靜態門電路

㈠ 邏輯門電路有哪些特性和參數,並給出參數的定義

主要有以下參數: 1、工作電源上下限 2、輸入高低電平上下限 3、輸出高低電平上下限 4、輸入阻抗 5、輸出阻抗。CMOS門電路由單極型MOS管構成的門電路稱為Mos門電路。MOS電路具有製造工藝簡單、功耗低、集成度高、電源電壓使用范圍寬、抗干擾能力強等優點，特別適用於大規模集成電路。MOS門電路按所用MOS管的不同可分為三種類型：第一種是由PMOS管構成的PMOS門電路，其工作速度較低；第二種是由NMOS管構成的NMOS門電路，工作速度比PMOS電路要高，但比不上TTL電路；第三種是由PMOS管和NMOS管兩種管子共同組成的互補型電路，稱為CMOS電路，CMOS電路的優點突出，其靜態功耗極低，抗干擾能力強，工作穩定可靠且開關速度也大大高於NMOS和PMOS電路，故得到了廣泛應用。MOS管主要參數1、開啟電壓VT·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。2、直流輸入電阻RGS·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比·這一特性有時以流過柵極的柵流表示·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。3、漏源擊穿電壓BVDS·在VGS=0（增強型）的條件下，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS·ID劇增的原因有下列兩個方面：（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿，（2）漏源極間的穿通擊穿。

㈡ TTL電路和CMOS電路的區別和聯系

聯系：CMOS電路與TTL電路通過電平轉換能使兩者電平域值能匹配。兩者區別如下：

一、主體不同

1、TTL電路：是晶體管-晶體管邏輯電路。

2、CMOS電路：是互補型金屬氧化物半導體電路。

二、特點不同

1、TTL電路：採用雙極型工藝製造，具有高速度低功耗和品種多等特點。

2、CMOS電路：靜態功耗低,每門功耗為納瓦級；邏輯擺幅大近似等於電源電壓；抗干擾能力強，直流雜訊容限達邏輯擺幅的35%左右。

三、構成不同

1、TTL電路：採用等平面工藝製造的先進的STTL(ASTTL)和先進的低功耗STTL（ALSTTL）。

2、CMOS電路：由絕緣場效應晶體管組成，由於只有一種載流子，因而是一種單極型晶體管集成電路，其基本結構是一個N溝道MOS管和一個P溝道MOS管

㈢ 什麼是靜態時的電流

靜態工作點就是沒有輸入時仍然微導通的點。NPN三極體的導通條件是基級電版位大於發射權機電位。那麼輸入是0，基級電位是0，所以發射級電位必須是-UBEQ。我們平時說的三極體的UBEQ是默認發射極是接地的。

三極體的靜態基極電位是Ubq由Vcc經電阻分壓得到，可認為其基本上不受溫度變化影響，比較穩定。當溫度升高時，集電極電流Ic增大，發射極電流Ie也相應增大。發射極電位Ueq升高，三極體的發射結電壓將降低，從而使靜態基極電流下降，於是Ic也隨之減小。這實際上是通過發射極電流的負反饋作用來牽制集電極電流變化。如過學到負反饋就好明白了

㈣ CMOS門電路的特點:靜態功耗__，動態功耗隨工作頻率的提高而_，輸入電阻_，雜訊容限_於TTL門

CMOS門電路，使用頻率高（相對ttl）功耗小，驅動損耗小，自身消耗低，易於集成，但應用中要處理好，傳輸和干擾問題。