雪崩电路

① 求一款三极管，要求雪崩电压较低，最好不超过30V， 但是在150V的情况下正常工作，用于下面的电路图中

你这个三极管当二极管用，用雪崩二极管（8V以上稳压二极管）就可以了，三极管BC结击穿电压在30V一下的很不好早。一般参数都是表示击穿电压大于多少，但是即使最低规格的也不敢保证30V以下雪崩。

② 请教气体放电二极管和雪崩二极管、TVS的区别

看你问的几个问题就知道你想了解保护二极管的区别以及应用针对性。
首先气体放电二极管主要针对瞬间比较大的电流，可以用于防止信号回路中随机出现的高压冲击。而雪崩二极管和TVS(Transient Voltage Suppresser瞬态电压抑制器)主要用于ESD（Electrostaics Discharge，静电放电）防护，电流相对较小，持续时间很短。

以下是这些器件的一下工艺说明：

陶瓷气体放电管是在放电间隙内充入适当的惰性气体介质。配以高活性的电子发射材料及放电引燃机构，通过贵金属焊料高温封接而成的一种特殊的金属陶瓷结构的气体放电器件。它可用于瞬间过电压防浪涌，也可用作点火。其高阻抗、低极间电容和高耐冲击电流是其它放电管所不具备的。当线路有瞬时过电压窜入时，放电管被击穿，阻抗迅速下降，几乎是短路状态。放电管将大电流通过线路接地或回路泄放，也将电压限制在低电位，从而保护了线路及设备。当过电压浪涌消失后，又迅速的恢复到≥109的高阻状态，保证线路的正常工作

雪崩二极管就是利用二极管反向击穿的雪崩效应。

TVS(Transient Voltage Suppresser瞬态电压抑制器)二极管等ESD保护器是近几年发展起来的一种固态二极管,专门用于ESD保护.TVS二极管是和被保护电路并联的,当瞬态电压超过电路的正常工作电压时,二极管发生雪崩,为瞬态电流提供通路,使内部电路免遭超额电压的击穿或超额电流的过热烧毁.由于TVS二极管的结面积较大,使得它具有泄放瞬态大电流的优点,具有理想的保护作用. 改进后的TVS二极管还具有适应低压电路(<5 V)的特点,且封装集成度高,适用于在印制电路板面积紧张的情况下使用.很低的箝位电压,经过多次ESD过程后不会劣化.这些特点决定了它有广泛的适用范围.

③ 这个电路图到底该怎么看，已经把三极管的知识忘得差不多了 最近各种恶补 初态各个雪崩三极管处于截止状态

■■抄 Marx发生器,又称冲击电压发生器,是一种广泛使用的脉冲能源装置,以高储能密度、低电感的电容器组为其主体构架。
■基本工作原理是:首先将电容器组并联,对其进行充电,然后改变发生器电路结构,实现电容器串联放电,从而使电压倍加,以获得更高的脉冲电压输出。是德国人E·马克思首先研制成功的，故称电Marx路。
■具体到你的这个图，你只要这样理解：当所有三极管都截至时，电源对每个电容同时并联充电，而当第一个三极管受到尖峰信号冲击后，所有的三极管都会立即变为导通状态，此时他们上面的电压就成为串联相加状态，所以总的输出电压就增高几倍了。你的电路中有5个电容，所以应该是升高到5倍。

