Ⅰ 各种电路图中字母缩写的含义
A
A模拟
A/DC模拟信号到数字信号的转换
A/L音频/逻辑板
AAFPCB音频电路板
AB地址总线
ab 地址总线
accessorier 配件
ACCESSORRIER配件
ADC（A/O）模拟到数字的转换
adc 模拟到数字的转换
ADDRESSBUS地址总线
AFC自动频率控制
afc 自动频率控制
AFC自动频率控制
AFMS来音频信号
afms 来自音频信号
AFMS来音频信号
AFPCB音频电路板
AF音频信号
AGC自动增益控制
agc 自动增益控制
AGC自动增益控制
aged 模拟地
AGND模拟地
AGND模拟地
ALARM告警
alarm 告警
ALC自动电平控制
ALEV自动电平
AM调幅
AMP放大器
AMP放大器
AM调幅
ANT天线
ANT/SW天线开关
ant 天线
Anternna天线
antsw 天线开关
ANTSW天线切换开关
ANT天线
APC自动功率控制
APC/AOC自动功率控制
ARFCH绝对信道号
ASIC专用接口集成电路
AST-DET饱和度检测
ATMS到移动台音频信号
atms 到移动台音频信号
ATMS到移动台音频信号
AUC身份鉴定中心
AUDIO音频
AUDIO音频
AUTO自动
AUX辅助
AVCC音频处理芯片
A模拟信号
b+ 内电路工作电压
BALUN平衡于一不平衡转换
BAND-SEL频段选择/切换
BAND频段
Base band基带(信号)
base 三极管基极
batt+ 电池电压
BDR接收数据信号
Blick Diagram方框图
BPF带通滤波器
BUFFER缓冲放大器
BUS通信总线
buzz 蜂鸣器
C
CALL呼叫
CARD卡
Carrier载波调制
CCONTCSX开机维持(NOKIA)
CCONTINT关机请求信号
CDMA码分多址
cdma 码分多址
CEPT欧洲邮电管理委员会
CH信道
CHAGCER充电器
CHECK检查
CIRCCITY整机
Circuit Diagram电路原理图
CLK时钟
CLK-OUT逻辑时钟输出
CLK-SELECT时钟选择信号(Motorola手机)
COBBA音频IC(诺基亚系列常用)
COL列
COLLECTOR集电极
CONTROL控制
control 控制
CP脉冲、泵
CP-TX RXVCO控制输出接收锁相电平
CP-TX TXVCO控制输出发射锁相电平
CPU中央处理器
cpu 中央处理器
CS片选
CTL-GSM频段控制信号
d b 数据总线
D/AC数字信号到模拟信号的转换
d 数字
dac 数字到模拟的转换
dcin 外接直流电愿输入
DCS-CS发射机控制信号:控制TXVCO与I/Q调制器
DDI数据接口电路
DECIPHRIG解秘
DEINTERLEARING去交织
DET检测
dfms 来数据信号
dgnd 数字地
Diplex双工滤波器
Direct Coner Siorl Lionear Receicer直接变换的线性接收机
dsp 数字信号处理器
DSP数字信号处理器
dtms 到数据信号
DUPLEX / DIPLEX双工器
Duplex Sapatation双工间隔
E
Earph耳机
EEPROM电擦除可编程只读存储器
EIR设备号寄存器
EL发光
EMITTER发射极
emitter 三极管发射极
EMOD Demo Laticon解调
EN使能
EN使能、允许、启动
en 使能
ENAB使能
EPROM电编程只读存贮器
ERASABLE可擦的
ETACS增强的全接入通信系统
etacs 增强的全接入通信系统
EXT外部
EXT外部
ext 外部的
FBUS处接通信接口信号线
fdma 频分多址
feed back 反馈
fh 跳频
FILFTER滤波器
fl 滤波器
fm 调频
from 来自于
gain 增益
GAIN增益
Gen Out信号发生器
gnd 地
GSM-PINDIODE功率放大器输出匹配电路切换控制信号
GSM-SEL频段切换控制信号之一
G-TX-VCO900MHZ发射VCO切换控制
hook 外接免提状态
I
I同相支路
I/O输入/输出
I/O输入/输出
i/o输入输出
i 同相支路
IC集成电路
ICTRL供电电流大小控制端
ictrl 供电电流大小控制端
IF中频
if 中频
IFLO中频本振
IF中频
IMEI国际移动设备识别码
IN输入
INSERTCARD插卡
INT中断
int 中断
Interface界面,电子电路基础知识2,接口
ISDN综合业务数字网
I同相支路
LayoutPCB元件分布图
LCDCLK显示器时钟
led 发光二极管
LOCK锁定
loop fliter 环路滤波器
LO本振
LPF低通滤波器
lspctrl 扬声器控制
M
MAINVCO主振荡器(Motorola)
MCC移动国家码
MCLK主时钟
mclk 主时钟
MCLK主时钟
MCLK主时钟
MDM调制解调
MDM调制解调器(Motorola手机)
MENU菜单
MF陶瓷滤波器
MIC话筒
mic 送话器
MISO主机输入从机输出(Motorola)
MIX混合
Mixed Second第二混频信号
MIXERSECOND第二混频信号
MIX混频器
MOD调制信号
mod 调制信号
MODEM调制解调器
MODFreq调制频率
MODIN调制I信号负
modin 调制i信号负
MODIN调制I信号负
MODIP调制I信号正
MODIP调制I信号正
MODQN调制Q信号负
MODQN调制Q信号负
MODQP调制Q信号正
MODQP调制Q信号正
MOD调制
MOD调制信号
MOEM调制解调器DM
mopip 调制i信号正
MOSI主机输出从机输入(Motorola)
MS移动台
MSC移动交换中心
MSIN移动台识别码
MSK最小移频键控
MSRN漫游
MUTE静音
mute 静音
N
NAM号码分配模块
NC空、不接
NONETWORK无网络
ofst 偏置
on 开
onsrq 免提开关控制
PA 功率放大器
PADRV功率放大器驱动
PCB板图
PCM脉冲编码调制
PD/PH相位比较器
pll 锁相环
PLL锁相环
PLL锁相环路
powcontrol 功率控制
POWCONTROL功率控制
Power Supply电源系统
powlev 功率级别
POWLEV功放级别
PURX复位信号(NOKIA)
pwrsrc 供电选择
Q
Q uadrature molalion正交调制
Q 正交支路
Q正交支路
q 正交支路
R
RACH随机接入信道
RADIO射频本振
RAM随机存储器
ram 随机储存器（暂 存）
RD读
Receiver收信机
REF参考、基准
ref 参考
RESET复位
reset 复位
RFPCB射频板
RF射频
rf 射频
RFADAT射频频率合成器数据
rfadat 射频频率合成数据
RFADAT射频频率合成器数据
RFAENB射频频率合成器启动
rfaenb 射频频率合成启动
