高端驱动电路

❶ 目前最新的驱动电路有哪些

种类太多了，得看是恒压驱动还是恒流驱动，如LED驱动就是恒流驱动。

❷ 半桥驱动电路工作原理及作用

半桥全桥的驱动电路是使功率管产生交流电的触发信号，并不是将交流信号变直流信号。
即使单片机可以输出直流信号，但是它的驱动能力也是有限的，所以单片机一般做驱动信号，驱动大的功率管，来产生大电流从而才能驱动电机。半桥驱动电路和半桥整流电路都可以称为半桥电路。 半桥驱动指的是上下两个部件交替输出的电路。 半桥整流指的是只对半波整流。半桥电路是两个三极管或MOS管组成的振荡， 全桥电路是四个三极管或MOS管组成的振荡。 全桥电路不容易产生泻流，而半桥电路在振荡转换之间容易泻有电流使波形变坏，产生干扰。 半桥电路成本底，电路容易形成，全桥电路成本高，电路相对复杂。 半桥电路是两个三极管或MOS管组成的振荡，全桥电路是四个三极管或MOS管组成的振荡。全桥电路不容易产生泻流，而半桥电路在振荡转换之间容易泻有电流使波形变坏，产生干扰。半桥电路成本底，电路容易形成，全桥电路成本高，电路相对复杂。 半桥电路包括用于驱动各个下部晶体管(T1)和上部晶体管(T2)的低端驱动模块(110)和高端驱动模块(210)。每个驱动模块(110，210)是电荷俘获电路，其中低端驱动模块(110)用电容性负载(C)上的电荷驱动低端晶体管(T1)，以及高端驱动模块(210)在它被高电压源驱动时交替地重新充电该电容性负载(C)。每个电荷俘获电路(110，210)还包括二极管(D1，D2。

❸ 逆变驱动电路。IR2110的高端，栅源极电压峰值为8V。为什么呢自举电容从0.1UF~10UF改变，电压波形不变

1. 兄弟.自举电容是会影响输出波形没错.而且是影响电压幅度.,

2. 我细细的看了一下电路.你应该说的内是C4吧. 那颗容电容准确的讲.应该叫校正. 而不是自举. 不会影响输出波形. 会影响带载能力. 如果此电容过小.负载电压.电流会畸形.

注: 纯属个人见解.如有不对之处.还请指教.多海涵.!!!!

❹ 求助关于用ir2112S的自举电路驱动BLDC，高端mosfet一直驱动不正常

不行。因为上桥臂的MOS管要饱和导通，必须要在门极与源极间加一个适当的电压回。一般约答10V左右，才能使MOS管导通时的内阻达到其额定值。此电压高一点其内阻会小一点，但太高则会损坏MOS管。当上桥臂MOS管导通时，其内阻Rds很小，甚至只有1～2mΩ，此时源极的电压基本上等于电源电压，那可能远高于控制驱动回路电压的。造成门极电压不可能高于源极要求的电压，上桥臂MOS管也就不可以很好的导通了。 解决的办法是，将上桥臂的驱动电路悬浮起来，Vs接上桥臂MOS管的S极，作为驱动电压的参考点。将自举电路中电容器在下桥臂导通时所充的电压（等于控制回路电压减去一个隔离二极管的正向压降约0.6V的电压）来提供对上桥臂的驱动，使上桥臂MOS管可以很好的饱和导通。 不用自举电路是不行的。在要求上桥臂MOS导管通时下桥臂MOS管肯定是截止的，下桥臂MOS管的漏极D（即上桥臂MOS管的源极S）的电压，可能远高于控制回路的电压，若将Vs接地，不仅不能满足上桥臂MOS管导通的要求，甚至损坏上桥臂MOS管与半桥驱动IR2110.

❺ 求N-MOS管高端驱动电路。

你找下逆变器的驱动，用专用的IC也可以，IR2110之类的

❻ 驱动电路都有哪些

主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间电路，称回为驱动电路。
一般是由三极答管组成的放大电路，理想的是开环电压放大倍数Aod=无穷
输入电阻Rid=无情，Ric=无穷
共模抑制比Kcmr=无穷
输出电阻Rod=0
-3DB带宽Fh=无穷

❼ 高端驱动和低端驱动分别是什么原理，有什么区别

高端功率开关驱动的原理非常简单，和低端功率开关驱动相对应，就是负载一端和开关管相连，另外一端直接接地。正常情况下，没有控制信号的时候，开关管不导通，负载中没有电流流过，即负载处于断电状态；反之，如果控制信号有效的时候，打开开关管，于是电流从电源正端经过高端的开关管，然后经过负载流出，负载进入通电状态，从而产生响应的动作。基本的驱动原理图如图所示。

