整流櫃里可控硅前面為什麼家電抗

① 電除塵高壓控制櫃里的可控硅的作用是什麼變壓器里有硅堆的作用是什麼

電除塵器工作電壓是高壓脈沖直流電壓，所以需要用變壓器將電壓上升到35-66KV左右，再整流為直流電壓，變壓器里的硅堆就是整流用的。而控制櫃里的可控硅是控制電源導通角的，由於不同的煙囪濃度和組成需要不同的脈沖波，需要靠可控硅來進行控製得到這些不同的脈沖波

② 硅整流櫃和可控硅整流櫃的區別

整流櫃，一般是指用整流二極體組成的整流電路，直流裝置。特點：輸出電壓不可控。可控硅整流，是指用可控硅組成的整流電路。特點：輸出電壓可控。但、需要用觸發電路來控制。

③ 可控硅整流櫃的工作原理及注意事項

可控硅整流櫃的工作原理如下：
1、可控硅是P1N1P2N2四層三端結構元件，共有三個PN結，分析原理時，可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成。
2、當陽極A加上正向電壓時，BG1和BG2管均處於放大狀態。此時，如果從控制極G輸入一個正向觸發信號，BG2便有基流ib2流過，經BG2放大，其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連，所以ib1=ic2。此時，電流ic2再經BG1放大，於是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2。這個電流又流回到BG2的基極，表成正反饋，使ib2不斷增大，如此正向饋循環的結果，兩個管子的電流劇增，可控硅使飽和導通。
3、由於BG1和BG2所構成的正反饋作用，所以一旦可控硅導通後，即使控制極G的電流消失了，可控硅仍然能夠維持導通狀態，由於觸發信號只起觸發作用，沒有關斷功能，所以這種可控硅是不可關斷的。

可控硅整流櫃注意事項如下：
1、把可控硅整流器安放好，並保持其穩定，為保證整流器通風良好，其前後左右0.5m以內不要有任何物體。另外，避免可控硅整流器在充滿粉塵和腐蝕性氣體的環境中工作，並遠離產熱源，和潮濕地帶，相對濕度5%~70%，環境溫度-25℃~40℃，以延長機器壽命。
2、檢查一下可控硅整流器機器外殼有無松動，埠有無在運輸過程中損壞，確認三相空氣開關處於斷開位置。
3、找出電源輸入線，分別接好引線，將遠控線對好插座的凹凸部位插牢並旋緊。
4、機箱後面外殼左下角有「 」標識，請接入大地，預防靜電。
5、將功率調節旋鈕⑤逆時針旋轉到底（最小狀態）。
6、閉合空氣開關，此時風扇開始轉動，電源指示燈①亮。故障燈④會閃爍數次隨即熄滅。
7、將「工作/待機」開關②撥至「待機」檔，然後撥至「工作」檔。
8、順時針旋轉調節旋鈕⑤，當「穩壓/穩流」開關置於「穩壓」檔時，電壓表讀數隨即增加至所需值，電流表根據負載大小做出相應指示；當「穩壓/穩流」開關置於「穩流」檔時，有負載情況下，電流表讀數隨著增加至所需值，電壓表根據負載大小做出相應指示，無負載時，順時針旋轉調節旋鈕，電壓指示最高值，電流表指示為零。
9、關閉電源時應先將調節旋鈕逆時針旋到底，將「工作/待機」開關撥至「待機」檔，斷開空氣開關。
10、機器正常工作時，外殼由於機內高頻磁場的影響會產生渦流使外殼發熱，並且有靜電，屬正常現象。
11、水冷可控硅整流器，在進水口中接水源管，出水口接好出水管，檢查進水是否順暢，機器出廠時已調好水壓開關，工作時，不能低於所調水壓。

④ 可控硅在電路中的作用以及連接方式

可控硅，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、專壽命長等優點。在自動控屬制系統中，可作為大功率驅動器件，實現用小功率控制項控制大功率設備。它在交直流電機調速系統、調功系統及隨動系統中得到了廣泛的應用。

可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結構上相當於兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向導通功能。其通斷狀態由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖(或負脈沖)可使其正向(或反向)導通。這種裝置的優點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關使用。

220v雙向可控硅電路圖（上圖）

⑤ 可控硅的工作原理和主要作用

一、可控硅的工作原理：

1、雙向可控硅：雙向可控硅是一種硅可控整流器件，也稱作雙向晶閘管。這種器件在電路中能夠實現交流電的無觸點控制，以小電流控制大電流，具有無火花、動作快、壽命長、可靠性高以及簡化電路結構等優點。

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1、可控硅從外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三種，螺旋式的應用較多。可控硅有三個電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導體和N型導體交迭組成的四層結構，共有三個PN結。

2、可控硅和只有一個PN結的硅整流二極度管在結構上迥然不同。可控硅的四層結構和控制極的引用，為其發揮「以小控大」的優異控制特性奠定了基礎。

3、在應用可控硅時，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽極電流或電壓。電流容量達幾百安培以至上千安培的可控硅元件。