RFAENB射频频率合成器启动
RFConnector射频接口
RFI射频接口
RFIN/OFF高频输入/输出
ROM只读存储器
ROW行
RSSI场强
RSSI接收信号强度指示
rssi 接收强度指示
RSSI接收信号强度指示
RX接收
rx 接收
RX-ACQ接收机数据传输请求信号
RXEN接收使能
RXIFN接收中频信号负
rxifn 接收中频信号负
RXIFN接收中频信号负
RXIFP接收中频信号正
rxifp 接收中频信号正
RXIFP接收中频信号正
RXIN接收I信号负
RXIN接收输出
RXIP接收I信号正
RXI接收基带信号(同相)
RXON接收开
rxon 接收开
RXON接收机启动/开关控制
RXOUT接收输出
RXQN接收Q信号负
RXQP接收Q信号正
RXQ接收基带信号(正交)
RXVCO收信压控振荡器
RX接收
sat-det 饱和度检测
saw 声表面波滤波器
SAW声表面波滤波器
SF超级滤波器
SHFVCO专用射频VCO(NOKIA)
SLEEPCLK睡眠时钟
SMOC数字信号处理器
spi 串行外围接口
spk 扬声器
SUPLEX双工器作用相当于天线开关
sw 开关
swdc 末调整电压
SW开关
synclk 频率合成器时钟
SYNCLK频率合成器时钟
syndat 频率合成器数据
SYNDAT频率合成器数据
SYNEN频率合成器启动/使能
synstr 频率合成器启动
SYNSTR频率合成器启动
SYNTCON频率合成器开/关
synton 频率合成器开/关
T
TACS全接入移动通信系统
TCH话音通道
TDMA时分多址
tdma 时分多址
TEMP温度监测
temp 温度监测
TEST测试
TP测试点
tp 测试点 tx 发送
Transmitter发信机
TRX收发信机
TXEN发送使能
tx en 发送使能
TX 发送
TX发信
TXC发信控制
TX-DEY-OUT发射时序控制输出
TXENT发射供电
TXEN发射使能
TXEN发送使能
TX-IF发信中频
TXIN发送I信号负
TXIP发送I信号正
TXI发射基带信号
TXON发送开
txon 发送开
TXON发送开
TXOUT发射输出
TXPWR发射功率
TXQN发送Q信号负
TXQP发送Q信号正
TXQ发射基带信号
TXRF发射射频
TXVCO发信压控振荡器
txvco 发送压控振荡器频率控制
UHFVCO超高频/射频VCO
UHF超高频段
UI用户接口BSIC专用集成电路
UREGISTERED未注册
vbatt 电池电压
vcc 电愿
VCO 压控振荡器
vco 压控振荡
VCTCXO温补压控振荡器
vcxocont 基准振荡器频率控制
VHFVCO甚高频/中频VCO
vpp 峰峰值
vppflash flash 编程控制
vrpad 调整后电压
vswitch 开关电压
W
WATCHDOG看门狗
WATCHDOG看门狗信号
WCDMA宽带码分多址
WD-CP看门狗脉冲
WDG看门狗(维持信号电压)
WDOG看门狗
WR写
Ⅱ 如何实现直流电压的叠加！
1。1VCXO，据我所知它代表晶振。不知何故你要改变它的振荡频率。如果电路 总电源小于你所需要的版电压那你只能另加电源权了。
2。全世界用电之所以采用交流输变线路就因为它具有便捷的电压变换优势。直 流电的升压，你只能采用高频逆变电源的形式来达到了，但其丰富的高频谐 波可能会严重干扰用电电路的稳定工作。
3。还是采用一个小型变压器经整流、稳压、滤波来给1VCXO供电实际些。
外建高电压电路，与输出电压建立拉高电路，调整上拉电阻，调整电压。
Ⅲ 发射机的故障维修有哪些
A／D：模数转换。
AC：交流。
ADDRESS：地址线。
AF：音频。
AFC：自动频率控制，控制基准频率时钟电路。在手机电路中，只要看到AFC字样，则马上可以断定该信号线所控制的是13MHz电路。该信号不正常则可能导致手机不能进入服务状态，严重的导致手机不开机。有些手机的AFC标注为VCXOCONT。
AGC：自动增益控制。该信号通常出现在接收机电路的低噪声放大器，被用来控制接收机前端放大器在不同强度信号时给后级电路提供一个比较稳定的信号。
ALERT：告警。属于接收音频电路，被用来提示用户有电话进入或操作错误。
ALRT：铃声电路。
AMP：放大器。常用于手机的电路框图中。
AMPS：先进的移动电话系统。
ANT：天线。用来将高频电磁波转化为高频电流或将高频信号电流转化为高频电磁波。在电路原理图中，找到ANT，就可以很方便地找到天线及天线电路。
ANTSW：开线开关控制信号。
AOC：自动功率控制。通常出现在手机发射机的功率放大器部分(以摩托罗拉手机比较常用)。
AOC-DRIVE：自动功率控制参考电平。
ASIC：专用应用集成电路。在手机电路中，它通常包含多个功能电路，提供许多接口，主要完成手机的各种控制。
AUC：鉴权中心。
AUDIO：音频。
AUX：辅助。
AVCC：音频供电。
BACKLIGHT；背光。
BALUN：平衡／不平衡转换。
BAND：频段。
BAND-SELECT：频段选择。只出现在双频手机或三频手机电路中。该信号控制手机的频段切换。
BASEBAND：基带信号。
B+：电源。
BATT：电池电压。
BAND：频段。
BCH：广播信道。
BDR：接收数据信号。
BDX：发射数据信号。
BKLT-EN：背景灯控制。
BIAS：偏压。常出现在诺基亚手机电路中，被用来控制功率放大器或其他相应的电路。
BOOT：屏蔽罩。
BRIGHT：发光。
BS：基站。
BSC：基站控制器。
BSEL：频段切换。
BTS：基站收发器。
BSI：电池尺寸。在诺基亚的许多手机中，若该信号不正常，会导致手机不开机。
BUFFER：缓冲放大器。常出现在VCO电路的输出端。
BUS：通信总线。
BUZZ：蜂鸣器。出现在铃声电路。
BW：带宽。
CARD：卡。
CDMA：码分多址。多址接人技术的一种，CDMA通信系统容量比GSM更大，其微蜂窝更小，CDMA手机所需的电源消耗更小，所以CDMA手机待机时间更长。
CELL：小区。
CELLULAR：蜂窝。
CH：信道。
CHECK：检查。
CHARG+：充电正电源。
CHARG-：充电电源负端。
CLK：时钟。CLK出现在不同的地方起的作用不同。．若在逻辑电路，则它与手机的开机有很大的关系；都在SIM卡电路，则可能导致SIM卡故障。
CLONE．复制。
CMOS：金金属氧化物半导体。
CODEC：编译码器。主要出现在音频编译码电路。
COL：列地址线。出现在手机的按键电路。
COM：串口。
CONNECTOR：连接器。
CONTACTSEVICER：联系服务商。
CORD：代码。
COUPLING：耦合。
COVER：覆盖。
CP：表示鉴相器的输出端。
CP-RX：RXVCO控制信号输出。
CP-TX：发射VCO控制输出端。
CPU：中央处理器。在手机的逻辑电路，完成手机的多种控制。
CRYSTAL：晶振。
CS：片选。
n／A：数模转换。