一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET，N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动，驱动电流很小，驱动功耗低，而且工作频率可以很高，适用用高速控制，另外MOSFET的导通内阻很低，在mΩ级别，可以通过的稳定电流很大，因此适用于高功率的驱动。P型的MOSFET相对于同样的硅片面积，导通内阻较大，故N型适用较多。

区别：

高端驱动是指在负载的供电端进行开关操作，低端驱动是指在负载的接地端进行开关操作。显而易见的区别是，如果是低端驱动，那么负载一端会始终接供电。应用上有诸多差别，但各有优劣，比如，如果你要做电流采样，那么用高端开关需要做差分采样，低端开关可以一根线共地采样。另外还有一些安全性的考虑，比如，如果你的驱动失效会引起安全问题，显然高端开关更安全。

高端驱动是指相对于负载工作电压而言用高电压控制输出，而低端驱动则是指相对于负载工作电压而言用低电压控制输出。

❽ 哪种三极管驱动电路好

特点不同，要看前后级的关系，第一种是跟随输出，输入阻抗高，输出阻抗小，版当前级是高压小电流的时权候好，并且输出电压是受控前级电压，可做限幅开关，输出是电压源。第二种是反向共射集电极输出，适合前级是低压大电流，输出是阻抗高，也是电流源，当负载变化时，电流不变。如果前级是低阻，如TTL，适合第二种。补充的电路是二者的结合，光耦的漏电流容易被放大，所以要加R大约2K左右（看光耦的参数），如是继电器线圈，当释放电压低时，容易误动作，电流优点是可给线圈提快速建立电压。本例中如是继电器，属电流驱动，最好用集电极输出，但也要有R。
补充：你是驱动电磁阀啊，又要晶体管功耗低，补充的驱动管子压降很大，只能是第二种，把阀接到集电极上，并且1A的驱动电流要再加一级组成复合管

❾ 驱动电路的工作原理是什么

驱动电路，位于主电路和控制电路之间，用来对控制电路的信号进行放大的中间专电路（即放大控制电路的信属号使其能够驱动功率晶体管），称为驱动电路。
驱动电路的基本任务，就是将信息电子电路传来的信号按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，可以使其开通或关断的信号。对半控型器件只需提供开通控制信号，对全控型器件则既要提供开通控制信号，又要提供关断控制信号，以保证器件按要求可靠导通或关断。

❿ 如何选择最适合的MOS管驱动电路

1、管种类和结构

MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。

至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。

对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小，且容易制造。所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。

MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。

在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集成电路芯片内部通常是没有的。

2、MOS管导通特性

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

3、MOS开关管损失

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。缩短开关时间，可以减小每次导通时的损失;降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

4、MOS管驱动

跟双极性晶体管相比，一般认为使MOS管导通不需要电流，只要GS电压高于一定的值，就可以了。这个很容易做到，但是，我们还需要速度。

在MOS管的结构中可以看到，在GS，GD之间存在寄生电容，而MOS管的驱动，实际上就是对电容的充放电。对电容的充电需要一个电流，因为对电容充电瞬间可以把电容看成短路，所以瞬间电流会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要注意的是可提供瞬间短路电流的大小。

第二注意的是，普遍用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快，导通电阻也越小。现在也有导通电压更小的MOS管用在不同的领域里，但在12V汽车电子系统里，一般4V导通就够用了。

MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。讲述得很详细，所以不打算多写了。

5、MOS管应用电路

MOS管最显著的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动。

5种常用开关电源MOSFET驱动电路解析

在使用MOSFET设计开关电源时，大部分人都会考虑MOSFET的导通电阻、最大电压、最大电流。但很多时候也仅仅考虑了这些因素，这样的电路也许可以正常工作，但并不是一个好的设计方案。更细致的，MOSFET还应考虑本身寄生的参数。对一个确定的MOSFET，其驱动电路，驱动脚输出的峰值电流，上升速率等，都会影响MOSFET的开关性能。

当电源IC与MOS管选定之后， 选择合适的驱动电路来连接电源IC与MOS管就显得尤其重要了。

一个好的MOSFET驱动电路有以下几点要求：

(1)开关管开通瞬时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使MOSFET栅源极间电压迅速上升到所需值，保证开关管能快速开通且不存在上升沿的高频振荡。

(2)开关导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源极间电压保持稳定且可靠导通。

(3)关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压的快速泄放，保证开关管能快速关断。

(4)驱动电路结构简单可靠、损耗小。

(5)根据情况施加隔离。