④ 雪崩二极管((APD)可以应用到那些领域具体一点的应用有那些,寻找高人解答,大虾,帮帮小弟

你好！
雪崩二极管就是齐纳二极管吧？zenner
diode吧？运用的电路稳压
如有疑问，请追问。

⑤ 雪崩渡越时间二极管振荡器是什么

雪崩二极管，亦称为“碰撞雪崩渡越时间二极管”。是一种在外加电压作用下可以产生超高频振荡的半导体二极管。1958年由美国W.T.里德提出，所以又称里德二极管。这类二极管有各种结构：里德结构(即P NIN )、肖特基结构(M-N-N )高-低-高结构(H-L-H)、双漂移结构（DDR或P PNN ）等。所用材料主要有硅和砷化镓。除了PN结雪崩渡越二极管外，由于其工作机理的差别，还有俘获等离子体雪崩触发渡越时间二极管，金属-半导体-金属势垒渡越二极管，隧道雪崩渡越二极管等。 雪崩二极管的工作原理是：利用p－n结的雪崩击穿在半导体中注入载流子，这些载流子渡越过晶片流向外电路。由于这一渡越需要一定的时间，因而使电流相对于电压出现一个时间延迟，适当控制渡越时间，在电流和电压的关系上会出现负阻效应，因而能够产生振荡。 雪崩二极管具有功率大、效率高等优点。雪崩渡越二极管及其功率源可达到极高的工作频率，从几百兆赫至300吉赫都可以获得一定的微波功率。特别在毫米波波段，它是现代功率最大的固体器件，可连续波工作或脉冲工作，广泛地使用于雷达、通信、遥控、遥测、仪器仪表中。。其缺点是噪声比电子转移器件稍高。用雪崩渡越二极管制成的雪崩振荡器和锁定放大器用于微波通信、雷达、战术导弹。 微波振荡器是在通信、雷达、电子对抗及测试仪器等各种微波系统中被广泛应用的重要部件之一。近年来，随着微波半导体器件的迅速发展，微波固态振荡器也得到迅速发展。 目前已有晶体管振荡器（包括双极晶体管振荡器和场效应管振荡器）、转移电子振荡器（体效应振荡器）、雪崩二极管振荡器和隧道二极管振荡器等多种形式。其中隧道二极管振荡器因输出功率小、稳定性差几乎被淘汰。体效应振荡器和雪崩二极管振荡器发展极为迅速。如雪崩二极管振荡器振荡频率可高达几百吉赫以上；输出功率最大可达几十瓦以上；脉冲峰值功率，如限累二极管振荡器可高达几千瓦；微波三极管振荡器的效率最高，可达50%。各种微波固态振荡器各有不同的特点，可根据要求来选用。在毫米波频段，广泛采用雪崩管振荡器和耿氏管振荡器，与耿氏管相比雪崩管可获得更大的功率和更高的效率。 雪崩二极管的雪崩倍增效应和渡越时间效应使得它具有负阻特性，其小信号阻抗ZD为： 式中RD、XD为雪崩管电阻和电抗； Cd、θ为漂移区电容和渡越角； La、Ca是雪崩区电感和电容； ωa是雪崩频率。 为了产生振荡，二极管的小信号电阻必须为负，而且其绝对值应大于负载电阻。当工作频率ω给定时，这一条件可以通过调节偏流密度从而改变雪崩频率来满足。随着振荡幅度I的增加，由于空间电荷对电场的影响，二极管阻抗发生变化，它是振幅和频率的函数，但由于它通常是频率的慢变化函数，所以在振荡器工作频率范围内，可不考虑频率的影响。当器件阻抗与电路阻抗满足以下条件，振荡器处于稳定振荡状态。 式中Z(ω)为电路阻抗； ZD(I)为雪崩管阻抗； 如果由于外界改变使振荡器的电抗发生变化，为了满足相位平衡，在谐振条件下，由外界因素引起的电抗的变化应该由频率变化所产生的电抗变化来补偿，假定外界的变化为Δα，则 式中R、X为电路电阻和电抗； 由此可见，回路电抗随外界因素变化率越大，频率稳定度越差；回路的有载品质因数越高，则频率稳定度越高。 一般来说，雪崩管振荡器的缺点是频率稳定度较差。

⑥ 如图利用三极管雪崩做的闪光灯，去掉两个电阻可以吗为什么电阻作用是什么

1K电阻与电容组成RC充放电（振荡）电路，没有了1K电阻组成不了振荡，三极管总是导通，发光二极管常亮。

⑦ TVS管的参数反相雪崩电压是什么意思呢

雪崩电压就是它的击穿电压。只要电压达到雪崩电压值，TVS管就会以极快的速度提供一个瞬间大电流通道，把电压钳位在它的雪崩电压值，对整个电路起到保护作用。

⑧ 怎样用半导体二极管及其电路来解释雪崩击穿、齐纳击穿、热击穿形成的原因，并说明热击穿与电击穿的异同

雪崩击穿：当加在PN结两端反向电压足够大时，PN结内的自由电子数量激增导致反专向电流迅速增属大，导致击穿。
齐纳击穿：当PN结两端加入高浓度的杂志，在不太高的反向电压作用下同样会使反向电流迅速增大产生击穿。
热击穿：加在PN结两端的电压和流过PN结电流的乘积大于PN结允许的耗散功率，PN结会因为热量散发不出去而被烧毁。
热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。

⑨ 雪崩光电二极管的主要特性

主要特性 ①雪崩增益系数M（也叫倍增因子），对突变结

式中V为反向偏压，VB为体雪崩击穿电专压；n与材料、

器件属结构及入射波长等有关，为常数，其值为1～3。②增益带宽积，增益较大且频率很高时，
M(ω)·ω
式中ω为角频率；N为常数，它随离化系数比缓慢变化；W为耗尽区厚度；Vs为饱和速度；αn及αp分别为电子及空穴的离化系数，增益带宽积是个常数。要想得到高乘积，应选择大Vs，小W及小αn/αp（即电子、空穴离化系数差别要大，并使具有较高离化系数的载流子注入到雪崩区）。③过剩噪声因子F，在倍增过程中，噪声电流比信号电流增长快，用F表示雪崩过程引起的噪声附加F≈Mx。式中x称过剩噪声指数。要选择合适的M值，才能获得最佳信噪比，使系统达到最高灵敏度。④温度特性，载流子离化系数随温度升高而下降，导致倍增因子减小、击穿电压升高。用击穿电压的温度系数卢描述APD的温度特性。
β=
式中VB及VB0分别是温度为T及T0时的击穿电压。
使用时要对工作点进行温控，要制造均匀的P-N结，以防局部结面被击穿。

⑩ 什么是雪崩光电二极管APD

雪崩光电二极管偏压保护装置及电路申请号/专利号：200820117325本实用新型公开专了一种雪崩光电二极管属偏压保护装置及电路，其中，上述装置包括供电单元和雪崩光电二极管，还包括反馈部，其中，反馈部的输入端连接至供电单元的输出端；反馈部的第一输出端连接至供电单元的输入端；反馈部的第二输出端连接至APD的输入端。本实用新型通过对雪崩光电二极管提供偏压过载保护，防止雪崩光电二极管管芯烧毁，提高了雪崩光电二极管接收机的安全性，降低了维修成本。