DATA：数据DAT。
Ⅳ 晶振在数子电路中的基本作用
晶振一般采用如图1a的电容三端式(考毕兹)
交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电内路如图1b，其中容Cv是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如图1c。其中Co，C1，L1，RR是晶体的等效电路。
分析整个振荡槽路可知，利用Cv来改变频率是有限的：决定振荡频率的整个槽路电容C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。可以看出：C1越小，Co越大，Cv变化时对整个槽路电容的作用就越小。因而能“压控”的频率范围也越小。实际上，由于C1很小(1E-15量级)，Co不能忽略(1E-12量级，几PF)。所以，Cv变大时，降低槽路频率的作用越来越小，Cv变小时，升高槽路频率的作用却越来越大。这一方面引起压控特性的非线性，压控范围越大，非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压(Cbe上的电压)却越来越小，最后导致停振。
采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越小。
Ⅳ 在电路模块中同一个频率的晶振贴片和插件是一样用的吗
晶振的工作原理一、什么是晶振看
晶振是石英振荡器的简称，英文名为Crystal，它是时钟电路中最重要的部件，它的主要作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率，它就像个标尺，工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定，自然容易出现问题。
晶振还有个作用是在电路产生震荡电流，发出时钟信号。晶振是晶体振荡器的简称。它用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。晶振在数字电路的基本作用是提供一个时序控制的标准时刻。数字电路的工作是根据电路设计，在某个时刻专门完成特定的任务，如果没有一个时序控制的标准时刻，整个数字电路就会成为逗聋子地，不知道什么时刻该做什么事情了。晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振，而通过电子调整频率的方法保持同步。晶振通常与锁相环电路配合使用，以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要不同频率的时钟信号，可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。电路中，为了得到交流信号，可以用RC、LC谐振电路取得，但这些电路的振荡频率并不稳定。在要求得到高稳定频率的电路中，必须使用石英晶体振荡电路。石英晶体具有高品质因数，振荡电路采用了恒温、稳压等方式以后，振荡频率稳定度可以达到10^（-9）至10^（-11）。广泛应用在通讯、时钟、手表、计算机……需要高稳定信号的场合。石英晶振不分正负极， 外壳是地线，其两条不分正负二、晶振的使用晶振，在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低 的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶 振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄， 所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。晶振是为电路提供频率基准的元器件，通常分成有源晶振和无源晶振两个大类，无源晶振需要芯片内部有振荡器，并且晶振的信号电压根据起振电路而定，允许不同的电压，但无源晶振通常信号质量和精度较差，需要精确匹配外围电路（电感、电容、电阻等），如需更换晶振时要同时更换外围的电路。有源晶振不需要芯片的内部振荡器，可以提供高精度的频率基准，信号质量也较无源晶振要好。每种芯片的手册上都会提供外部晶振输入的标准电路，会表明芯片的最高可使用频率等参数，在设计电路时要掌握。与计算机用CPU不同，单片机现在所能接收的晶振频率相对较低，但对于一般控制电路来说足够了。晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以逗无源晶振地这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，LC谐振器等。晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应。如在极板间所加的是交变电压，就会产生机械变形振动，同时机械变形振动又会产生交变电场。一般来说，这种机械振动的振幅是比较小的，其振动频率则是很稳定的。但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（决定于晶片的尺寸）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为压电谐振，因此石英晶体又称为石英晶体谐振器。 其特点是频率稳定度很高。石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC来共同作用来工作的。振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供3.3V电压来维持工作。振荡器比谐振器多了一个重要技术参数为：谐振电阻（RR），谐振器没有电阻要求。RR的大小直接影响电路的性能，也是各商家竞争的一个重要参数。三、概述微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；基于相移电路的时钟源，如：RC （电阻、电容）振荡器。硅振荡器通常是完全集成的RC振荡器，为了提高稳定性，包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等。机械式谐振器与RC振荡器的主要区别基于晶振与陶瓷谐振槽路（机械式）的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。相对而言，RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。图1所示的电路能产生可靠的时钟信号，但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。振荡器模块上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成硅振荡器。