A. 我想学好cmos从简单到复杂请大家 建议几本书 我已经在学拉扎维的模拟cmos集成电路设计
要看你来想学数字IC、还是模自拟IC，区别很大的。
如果想走模拟IC的路子，在电路、数电、模电、高频电子、半导体物理的基础上，可以开始看拉扎维的模拟cmos集成电路设计，关键是把这本书上的习题自己认真做做，比光看看有效果得多。
如果看完这本可以找《The Art of Layout》学学模拟IC的版图，模拟IC的电路和版图设计是无法分开的。
这两本看完了，就要术业有专攻了，看看你想入那个门，ADC/DAC、RF、Power、Amplifier等等，每人可以全通的，选一门慢慢修炼。
B. cmos集成电路设计手册 和 msd怎么学
没人会跟你去弄网表的，现在都用cadence仿真了。这个只是纯学术交流：（1）专Stage1每条支路的电流为属20uA，但是你的输入管M1和M2宽长比只有2/1，这样会严重限制你的输入电压范围。因为漏极电流定的情况下，W/L越小，Vg越大，这样会要求你的Vin的DC值很大。正常设计M1和M2会比较大，10/1乃至20/1都可能有。且输入管一般是长条形状，这样layout比较好做match。（2）M7的电流是175uA，是M4的8倍左右，一般而言，M6的宽长比也应该是M4的8倍，且L应该一致，这样stage1和stage2的输出电压DC值会一致。M4：W=12uL=4u，M6：W=12uL=4uFinger=8。（3）关于输出摆率，主要是stage2支路电流对输出电容进行充电，Imax/Ctotal=V/t=175u/6.5p=27V/us，之所以你仿真的值很小，个人怀疑你输出级的电流根本就没有175uA，或者你的仿真条件设置有误。仿真输出摆率时，输入电压Vin的risetime要小，1ps或者1ns。不然你输入变的慢，输出也自然慢了。
C. 拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》 看这本书 大家能不能给点建议
这本书理论性强，较Allen的易理解，最基础的搞搞通，听说面试的时候都考基础的东西。
D. 在cmos集成电路设计这本书中，我算的Adm分子系数和书上所述不一致，请问书上是怎么得到这个结果的
书上的式子是将电路画成微变等效电路图后分析所得。请将你的分析过程传来。
E. 《CMOS集成电路设计基础》课后习题答案
我给你发个地址，请用微博账号下载（也可以不登陆）
http://ishare.iask.sina.com.cn/search.php?key=%CB%EF%D0%A4%D7%D3&classid=0&format=&order=&uid=0&id=0&page=0
F. 谁有拉扎维的那本《模拟CMOS集成电路设计》书的文档，要英文版本的谢谢
你发往[email protected] 谢谢
G. 新人请教，CMOS模拟电路设计用哪本书好
《Design of Analog CMOS Integrated Circuits》------BY Behzad Razavi
如果入门抄的话，可以参考下面这本书：
《Fundamentals of Microelectronics》------BY Behzad Razavi
这基本上是最权威的两本书了，强烈推荐，第一本的话，国内有中文翻译版的
《CMOS集成电路设计》西安交通大学出版社的，不过还是希望你看英文原版的，很多东西感觉翻译以后怪怪的（个人观点）
望采纳
H. 学习模拟集成电路要先看那些书（以及cmos集成电路）
其实学完模拟电子技术和电路分析就可以了，半导体器件原理不学也可以看内拉扎维的容入门的书《模拟CMOS集成电路设计》毕查德.拉扎维 著 陈贵灿 程军 张瑞智 等译 西安交通大学出版社。这本是经典！不过依你目前的情况，再学习个半导体器件原理最好了。半导体物理我觉得学不学其实关系不大，只是公式里面的一些参数值不懂是什么意思。但那都与工艺有关，当做常量就行了。对于进行电路设计来说影响不大。
I. 请问关于学习拉扎维的那本 cmos模拟集成电路设计
cmos模拟集成电路设计
这本书是模拟集成电路设计方面的书，需要具备半导体物理及器件以及基本的模电知识作为基础，要深入的话需要信号与系统和数学方面的扎实功底。
相似书籍还有艾伦，格雷等的模拟集成电路设计