4、一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

⑥ 可控硅過電流的原因及保護方法

產生過電流的原因多種多樣，當變流裝置內部元件損壞、控制或觸發系統發生故障、可逆傳動環流過大或逆變失敗、交流電壓過高、過低或缺相、負載過載等，均會引起裝置中電力電子器件的電流超過正常工作電流。由於晶閘管的過流能力比一般電氣設備低得多，因此，必須對晶閘管採取過電流保護措施。
閘管裝置中可能採用的幾種過電流保護措施：
1、交流進線串接漏抗大的整流變壓器
利用電抗限制短路電流，但此種方法在交流電流較大時存在交流壓降。
2、電檢測和過流繼電器
電流檢測是用取樣電流與設定值進行比較，當取樣電流超過設定值時，比較器輸出信號使移相角增大或拉逆變以減少電流。有時須停機。
3、直流快速開關
對於變流裝置功率大且短路可能性較多的場合，可採用動作時間只有2ms的直流快速開關，它能夠先於快速熔斷器斷開而保護了晶閘管，但價格昂貴使用不多。
4、快速熔斷器
與普通熔斷器比較，快速熔斷器是專門用來保護電力半導體功率器件過電流的元件，它具有快速熔斷的特性，在流過6倍額定電流時其熔斷時間小於工頻的一個周期（20ms）。
快速熔斷器可接在交流側、直流側或與晶閘管橋臂串聯，後者直接效果最好。一般說來快速熔斷器額定電流值（有效值IRD）應小於被保護晶閘管的額定方均根通態電流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同時要大於流過晶閘管的實際通態方均根電流（即有效值）IRMS。

⑦ 電容櫃里的可控硅在抗器下端好還是上端好

1、電容櫃里的可控硅在抗器上端好。
2、可控硅，是可控硅整流元件的簡稱，是一種具有三個PN結的四層結構的大功率半導體器件，亦稱為晶閘管。具有體積小、結構相對簡單、功能強等特點，是比較常用的半導體器件之一。該器件被廣泛應用於各種電子設備和電子產品中，多用來作可控整流、逆變、變頻、調壓、無觸點開關等。家用電器中的調光燈、調速風扇、空調機、電視機、電冰箱、洗衣機、照相機、組合音響、聲光電路、定時控制器、玩具裝置、無線電遙控、攝像機及工業控制等都大量使用了可控硅器件。
3、電力系統中的負載類型大部分屬於感性負載，加上用電企業普遍廣泛地使用電力電子設備，使電網功率因數較低。較低的功率因數降低了設備利用率，增加了供電投資，損害了電壓質量，降低了設備使用壽命，大大增加了線路損耗。

⑧ 可控硅整流器的簡介

可控硅整流器是一種常用的電力半導體電子器件，具有控制開關數千瓦乃至兆瓦級電功率的能力.從結構上說，它是 一種反向截止三極體型的閘流晶體管，由三個PN結(PN-PN四層)構成.器件的外引線有陰極、陽極、控制極三個電極，典型大電流可控硅整流器的示意剖面見圖.器件的反向特性(陽極接負)和PN結二極體的反向特性相似;其正向特性，在 一定范圍內器件處於阻抗很高的關閉狀態(正向阻斷態，即伏安特性一象限中虛線下的實線部分).當正向瞬間電壓大於轉折電壓時，器件迅速轉變到低電壓大電流的通導狀態.

處於正向阻斷態的器件，如果給予控制極一低功率的觸發信號(使控制極-陰極PN結導通)，則器件可迅速被激發到導通狀態，之後毋須繼續保持觸發電流即可維持在通導狀態，此時若將電流降至維持電流(伏安特性虛線處)以下，器件可恢復到阻斷狀態.
可控硅整流器：主電路採用三相橋或雙反星形帶平衡電抗器電路。可控硅元件採用大功率元件，節能顯著。主控制系統採用大板高檻抗干擾、大規模集成控制板；模塊及集成元件全部採用進口，可靠性高。具有自動穩壓、穩流，穩定精度優於1%。具有0~60S軟起動，電鍍氧化著色時間可任意設定，自動定時。採用多相整流，減小輸出電壓紋波系數ru，特別適應於鍍硬鉻工藝，表面光潔度好，鍍層厚度均勻。冷卻方式：水冷、風冷、自冷。
晶閘管全稱晶體閘流管，又稱可控硅:是一種功率半導體器件。它具有容量大、效率高、可控性好、壽命長以及體積小等諸多優點，是弱電控制和被控強電之間的橋梁。從節能的觀點出發，電力電子技術被譽為新電氣技術。我國的能源利用率較低，按國民生產單產能耗計算，我國則是法國的4.98倍、日本的4.43倍，因此以晶閘管為核心的電氣控制裝置的普及使用是我國有效節約電能的一項重要措施。

⑨ 可控硅為什麼會被擊穿

1、過壓擊穿：
過壓擊穿是可控硅擊穿的主要原因之一，可控硅對過壓的承受能力幾乎是沒有時間的，即使在幾毫秒的短時間內過壓也會被擊穿的，因此實際應用電路中，在可控硅兩端一定要接入RC吸收迴路，以避免各種無規則的干擾脈沖所引起的瞬間過壓。如果經常發生可控硅擊穿，請檢查一下吸收迴路的各元件是否有燒壞或失效的。
2、過流與過熱擊穿：其實過流擊穿與過熱擊穿是一回事。過流擊穿就是電流在通過可控硅晶元時在晶元內部產生熱效應，使晶元溫度升高，當晶元溫度達到175℃時晶元就會失效且不能恢復。在正常的使用條件下，只要工作電流不超過可控硅額定電流是不會發生這種熱擊穿的，因為過流擊穿原理是由於溫度升高所引起的，而溫度升高的過程是需要一定時間的，所以在短時間內過流（幾百毫秒到幾秒時間）一般是不會擊穿的。
3、過熱擊穿：這里所說的過熱擊穿是指在工作電流並不超過可控硅額定電流的情況下而發生的熱擊穿，發生這種擊穿的原因主要是可控硅的輔助散熱裝置工作不良而引起可控硅晶元溫度過高導致擊穿。