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。功耗选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA至60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。一种低功率的硅振荡器，如MAX7375，工作在4MHz时只需不到2mA的电流。 时钟电路晶振与时钟IC芯片主板时钟芯片电路提供给CPU，主板芯片组和各级总线（CPU总线，AGP总线，PCI总线，PCIE总线等）和主板各个接口部分基本工作频率，有了它，计算机才能在CPU控制下，按步就班，协调地完成各项功能工作： 1.晶振的工作原理： 主板时钟芯片即分频器的原始工作振荡频率，由石英晶体多谐振荡器的谐振频率来产生，晶振其实是一个频率产生器，他主要把传进去的电压转化为频率信号。提供给分频率一个基准的14.318MHZ的振荡频率，它是一个多谐振荡器的正回馈环电路，也就是说它把输入作为输出，把输出作为输入的回馈频率，象这样一个永无休止的循环自激过程。
⒉在主板上常见的时钟晶振：有14.318M（主时钟）与32.768HZ（南桥 旁边的时钟）
⒊时钟IC芯片简介：他主要起着放大频率和缩小频率的作用，他和晶振组合后才能在主板上起作用。我们把他称做为时钟发生器（晶振+时钟IC芯片）
⒋时钟发生器的工作原理：时钟我们可以把他定义为各个部件的总线频率速度，他起着分配给各个部件的频率使他们能够正常工作。当晶振通电后发出的频率送入时钟IC芯片，它的各脚会传出相对应的频率通个时钟IC芯片旁边的电阻（时钟IC芯片旁边左右两边一排的小电阻基本为220=22欧，330=33欧）。而内存，与AGP这些高速的时钟是由北桥内部提供给它的，（注有些主板AGP时钟不是由北桥提供的）将频率信号分配到主板各个部件，如（PCI 33M，CPU 100M133M200M I/O 48M和14M，南桥33M &14M北桥100M7&133M&200M
时钟IC芯片
上面讲到了时钟的产生，那他是如何工作的接下来我给大家讲解一下时钟IC芯片。时钟IC芯片的工作条件：
①。供电→他的供电基本上都经过个子较大的贴片电感进入时钟IC芯片（贴片电感时钟IC芯片附近就可以找到 因为他比其它帖片要胖一点）。时钟IC芯片早期的供电有2组到3组：2组供电为2.5V与3.3V 3组供电为2.5V与2.8V时钟IC芯片后期的供电有1组到2组：1组为+3.3V 2组为3.3V与2.5V
②PG信号是在启动时输出电压都稳定后再给电脑一个启动信号，让电脑正式启动，而在意外断电时也能及时地送出关机信号让电脑马上停止工作，对电脑的稳定和外设起了很大的保护作用。PG信号基本是通过时钟IC芯片旁边的阻值较大的电阻（10K、4.7K电阻）进入时钟IC芯片内部的（PG要高于1.5V）当供电与PG都正常后时钟IC芯片内部才能正常工作，和晶体一起产生振荡，在晶体的两脚均可以看到波形。晶体的两脚之间的阻值在450---700欧之间。在它的两脚各有1V左右的电压，由分频器提供。他才能把14.318晶振送来的时钟频率放大或缩小后输给主板的各个部件。
时钟电路构架
上面大家知道了它的各个主成部分后，再来看看它的整个构架图
PLL是Phase-Locked Loop的缩写，中文含意为锁相环。PLL基本上是一个闭环的反馈控制系统，它可以使PLL的输出可以与一个参考信号保持固定的相位关系。PLL一般由鉴相器、电荷放大器（Charge Pump）、低通滤波器、压控振荡器、以及某种形式的输出转换器组成。为了使得PLL的输出频率是参考时钟的倍数关系，在PLL的反馈路径或（和）参考信号路径上还可以放置分频器。PLL的功能示意图如下图所示：
压控振荡器产生周期性的输出信号，如果其输出频率低于参考信号的频率，鉴相器通过电荷放大器改变控制电压使压控振荡器就的输出频率提高。如果压控振荡器的输出频率高于参考信号的频率，鉴相器通过电荷放大器改变控制电压使压控振荡器就的输出频率降低。低通滤波器的作用是平滑电荷放大器的输出，这样在鉴相器进行微小调整的时候，系统趋向一个稳态。负载电容及反馈电阻 可能有些初学者会对晶振的频率感到奇怪，12M、24M之类的晶振较好理解，选用如11.0592MHZ的晶振给人一种奇怪的感觉，这个问题解释起来比较麻烦，如果初学者在练习串口编程的时候就会对此有所理解，这种晶振主要是可以方便和精确的设计串口或其它异步通讯时的波特率。问： 我发现在使用晶振时会和它并一个电阻，一般1M以上，我把它去掉，板子仍可正常工作，请问这个电阻有什么用看可以不用吗看 我有看到过不用的！不理解~答： 这个电阻是反馈电阻，是为了保证反相器输入端的工作点电压在VDD/2，这样在振荡信号反馈在输入端时，能保证反相器工作在适当的工作区。虽然你去掉该电 阻时，振荡电路仍工作了。但是如果从示波器看振荡波形就会不一致了，而且可能会造成振荡电路因工作点不合适而停振。所以千万不要省略此电阻。 这个电阻是为了使本来为逻辑反相器的器件工作在线性区， 以获得增益， 在饱和区是没有增益的， 而没有增益是无法振荡的。 如果用芯片中的反相器来作振荡， 必须外接这个电阻， 对于CMOS而言可以是1M以上， 对于TTL则比较复杂， 视不同类型（S,LS…）而定。 如果是芯片指定的晶振引脚， 如在某些微处理器中， 常常可以不加， 因为芯片内部已经制作了， 要仔细阅读DATA SHEET的有关说明。和晶振并联的电阻作为负载，一般1M欧。也有和晶振串联的电阻为谐振电阻。。问：晶振的参数里有配用的谐振电容值。比如说32.768K的是12.5pF；4.096M的是20pF. 这个值和实际电路中晶振上接的两个电容值是什么关系看像DS1302用的就是32.768K的晶振，它内部的电容是6pF的答： 你所说的是晶振的负载电容值。指的是晶振交流电路中，参与振荡的，与晶振串联或并联的电容值。晶振电路的频率主要由晶振决定，但既然负载电容参与振荡，必 然会对频率起微调作用的。负载电容越小，振荡电路频率就会越高4.096MHz的负载电容为20pF，说明晶振本身的谐振频率<4.096MHz， 但如果让20pF的电容参与振荡，频率就会升高为4.096MHz。或许有人会问为什么这么麻烦，不如将晶振直接做成4.096MHz而不用负载电容看不 是没有这样的晶振，但实际电路设计中有多种振荡形式，为了振荡反馈信号的相移等原因，也有为了频率偏差便于调整等原因，大都电路中均有电容参与振荡。为了 准确掌握晶振电路中该用多大的电容，只要把握晶体负载电容应等于振荡回路中的电容+杂散电容就可以了。你所说的IC中6pF的电容就可看作杂散电容石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本结构大致是从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚 上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
