电路单结管

① 在电路中接入单结晶体管时,把b1,b2反接,管子会不会烧坏

一般不会烧坏，只是触发不了。就是加了触发信号没有反应。

② 单向触发电路就是单结晶体管触发电路吗

单向触发电路肯定不是单结晶体管触发电路。
单结晶体管触发电路是利用单结晶体管内(又称双基极二极管容)的负阻特性，使它在特定的电压下导通，从而产生触发信号，这个电路常用在晶闸管(SCR)的触发电路中。
你说的单向触发电路我一时还说不清，单向触发顾名思义，只向一个方向触发，这样的电路太多了，比如，RS触发器，R端永远置0，它怎么也不可能置1，它算不算单向触发电路呢。

③ 这个单结晶体管触发电路电路图的工作原理是什么 还有图中所注四个点的波形图怎么画

简单说，就是3点电压（电容电压）升高到某一个值后，单结管导通，那版么4点的电阻与3点的电容构成权回路，电容放电，当3点电压（电容电压）降低到某一个值后，单结管截止，电源通过点上面的电阻开始对电容充电，如此反复，所以3点波形是三角波，4点波形是脉冲方波；
1点波形是全波整流后又无滤波时的波形，2点波形，因为有稳压管的作用而是1点波形的削波；

④ 单向晶闸管，单结晶体管，稳压管在电路中的作用和导通条件

单向晶闸管导通条件：大于峰点电压时导通，小于谷底电压时截止。单结晶体管的作用：作为调压开关。稳压管作用：把电压稳定在8V上。

⑤ 单结管的结构是怎样的

单结晶体管有一复个PN结和三个电制极，即一个发射极和二个基极，所以又叫双基极二极管。
单结晶体管有一个重要的电气特性——负阻特性，利用这种特性可以组成张弛振荡器、自激多谐振荡器、阶梯波发生器、定时器等多种脉冲单元电路。
单结晶体管的内部结构：在一块高阻率的N型硅片两端，制作两个接触电极，分别叫第一基极b1和第二基极b2，硅片的另一侧在靠近第二基极b2处制作了一个PN结，并在P型硅片上引出电极E，E叫发射极。
第一基极b1和第二基极b2之间的纯电阻，称为基区电阻，一般在2 KΩ~ 10
KΩ之间。第一基极b1与发射极E之间的电阻，在正常工作时，将随发射极电流而变化。PN结的作用相当于一个二极管。
在阻值比较中，E-b1的阻值较大，E-b2的阻值较小；即E-b1的阻值 大于 E-b2的阻值。
用万用表测单结晶体管的阻值，第一基极b1和第二基极b2之间的正反电阻均一样，为正常，否则该单结晶体管性能不好。

⑥ 单结晶体管触发电路由哪三个部分组成

单结晶体管触发电路由单结晶体管和相关阻容元件构成一个张弛振荡器专。这个是其一部属分。
振荡器的供电由同步变压器及桥式整流电路提供。倍频后经过限幅的电压周期性的过零（50Hz时的周期为10ms），起到触发信号的同步作用。这个部分可以称为电源部分。
第三个部分是脉冲输出部分。可以直接输出到可控硅，也可以通过脉冲变压器输出。

⑦ 单结晶体管有什么作用是怎样工作的

单结晶体管的工作原理

将双基极二极管按图(a)接于电路之中，观察其特性。首先在两个基极之间加电压UBB，再在发射极E和第一基极B1之间加上电压UE，UE可以用电位器RP进行调节。这样该电路可以改画成图2(b)的形式，双基极二极管可以用一个PN结和二个电阻RB1、RB2组成的等效电路替代。

UBB＋UD），单结晶体管内的PN结处于反向偏置，E与B1之间不能导通，呈现很大电阻。当UE很小时，有一个很小的反向漏电流。随着UE的增高，这个电流逐渐变成一个大约几微安的正向漏电流。这一段在图3所示的曲线中称为截止区，即单结晶体管尚未导通的一段。

⑧ 什么是单结晶体管为什么他可以用于单向晶闸管的触发电路

单结晶体管也叫做双基极二极管，两个基极一个连接电源一个接地通过电阻具有一定分压比当电容充电到一定程度通过发射结放电形成触发可控硅的电压。

⑨ 6.[简答题] 单结晶体管可用于什么电路

单结晶体管可用于脉冲发生电路。

⑩ 单结晶体管的应用

单结晶体管具有大的脉冲电流能力而且电路简单，因此在各种开关应用中，在构成定时电路或触发SCR等方面获得了广泛应用。它的开关特性具有很高的温度稳定性，基本上不随温度而变化。
图4所示为单结晶体管组成的振荡电路。所谓振荡，是指在没有输入信号的情况下，电路输出一定频率、一定幅值的电压或电流信号。当合闸通电时，电容C上的电压为零，管予截止，电源VBB通过电阻R对C充电，随时间增长电容上电压uC逐渐增大；一旦UEB1增大到峰点电压UP后，管子进入负阻 区，输入端等效电阻急剧减小，使C通过管子的输入回路迅速放电，iE随之迅速减小，当UEB1减小到谷点电压Uv后，管子截止；电容又开始充电。上述过程 循环往返，只有当断电时才会停止，因而产生振荡。由于充电时间常数远大于放电时间常数，当稳定振荡时，电容上电压的波形如图4(b)所示。
图4 单结晶体管组成的振荡电路及波形
为了提高使用可靠性，在使用过程中应注意以下问题：
（1）在第二基极B2上串联1个限流电阻R2，限制单结管的峰值功率
（2）电路中的CT或VP（峰值电压）较大时，CT上应串联一个保护电阻，以保护发射极B1不受到电损伤。例如：电容CT大于10μF或 VP大于30V时就应适当串电阻，这个附加电阻的阻值至少应取每微法CT串1Ω电阻。否则，较大的电容器放电电流会逐渐损伤单结管的EB1结，使振荡器的 振荡频率或单稳电路的定时宽度随着时间的增长而逐渐发生变化。
（3）在某些应用中，用一只二极管与单结管的基极B2或发射极E相串联，这样可改善温度稳定性及减小电源电压变化的影响
（4）单结管和硅可控整流器的抗辐照特性很差，不宜在辐照环境中使用。