NMOS電路

❶ NMOS管高邊驅動，希望能夠設計一個升壓驅動電路使柵極電壓高於電源電壓，使NMOS管導通。。。

如圖：我自己對MOS管的理解就是P型在應用時柵極應給個上拉的正偏的電壓，N型柵極拉低讓其零偏回或答反偏；可是看到有人在電路中應用時沒有加那個下拉電阻。
這個電路MOS管只用作開關作用，那是不是說MOS在實際應用時，在數電和模電電路中的用法不一樣？ 像圖里這樣應用會不會對電路有什麼影響？
也就是說這個下拉電阻有沒有對電路有什麼影響，為什麼？？？

❷ pmos與nmos的辨別 該電路圖中的場效應管都是PMOS嗎有NMOS嗎哪些是

這些箭頭指向是電流方向，所以和三極體的判斷方式一樣。如果是襯底PN結指向，則跟三極體的相反。所以上面4個是Pmos,下面5個是Nmos

❸ 求簡單的NMOS的開關電路

錯了這么接

❹ 請教：MOS管做開關電路

MOS管作為開關元件，同樣是工作在截止或導通兩種狀態。由於MOS管是電壓控制元件，所以主要回由柵源電壓uGS決定其答工作狀態。

MOS管在導通與截止兩種狀態發生轉換時同樣存在過渡過程，但其動態特性主要取決於與電路有關的雜散電容充、放電所需的時間，而管子本身導通和截止時電荷積累和消散的時間是很小的。

MOS管也是三端壓控元件，三端分別是G、D、S，可以等效於普通三極體的B、C、E三極，VGS的電壓（=VG-VS）控制Mos 開關狀態:

當VGS大於Von（開啟電壓，NMOS為2~4V，PMOS為-2~-4V）時就使得Mos打開，D& S兩極之間導通，壓降為零，阻抗較小，零點幾歐姆；

同理當VGS小於Von時就使得Mos處於關閉狀態，D& S兩極之間阻抗很大；

所以，G極就是控制極；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值為4V，可是擊穿電壓為正負20V；又比如IRF9530，開啟電壓為最大-4V，也就是說Vgs=-5V時已經打開，開啟電壓上限也為正負20V，當Vgs=-21V或者22V時，管子會被擊穿。通常使用時，可以使所加電壓Vgs=正負9伏比較適合。

❺ 一個PNP普通三極體控制一個NMOS的開關電路，開關ON時燈泡亮，求電路圖並說明原理

給你這個電路圖做參考，手摸AN1,燈逐漸亮，摸AN2燈逐漸暗。

❻ NMOS晶體管的工作原理

NMOS晶體管的工作原理：
在一塊摻雜濃度較低的P型硅襯底（提供大量可以動回空穴）答上，製作兩個高摻雜濃度的N+區(N+區域中有大量為電流流動提供自由電子的電子源)，並用金屬鋁引出兩個電極，分別作漏極D和源極S。然後在半導體表面覆蓋一層很薄的二氧化硅(SiO2)絕緣層，在漏——源極間的絕緣層上再裝上一個鋁電極（通常是多晶硅）,作為柵極G。在襯底上也引出一個電極B，這就構成了一個N溝道增強型MOS管。MOS管的源極和襯底通常是接在一起的。
NMOS晶體管簡介：
NMOS英文全稱為：N-Mental-Oxide-Semiconctor。 意思為N型金屬-氧化物-半導體，而擁有這種結構的晶體管我們稱之為NMOS晶體管。 MOS晶體管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，由NMOS組成的電路就是NMOS集成電路，由PMOS管組成的電路就是PMOS集成電路，由NMOS和PMOS兩種管子組成的互補MOS電路，即CMOS電路。

❼ 在設計一個Nmos管功率驅動電路來控制48VDC電壓的通斷，採用IRF3810mos管

對於場效應管的輸入阻抗來說，光耦關斷時的漏電流足以使它導通，你應該在場效應管的回控制極接一隻下答偏置電阻才行，因為光耦不管是導通還是截止對場效應管來說都是導通狀態，在R10和R15下端各接上一隻下偏置電阻就行了，取值以光耦導通時的分壓足以使場效應管導通，關斷時又可以將電壓置於接近零為准，哦，R10和R15取值太小了，光耦會燒斷的，可以將阻值增大一千倍

❽ 怎麼用NMOS表現F=ABC 和F=A+B+C 邏輯電路分析

對於CMOS電路，分為抄N網路和P網路。
P網路在上，N網路在下。
P網路的邏輯是與並或串，N網路與串或並。
這樣出來的結果是反邏輯。

比如F=ABC，這是與邏輯，上面的P網路就是三隻PMOS並聯（源端連一起接電源，漏端連在一起作為輸出），然後三隻PMOS的柵極分別接信號A、B、C。
對於下面的N網路，三隻NMOS依次串聯，柵極接ABC。最上面的一個NMOS的漏端作為輸出，最下面的NMOS源端接地。
這樣出來的是反邏輯，就是F取非，再在輸出端接一個非門就可以了。

對於或邏輯以此類推。