石英晶体的压电效应：若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。注意，这种效应是可逆的。如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。
晶振在电气上可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率为串联谐振，较高的频率为并联谐振。由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也不会有很大的变化。
晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可以得到晶振标称的谐振频率。
一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p ，如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振（谐振）的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。无源晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以逗无源晶振地这个说法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC共同作用来工作的。振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供3.3V电压来维持工作。振荡器比谐振器多了一个重要技术参数：谐振电阻（RR），谐振器没有电阻要求。RR的大小直接影响电路的性能，因此这是各商家竞争的一个重要参数。
四、无源晶体与有源晶振的区别、应用范围及用法： 1、无源晶体——无源晶体需要用DSP片内的振荡器，在datasheet上有建议的连接方法。无源晶体没有电压的问题，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，同样的晶体可以适用于多种电压，可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP，而且价格通常也较低，因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体，这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。无源晶体相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差，通常需要精确匹配外围电路（用于信号匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。建议采用精度较高的石英晶体，尽可能不要采用精度低的陶瓷警惕。
2、有源晶振——有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。对于时序要求敏感的应用，个人认为还是有源的晶振好，因为可以选用比较精密的晶振，甚至是高档的温度补偿晶振。有些DSP内部没有起振电路，只能使用有源的晶振，如TI 的6000系列等。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大，但现在许多有源晶振是表贴的，体积和晶体相当，有的甚至比许多晶体还要小。
几点注意事项：
1、需要倍频的DSP需要配置好PLL周边配置电路，主要是隔离和滤波；
2、20MHz以下的晶体晶振基本上都是基频的器件，稳定度好，20MHz以上的大多是谐波的（如3次谐波、5次谐波等等），稳定度差，因此强烈建议使用低频的器件，毕竟倍频用的PLL电路需要的周边配置主要是电容、电阻、电感，其稳定度和价格方面远远好于晶体晶振器件；
3、时钟信号走线长度尽可能短，线宽尽可能大，与其它印制线间距尽可能大，紧靠器件布局布线，必要时可以走内层，以及用地线包围；
4、通过背板从外部引入时钟信号时有特殊的设计要求，需要详细参考相关的资料。
此外还要做一些说明：
总体来说晶振的稳定度等方面好于晶体，尤其是精密测量等领域，绝大多数用的都是高档的晶振，这样就可以把各种补偿技术集成在一起，减少了设计的复杂性。试想，如果采用晶体，然后自己设计波形整形、抗干扰、温度补偿，那样的话设计的复杂性将是什么样的呢看我们这里设计射频电路等对时钟要求高的场合，就是采用高精度温补晶振的，工业级的要好几百元一个。
特殊领域的应用如果找不到合适的晶振，也就是说设计的复杂性超出了市场上成品晶振水平，就必须自己设计了，这种情况下就要选用晶体了，不过这些晶体肯定不是市场上的普通晶体，而是特殊的高端晶体，如红宝石晶体等等。
更高要求的领域情况更特殊，我们这里在高精度测试时采用的时钟甚至是原子钟、铷钟等设备提供的，通过专用的射频接插件连接，是个大型设备，相当笨重。
晶振：即所谓石英晶体谐振器和石英晶体时钟振荡器的统称。不过由于在消费类电子产品中，谐振器用的更多，所以一般的概念中把晶振就等同于谐振器理
解了。后者就是通常所指钟振。
2、 分类。首先说一下谐振器。
谐振器一般分为插件（Dip）和贴片（SMD）。插件中又分为HC-49U、HC-49U/S、音叉型（圆柱）。HC-49U一般称49U，有些采购俗称 逗高型地，而HC-49U/S一般称49S，俗称逗矮型地。音叉型按照体积分可分为3*8，2*6，1*5，1*4等等。贴片型是按大小和脚位来分类。例如7*5（0705）、6*3.5（0603），5*3.2（5032）等等。脚位有4pin和2pin之分。
而振荡器也是可以分为插件和贴片。插件的可以按大小和脚位来分。例如所谓全尺寸的，又称长方形或者14pin，半尺寸的又称为正方形或者8pin。不过要注意的是，这里的14pin和8pin都是指振荡器内部核心IC的脚位数，振荡器本身是4pin。而从不同的应用层面来分，又可分为OSC（普通钟振）， TCXO（温度补偿），VCXO（压控），OCXO（恒温）等等。
Ⅵ 晶振在电路里起什么作用
电路中的晶振即石英晶体震荡器。
由于石英晶体震荡器具有非常好的频率稳定性和抗外界干扰的能力，所以，石英晶体震荡器是用来产生基准频率的。通过基准频率来控制电路中的频率的准确性。
石英晶体震荡器的应用范围是非常广的，它质量等级、频率精度也是差别很大的。通讯系统用的信号发生器的信号源（震荡源），绝大部分也用的是石英晶体震荡器。
晶振是石英振荡器的简称，英文名为crystal，它是时钟电路中最重要的部件，它的主要作用是向显卡、网卡、主板等配件的各部分提供基准频率，它就像个标尺，工作频率不稳定会造成相关设备工作频率不稳定，自然容易出现问题。
晶振还有个作用是在电路产生震荡电流,发出时钟信号.
