场致驱动电路

1. 夏华彩电e2930一开机就烧场效应驱动电路TDA4605-3和场效应管k2645是何原因

夏华E2903开机就烧场效应驱动电路TDA4605-3和场效应管k2645
1）换上的K2645开机测135电压。当电压升至110V-120瞬间K2645就烧毁了。查初级的尖峰吸收电路没有问题
2）查135V复载没有明显短路现象，二极管也没有损坏，换上K2645再次开机，电压还是没有升到135V，升到120V时K2645就又烧坏了
3）4605-3+K2645电源是很少损坏的，负载开路，光耦开路都不损坏负载也不烧场效应开关管，在维修中也比较常见。
4）实践中，135V二极管击穿损坏开机必烧场效应开关管。这是由4605——3内部的结构决定的。4605-3的内部有一个1点5伏的基准稳压供电，也是内部比较器，稳压保护控制器的供电端口。这个电压一旦低于1。5V就失去了稳压保护控制，K2645就击穿损坏了
5）135V二极管稳压管击穿短路，反馈到初级的反馈电压 大幅度下降，使4605-3内部的1。5V电压下降，也就造成了K2645击穿损坏
6）经检测夏华E2903开机烧K2645不是二极管损坏造成的，是135V二极管上并联的防冲击电容漏电，还有在135V电路接有一路12欧电阻（开路）和102电容（漏电）串联的防干扰电路损坏所致
7）更换上述二个电容一个电阻，换上一个K2645后，开机一切正常
黑龙江海兴邢海成

2. 场致发光原理

场致发光片(EL)的原理
EL（electronic luminescence）是通过加在两极的交流电压产生交流电场，被电场激发的电子版撞击荧光物质（zns），引起电权子能级的跳跃，变化、复合而发射出高效率冷光的一种物理观象,即电激发光现象。

3. 请教场效应管的简单接法

举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。

2，P沟道MOSFET管用法：（栅极G高电平D与S间截止，栅极G低电平D与S间导通）

栅极/基极(G)接控制信号，源极(S)接负载电源正极，漏极(D)接负载输入正极，负载输出负极直接接负载电源负极（模拟地）。

当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）1.2V以上时，源极(S)到漏极(D)导通，导通电流很小，可以认为源极(S)和漏极(D)直接短接。

这样负载正极被连通负载电源正极，负载工作。当栅极/基极(G)电压小于源极(S)电压（负载电源电压）不足1.2V，或栅极/基极(G)电压大于等于源极(S)电压时，源极(S)到漏极(D)电阻极大，可以认为源极(S)到漏极(D)断路，则负载不工作。

MOSFET场效应管做为快速开关元件的用法就简单说到这里，复杂理论咱不说它，知道怎么用就行了。如果仅仅是作为电子开关使用，也可以简单用三极管代替MOSFET管，只不过三极管的效率、开关速度、开关可靠性远不如MOSFET管。

(3)场致驱动电路扩展阅读

工作原理

场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。

在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过渡层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。

在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。

其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。

4. 固态继电器二极管及场效应管驱动电路详解

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5. 场效应管为什么要驱动

    首先要说的是，一般MOS工作在开关状态！
    场效应管输入电阻基本是无穷大，但是GS之间存在一个电容，而且场效应管能承受电流越大，Cgs一般也越大，在高速开关时，MOS会在突然导通与突然关断之间切换，那么前级的推动电路就需要对MOS的输入电容进行充放电，如果不要驱动电路，推动电路加在MOS上的电压上升速度或下降速度就可能不能满足要求（推动输出电阻越大，MOS的Vgs上升或下降越慢），这样就使得MOS在相当一部分时间内工作在线性区域，从而导致开关效率降低！
    所以一般MOS需要配置驱动电路来使Vgs上升、下降的快速性，从而提高效率！
    希望能对你有所帮助！

6. 场致发光的所需元器件

1、薄膜场致发光元件
2、用于定义有机场致发光显示器的电流抽样电路
3、带抵消阈电回压变化的补偿驱动晶体管的答电流驱动光电部件,如有机场致发光显示器
4、有源炬阵型显示装置及有源炬阵型有机场致发光显示装置
5、特别是场致发光显示装置的装置及其生产方法
6、在发射层中具有二芳基蒽梯形聚合物的电场致发光器件
7、有机场致发光器件
8、发光聚合物组合物和使用该组合物的有机场致发光显示器
9、提高有机化合物场致发光亮度及效率的新方法
10、场致发光彩色显示屏
11、有机场致发光器件
12、空穴迁移层以及制造利用该空穴迁移层的有机场致发光器件的方法
13、有机场致发光显示装置
14、场致发光显示器
15、电子电路、场致发光显示装置、电光装置和电子仪器
16、掩模及其制造方法、场致发光装置及其制造方法以及电子机器
17、发射黄光的化合物及其有机场致发光器件
18、使用间隔元件生产场致发光显示设备
19、具有层叠的场致发光单元的有机场致发光器件
20、有机场致发光模块

7. 求场效管驱动电路，如下图

场效应管驱动电压一般在10至15V之间5V不行的，导通不完全会导致内阻大发热大效率低，还有你三个场效应管并联没有均流电阻，会烧毁其中两只的。

8. 如何选择最适合的MOS管驱动电路

1、管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

2、MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

3、MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4、MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。

5、MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动。

5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：

(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。

(5)根据情况施加隔离。

9. 什么是场致电离

场致电离是利用强电场诱发样品分子电离，等离子电视又叫PDP(plasmadisplaypanel)电视，原理是每个像素点独立发光成像，跟等离子体没关系。

10. 无锡场致电子科技有限公司怎么样

简介：无锡场致抄电子科技有限公司成立于2011年11月25日，主要经营范围为许可经营项目：无一般经营项目：柔性电子显示产品、电子发光材料、辅助料理机器人、电动汽车充电器的研发、销售、技术服务等。
法定代表人：杜京军
成立时间：2011-11-25
注册资本：50万人民币
工商注册号：320205000170558
企业类型：有限责任公司（法人独资）
公司地址：无锡市锡山经济开发区芙蓉中三路99号