

2017年5月18日，在新药创制重大专项的支持下，国际顶尖学术期刊《自然》在线发表了我国科学家关于胰高血糖素受体和胰高血糖样肽—1受体的两项最新研究成果，为治疗Ⅱ型糖尿病和肥胖症的新药研发指明了方向。

5、转基因技术

在转基因重大专项的支持下，我国的转基因育种整体研发进入国际先进水平。

2008年以来，我国育成转基因抗虫棉新品种168个，累计推广4.2亿亩，减少农药用量60%，增收节支470多亿元，已成为拥有自主知识产权的转基因棉花研发强国；抗虫转基因水稻研究国际领先，自主创新能力显著提升，获得专利1269项，专利总数仅次于美国、居世界第二位。

Ⅸ 集成电路先导工艺研发中心怎么样

研究室简介：集成电路先导工艺研发中心围绕集成电路先导工艺技术研究，致力于CMOS前沿工艺技术、MEMS器件与集成技术研究、新原理的微细加工技术和设备研发，拥有一条完整的CMOS/MEMS工艺线和雄厚的工艺研发力量，是我国集成电路前沿研究领域的中坚力量，在CMOS器件成套工艺，MEMS制造技术和器件应用等方面做出了多项代表国家集成电路工艺研究水平的成果。
研发中心现有一支结构合理，老、中、青三代相结合、朝气蓬勃的科研团队。实验室有固定在编人员80余人，包括研究员15人，副研究员及高级工程师10人，流动人员及在学硕士、博士研究生40余人，现任实验室主任为陈大鹏研究员。
研发中心拥有一个净化面积达300平米的4英寸Mini CMOS工艺研发实验室和一个净化面积2200平米的8英寸CMOS先导工艺研发平台，具备国内一流的CMOS/MEMS器件加工及工艺整合环境，是一个功能完善的从事纳米尺度新型CMOS/MEMS器件与工艺研究的开放研发基地。
研发中心现有两个主要研究方向，即CMOS先导工艺技术研究，MEMS器件与集成技术研究。
该中心的目标是发展成为一个既能开展亚50纳米以下节点的CMOS工艺模块研究，也能满足MEMS工艺研究的多目标科研平台，并在此基础上，成为一个基于专业化技术协作，并能提供成熟的IC工艺模块和对外服务功能的MEMS制作工艺及IC集成技术平台，促使CMOS/MEMS技术走向市场化和实用化。