晶振是晶体振荡器的简称。它用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（vco）。
晶振在数字电路的基本作用是提供一个时序控制的标准时刻。数字电路的工作是根据电路设计，在某个时刻专门完成特定的任务，如果没有一个时序控制的标准时刻，整个数字电路就会成为“聋子”，不知道什么时刻该做什么事情了。
晶振的作用是为系统提供基本的时钟信号。通常一个系统共用一个晶振，便于各部分保持同步。有些通讯系统的基频和射频使用不同的晶振，而通过电子调整频率的方法保持同步。
晶振通常与锁相环电路配合使用，以提供系统所需的时钟频率。如果不同子系统需要不同频率的时钟信号，可以用与同一个晶振相连的不同锁相环来提供。
电路中，为了得到交流信号，可以用rc、lc谐振电路取得，但这些电路的振荡频率并不稳定。在要求得到高稳定频率的电路中，必须使用石英晶体振荡电路。石英晶体具有高品质因数，振荡电路采用了恒温、稳压等方式以后，振荡频率稳定度可以达到10^(-9)至10^(-11)。广泛应用在通讯、时钟、手表、计算机……需要高稳定信号的场合。
石英晶振不分正负极,
外壳是地线，其两条不分正负
有源晶振和无源晶振的作用分别是什么
1.无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来
2.有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，其中除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件
主要看你应用到的电路，如果有时钟电路，就用无源，否则就用有源
无源晶体需要用dsp片内的振荡器，无源晶体没有电压的问题，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，无源的要和其他元件才能组成正常的振荡电路,同样的晶体可以适用于多种电压，可用于多种不同时钟信号电压要求的dsp，而且价格通常也较低，因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体，这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者
有源晶振不需要dsp的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的pi型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路
可以用万用表测量晶振两个引脚电压是否是芯片工作电压的一半，比如工作电压是5v则是否是2.5v左右。另外如果用镊子碰晶体另外一个脚，这个电压有明显变化，证明是起振了的
！
哇，打字打得手好酸啊！！！！
Ⅶ 单片机的最小系统晶振电路的两个电阻作用,为什么
晶振电路需要2个10-30pF级别的电容作为起振用途，10-30pF具体的值根据不同的晶振频率不同的单片机而有所不同，作用都是使晶振起振，如果去掉这2个电容，晶振就不会起振，就没有频率输出，单片机就不会工作。这样说你懂了吗？
也有串并连电阻的案例，正常我们不需要那么做，官方的Deom里也是没有的，以下内容来自网络，讲解的很详细，你可以自习读读，以后对这部分电路会有更详细的认识。
一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电阻，这是由于连接晶振的芯片端内部是一个线性运算放大器，将输入进行反向180度输出，晶振处的负载电容电阻组成的网络提供另外180度的相移，整个环路的相移360度，满足振荡的相位条件，同时还要求闭环增益大于等于1，晶体才正常工作。
晶振输入输出连接的电阻作用是产生负反馈，保证放大器工作在高增益的线性区，一般在M欧级，输出端的电阻与负载电容组成网络，提供180度相移，同时起到限流的作用，防止反向器输出对晶振过驱动，损坏晶振。
和晶振串联的电阻常用来预防晶振被过分驱动。晶振过分驱动的后果是将逐渐损耗减少晶振的接触电镀，这将引起频率的上升，并导致晶振的早期失效，又可以讲drive level调整用。用来调整drive level和发振余裕度。
Xin和Xout的内部一般是一个施密特反相器,反相器是不能驱动晶体震荡的.因此,在反相器的两端并联一个电阻,由电阻完成将输出的信号反向 180度反馈到输入端形成负反馈,构成负反馈放大电路.晶体并在电阻上,电阻与晶体的等效阻抗是并联关系,自己想一下是电阻大还是电阻小对晶体的阻抗影响小大?
电阻的作用是将电路内部的反向器加一个反馈回路，形成放大器，当晶体并在其中会使反馈回路的交流等效按照晶体频率谐振，由于晶体的Q值非常高，因此电阻在很大的范围变化都不会影响输出频率。过去，曾经试验此电路的稳定性时，试过从100K～20M都可以正常启振，但会影响脉宽比的。
晶体的Q值非常高, Q值是什么意思呢？ 晶体的串联等效阻抗是 Ze = Re + jXe, Re<< |jXe|, 晶体一般等效于一个Q很高很高的电感，相当于电感的导线电阻很小很小。Q一般达到10^-4量级。
避免信号太强打坏晶体的。电阻一般比较大，一般是几百K。
串进去的电阻是用来限制振荡幅度的，并进去的两颗电容根据LZ的晶振为几十MHZ一般是在20~30P左右，主要用与微调频率和波形，并影响幅度，并进去的电阻就要看 IC spec了，有的是用来反馈的，有的是为过EMI的对策
可是转化为 并联等效阻抗后，Re越小，Rp就越大，这是有现成的公式的。晶体的等效Rp很大很大。外面并的电阻是并到这个Rp上的，于是，降低了Rp值 -----＞ 增大了Re -----＞ 降低了Q
精确的分析还可以知道，对频率也会有很小很小的影响。
总结并联电阻的四大作用：
1、配合IC内部电路组成负反馈、移相，使放大器工作在线性区；
2、限流防止谐振器被过驱；
3、并联降低谐振阻抗，使谐振器易启动；
4、电阻取值影响波形的脉宽。
有源晶振与无源晶振以及无源晶振起振电容的选择：
无源晶振（Crystal）：内只有一片按一定轴向切割的石英晶体薄片，供接入运放（或微处理器的Xtal端）以形成振荡。（依靠配合其他IC内部振荡电路工作）
有源晶振（Oscillator）：内带运放，工作在最佳状态，送入电源后，可直接输出一定频率的等副正弦波。（晶振+振动电路，封装在一起，加上电源，就有波形输出）
1.无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来 无源晶振需要用DSP片内的振荡器，在datasheet上有建议的连接方法。无源晶振没有电压的问题，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，同样的晶振可以适用于多种电压，可用于多种不同时钟信号电压要求的DSP，而且价格通常也较低，因此对于一般的应用如果条件许可建议用晶体，这尤其适合于产品线丰富批量大的生产者。无源晶振相对于晶振而言其缺陷是信号质量较差，通常需要精确匹配外围电路（用于信号匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶体时周边配置电路需要做相应的调整。使用时建议采用精度较高的石英晶体，尽可能不要采用精度低的陶瓷晶体。
2.有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，里面除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件 。有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，价格相对较高。对于时序要求敏感的应用，还是有源的晶振好，因为可以选用比较精密的晶振，甚至是高档的温度补偿晶振。有些DSP内部没有起振电路，只能使用有源的晶振，如TI的6000系列等。有源晶振相比于无源晶体通常体积较大，但现在许多有源晶振是表贴的，体积和晶体相当，有的甚至比许多晶体还要小。
在电子学上，通常将含有晶体管元件的电路称作“有源电路”（如有源音箱、有源滤波器等），而仅由阻容元件组成的电路称作“无源电路”。电脑中的晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。无源晶振与有源晶振的英文名称不同，无源晶振为crystal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。无源晶振是有2个引脚的无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说法并不准确；有源晶振有4只引脚，是一个完整的振荡器，其中除了石英晶体外，还有晶体管和阻容元件，因此体积较大。
有源晶振型号纵多，而且每一种型号的引脚定义都有所不同，接发也不同,下面我介绍一下有源晶振引脚识别，以方便大家
有个点标记的为1脚，按逆时针（管脚向下）分别为2、3、4。
有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。
有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。
有源晶振是右石英晶体组成的,石英晶片之所以能当为振荡器使用，是基于它的压电效应：在晶片的两个极上加一电场，会使晶体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。
压电谐振状态的建立和维持都必须借助于振荡器电路才能实现。图3是一个串联型振荡器，晶体管T1和T2构成的两级放大器，石英晶体XT与电容C2构成LC电路。在这个电路中，石英晶体相当于一个电感，C2为可变电容器，调节其容量即可使电路进入谐振状态。该振荡器供电电压为5V，输出波形为方波。
有源晶振型号纵多，而且每一种型号的引脚定义都有所不同，接发也不同,下面我介绍一下有源晶振引脚识别，以方便大家
有个点标记的为1脚，按逆时针（管脚向下）分别为2、3、4。
有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。
有源晶振不需要DSP的内部振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。相对于无源晶体，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。
有源晶振是右石英晶体组成的,石英晶片之所以能当为振荡器使用，是基于它的压电效应：在晶片的两个极上加一电场，会使晶体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率(由晶片的尺寸和形状决定)相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为“压电谐振”。
压电谐振状态的建立和维持都必须借助于振荡器电路才能实现。
石英晶体振荡器的频率稳定度可达10^-9/日，甚至10^-11。例如10MHz的振荡器，频率在一日之内的变化一般不大于0.1Hz。因此，完全可以将晶体振荡器视为恒定的基准频率源(石英表、电子表中都是利用石英晶体来做计时的基准频率)。从PC诞生至现在，主板上一直都使用一颗14.318MHz的石英晶体振荡器作为基准频率源。 主板上除了这颗14.318MHz的晶振，还能找到一颗频率为32.768MHz的晶振，它被用于实时时钟(RTC)电路中，显示精确的时间和日期
方形有源晶振引脚分布：
1、正方的，使用DIP-8封装，打点的是1脚。
1-NC； 4-GND； 5-Output； 8-VCC
2、长方的，使用DIP-14封装，打点的是1脚。
1-NC； 7-GND； 8-Output； 14-VCC
BTW：
1、电源有两种，一种是TTL，只能用5V，一种是HC的，可以3.3V/5V
2、边沿有一个是尖角，三个圆角，尖角的是一脚，和打点一致。
Vcc out
NC（点） GND
现在提供一些实际数据：
测试样品为TOYOCOM的711SC 1.000M的输出频率，1脚悬空，2脚接地，3脚输出，4叫接+5V；
1.4V就开始起振，峰值电压1.64V，但是工作频率会有一定的偏差；3V时峰值电压3.24V，工作频率1.000M，输出频率准确；5V时峰值电压为5.6V，工作频率1.000M，输出频率准确
关于晶振的匹配电容问题
晶振还是晶体？
晶振的话好像不用电容吧？
晶体的话0.1u和0.01u的电容有些大了，
一般应该100p到20p之间
nod
晶振的标称值在测试时有一个“负载电容”的条件，在工作时满足这个条件，振荡频率才与标称值一致。一般来讲，有低负载电容（串联谐振晶体）
高负载电容（并联谐振晶体）之分。在电路上的特征为：晶振串一只电容跨接在IC两只脚上的，则为串联谐振型；一只脚接IC，一只脚接地的，则为并联型。如确实没有原型号，需要代用的可采取串联谐振型电路上的电容再并一个电容，并联谐振电路上串一只电容的措施。例如：4.433MHz晶振,并一只3300PF电容或串一只70P的微调电容。另一种说法是“损耗值”与“激励电平”之说：
其实，上述原因都可以作为选择晶振的条件作为考虑。
常见的晶振大多是二只脚，3脚的晶振是一种集晶振和电容为一体的复合元件。由于在集成电路振荡端子外围电路中总是以一个晶振（或其它谐振元件）和两个电容组成回路，为便于简化电路及工艺，人们便研制生产了这种复合件。其3个引脚中，中间的1个脚通常是2 个电容连接一起的公共端，另外2个引脚即为晶振两端，也是两个电容各自与晶振连接的两端。由此可见，这种复合件可用一个同频率晶振和两个100～200pF的瓷片电容按常规连接后直接予以代换。
*********************************************************************************
怎样选择一款合适的晶体振荡器21ic.com
发信站: 瀚海星云 (2003年11月04日10:18:05 星期二), 站内信件
---- 本文介绍了一些足以表现出一个晶体振荡器性能高低的技术指标，了解这些指标的含义，将有助于通讯设计工程师顺利完成设计项目，同时也可以大大减少整机
---- 总频差：在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大频差。
---- 说明：总频差包括频率温度稳定度、频率温度准确度、频率老化率、频率电源电压稳定度和频率负载稳定度共同造成的最大频差。一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。例如：精密制导雷达。
---- 频率温度稳定度：在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带隐含基准温度的最大允许频偏。
---- fT=±(fmax-fmin)/(fmax+fmin)
---- fTref ＝±MAX[｜(fmax-fref)/fref｜,｜(fmin-fref)/fref｜] fT：频率温度稳定度(不带隐含基准温度)
---- fTref：频率温度稳定度(带隐含基准温度)
---- fmax ：规定温度范围内测得的最高频率
---- fmin：规定温度范围内测得的最低频率
---- fref：规定基准温度测得的频率
---- 说明：采用fTref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用fT指标的晶体振荡器,故fTref指标的晶体振荡器售价较高。
---- 几种电子系统使用的晶体振荡器典型频率温度稳定度指标见下表:
---- 表中有一部分频率温度稳定度指标应是带隐含基准温度的频率温度稳定度指标，但没表示出来。 (1ppm=1×10-6；1ppb=1×10-9)。
---- 频率稳定预热时间：以晶体振荡器稳定输出频率为基准，从加电到输出频率小于规定频率允差所需要的时间。
---- 说明：在多数应用中，晶体振荡器是长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要求频率温度稳定度≤±0.3ppm(-45℃～85℃)，采用OCXO作为本振，频率稳定预热时间将不少于5分钟，而采用DTCXO只需要十几秒钟)。
---- 频率老化率：在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。这种长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，可用规定时限后的最大变化率（如±10ppb/天，加电72小时后），或规定的时限内最大的总频率变化（如：±1ppm/（第一年）和±5ppm/（十年））来表示。
---- 说明：TCXO的频率老化率为：±0.2ppm～±2ppm（第一年）和±1ppm～±5ppm（十年）（除特殊情况，TCXO很少采用每天频率老化率的指标，因为即使在实验室的条件下，温度变化引起的频率变化也将大大超过温度补偿晶体振荡器每天的频率老化，因此这个指标失去了实际的意义）。OCXO的频率老化率为：±0.5ppb～±10ppb/天（加电72小时后），±30ppb～±2ppm（第一年），±0.3ppm～±3ppm（十年）。
---- 频率压控范围：将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的最小峰值改变量。
---- 说明：基准电压为＋2.5V，规定终点电压为＋0.5V和＋4.5V，压控晶体振荡器在＋0.5V频率控制电压时频率改变量为-110ppm，在＋4.5V频率控制电压时频率改变量为＋130ppm，则VCXO电压控制频率压控范围表示为：≥±100ppm(2.5V±2V)。
---- 压控频率响应范围：当调制频率变化时，峰值频偏与调制频率之间的关系。通常用规定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。
---- 说明：VCXO频率压控范围频率响应为0～10kHz。
---- 频率压控线性：与理想（直线）函数相比的输出频率-输入控制电压传输特性的一种量度，它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。
---- 说明：典型的VCXO频率压控线性为：≤±10%，≤±20%。简单的VCXO频率压控线性计算方法为(当频率压控极性为正极性时)：
---- 频率压控线性＝±((fmax-fmin)/ f0)×100%
---- fmax：VCXO在最大压控电压时的输出频率
---- fmin：VCXO在最小压控电压时的输出频率
---- f0：压控中心电压频率
---- 单边带相位噪声￡(f)：偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。
*****************************************************************************************
请问单片机晶震旁的2个电容有什么要求吗?
这个是晶体的匹配电容，只有在外部所接电容为匹配电容的情况下，
振荡频率才能保证在标称频率附近的误差范围内。
最好按照所提供的数据来，如果没有，一般是30pF左右。太小了不容易
起振。
在某些情况下，也可以通过调整这两个电容的大小来微调振荡频率，当然
可调范围一般在10ppm量级。
Ⅷ 手机中的时间是由哪个元件控制
要看具体的电路形式，不同的手机，不太一样。
一般的说，手机中的时钟基准来自于“基准时钟振荡电路”。
手机基准时钟振荡电路，是手机的一个十分重要的电路，产生的13MHz时钟，一方面为手机逻辑电路提供了必要条件，另一方面为频率合成电路提供基准时钟。
手机的13MHz基准时钟电路，主要有两种电路：
一是专用的13MHzVCO组件，VCO组件一般有4个端El：输出端、电源端、AFC控制端及接地端。
另一种是由一个13MHz(也有的是26MHz、19.5MHz)石英晶体、集成电路和外接元件构成晶振振荡电路。
例如：爱立信T28手机的13MHz晶振振荡电路。由N234和13MHz晶体B320、变容二极管V322、V321等构成，该电路产生13MHz的信号，经N234模块处理后输出两路：一路经电容C300、C302到D300模块的15脚，给频率合成电路提供参考信号；另一路从N234的52脚输出，给逻辑电路提供逻辑时钟信号；
13MHz电路的控制信号VCXOCONT来自N800模块。
又例如：摩托罗拉V998手机的26MHz振荡电路。由26MHz石英晶体Y230、变容二极管CR230及中频模块U913内部的振荡电路所组成。电路中，Y230是4脚晶体，其中三只脚是连在一起作为接地端，而另外一脚则作为输出，自动频率控制电压AFC从U913的J7端输出，U913的J8脚为供电端，U913振荡器产生。
13MHz基准频率一路作为基准频率信号源去合成各种载频，另外一路则从U913的J6端输出送到中央处理器，作为手机的逻辑时钟。
由U101和石英晶体Y101等元件组成，石英晶体Y101的谐振频率(基准频率)为19.5MHz，在U101模块内进行1.5倍分频处理，得到频率合成的参考信号和逻辑电路的13MHz时钟信号。频率合成的参考信号从U101的C10脚输出；逻辑时钟信号从U101的H7脚输出。 U101的D10脚为供电端。
不管是VCO组件还是晶振组成的振荡电路，都需要AFC控制信号，AFC信号由逻辑电路中的DSP(数字语音处理器)输出。由于GSM手机采用时分多址(TDMA)技术，以不同的时间段(时隙)采区分用户，手机与系统保持时间同步就显得非常重要。如手机时钟与系统时钟不同步，则会导致手机不能与系统进行正常的通信。
不知楼主在问题中提到的“晶振”和“时钟晶振”是什么概念？“时钟晶振”属于“晶振”，不知该怎么回答楼主的这个问题。还是请楼主参考上面我说的吧。
楼主在问题中提到的情况，不太可能是由于晶振损坏。似乎是手机时钟与系统时钟不同步造成的，很有可能是软件问题。或者是手机主板上的电池没电了。
补充答案：
有的是电池（就是一节小钮扣电池），有的是电容。
Ⅸ 晶振在电路中的作用有哪些
每个单片机系统里都有晶振，全程是叫晶体震荡器，在单片机系统里晶振的作用非常大，他结合单片机内部的电路，产生单片机所必须的时钟频率，单片机的一切指令的执行都是建立在这个基础上的，晶振的提供的时钟频率越高，那单片机的运行速度也就越快。
晶振用一种能把电能和机械能相互转化的晶体在共振的状态下工作，以提供稳定，精确的单频振荡。在通常工作条件下，普通的晶振频率绝对精度可达百万分之五十。高级的精度更高。有些晶振还可以由外加电压在一定范围内调整频率，称为压控振荡器（VCO）。
分类：
1.无源晶振
无源晶体需要芯片内部有振荡器，无源晶体没有电压的问题，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，同样的晶体可以适用于多种电压，而且价格通常也较低，因此对于一般的应用如果条件许可建议用无源晶振。无源晶振缺陷是信号质量较差，通常需要精确匹配外围电路（信号匹配的电容、电感、电阻等），更换不同频率的晶振时周边配置电路需要做相应的调整。
2.有源晶振
有源晶振不需要芯片内部有振荡器，信号质量好，比较稳定，而且连接方式相对简单（主要是做好电源滤波，通常使用一个电容和电感构成的PI型滤波网络，输出端用一个小阻值的电阻过滤信号即可），不需要复杂的配置电路。有源晶振通常的用法：一脚悬空，二脚接地，三脚接输出，四脚接电压。相对于无源晶振，有源晶振的缺陷是其信号电平是固定的，需要选择好合适输出电平，灵活性较差，而且价格高。对于时序要求敏感的应用，个人认为还是有源的晶振好，因为可以选用比较精密的晶振，甚至是高档的温度补偿晶振。
按晶振的功能和实现技术的不同，可以将晶振分为以下四类：
1.恒温晶体振荡器(简称OCXO)
2.温度补偿晶体振荡器(简称TCXO)
3.普通晶体振荡器(简称SPXO)
4.压控晶体振荡器(简称VCXO