pcd集成電路

A. 用數字萬用表怎麼測集成電路IC的好壞

萬用表測試IC,測不出什麼玩意來的,除非你知道的內部結構!
測試集成電路是否燒壞或短路需要專業的知識，一般沒有這方面知識和技能的人，可以通過仔細觀察IC的外觀，做出一些簡單的判斷：IC表面是否有燒過的痕跡，象鼓包，裂紋，變色等。IC引腳是否有斷裂，脫焊。IC是否有燒過的糊味。IC周邊的原件是否異常。下面是用萬用表作為檢測工具的集成電路的檢測方法：

一、不在路檢測
這種方法是在IC未焊入電路時進行的，一般情況下可用萬用表測量各引腳對應於接地引腳之間的正、反向電阻值，並和完好的IC進行比較。

二、在路檢測
這是一種通過萬用表檢測IC各引腳在路（IC在電路中）直流電阻、對地交直流電壓以及總工作電流的檢測方法。這種方法克服了代換試驗法需要有可代換IC的局限性和拆卸IC的麻煩，是檢測IC最常用和實用的方法。

1．在路直流電阻檢測法
這是一種用萬用表歐姆擋，直接在線路板上測量IC各引腳和外圍元件的正反向直流電阻值，並與正常數據相比較，來發現和確定故障的方法。測量時要注意以下三點：
(1)測量前要先斷開電源，以免測試時損壞電表和元件。
(2)萬用表電阻擋的內部電壓不得大於6V，量程最好用R×100或R×1k擋。
(3)測量IC引腳參數時，要注意測量條件，如被測機型、與IC相關的電位器的滑動臂位置等，還要考慮外圍電路元件的好壞。

2．直流工作電壓測量法
這是一種在通電情況下，用萬用表直流電壓擋對直流供電電壓、外圍元件的工作電壓進行測量；檢測IC各引腳對地直流電壓值，並與正常值相比較，進而壓縮故障范圍，找出損壞的元件。測量時要注意以下八點：
(1)萬用表要有足夠大的內阻，至少要大於被測電路電阻的10倍以上，以免造成較大的測量誤差。
(2)通常把各電位器旋到中間位置，如果是電視機，信號源要採用標准彩條信號發生器。
(3)表筆或探頭要採取防滑措施。因任何瞬間短路都容易損壞IC。可採取如下方法防止表筆滑動：取一段自行車用氣門芯套在表筆尖上，並長出表筆尖約0．5mm左右，這既能使表筆尖良好地與被測試點接觸，又能有效防止打滑，即使碰上鄰近點也不會短路。
(4)當測得某一引腳電壓與正常值不符時，應根據該引腳電壓對IC正常工作有無重要影響以及其他引腳電壓的相應變化進行分析，才能判斷IC的好壞。
(5)IC引腳電壓會受外圍元器件影響。當外圍元器件發生漏電、短路、開路或變值時，或外圍電路連接的是一個阻值可變的電位器，則電位器滑動臂所處的位置不同，都會使引腳電壓發生變化。
(6)若IC各引腳電壓正常，則一般認為IC正常；若IC部分引腳電壓異常，則應從偏離正常值最大處入手，檢查外圍元件有無故障，若無故障，則IC很可能損壞。
(7)對於動態接收裝置，如電視機，在有無信號時，IC各引腳電壓是不同的。如發現引腳電壓不該變化的反而變化大，該隨信號大小和可調元件不同位置而變化的反而不變化，就可確定IC損壞。
(8)對於多種工作方式的裝置，如錄像機，在不同工作方式下，IC各引腳電壓也是不同的。

3．交流工作電壓測量法
為了掌握IC交流信號的變化情況，可以用帶有dB插孔的萬用表對IC的交流工作電壓進行近似測量。檢測時萬用表置於交流電壓擋，正表筆插入dB插孔；對於無dB插孔的萬用表，需要在正表筆串接一隻0．1～0．5μF隔直電容。該法適用於工作頻率比較低的IC，如電視機的視頻放大級、場掃描電路等。由於這些電路的固有頻率不同，波形不同，所以所測的數據是近似值，只能供參考。

4．總電流測量法
該法是通過檢測IC電源進線的總電流，來判斷IC好壞的一種方法。由於IC內部絕大多數為直接耦合，IC損壞時（如某一個PN結擊穿或開路）會引起後級飽和與截止，使總電流發生變化。所以通過測量總電流的方法可以判斷IC的好壞。也可用測量電源通路中電阻的電壓降，用歐姆定律計算出總電流值。

以上檢測方法，各有利弊，在實際應用中最好將各種方法結合起來，靈活運用。

B. 集成電路的封裝形式有哪些

常用集成電路的封裝形式

DIP

Dual Inline Package

雙列直插式封裝

FBGA

Fine-Pitch
Ball Grid Array

細密球型網數組

FTO220

LQFP

微型四方扁平封裝

PCDIP

PQFP

Plastic
Quad Flat Package

塑料四方扁平封裝

PSDIP

QFP

Quad Flat Package

SDIP

雙列直插封裝

SO

Small Outline Package

SOP EIAJ TYPE II 14L

Small
Outline Package

小型外框封裝

SOT220

small
outline transistor

小外形晶體管

TO220

TSOP

Thin Small Outline Package

薄型小尺寸封裝

TSSOP or TSOP II

Thin Shrink Outline Package

引腳超薄緊縮小型封裝

PLCC

Plastic
Leaded Chip Carrier

塑料引線晶元載體

C. iso14443的標准簡介

⒈范圍
ISO/IEC14443的這一部分規定了鄰近卡（PICC）的物理特性。它應用於在耦合設備附近操作的ID－1型識別卡。
ISO/IEC14443的這一部分應與正在制定的ISO/IEC14443後續部分關聯使用。
⒉標准引用
下列標准中所包含的條文，通過坦告在本標准中引用而構成為本標準的條文。本標准出版時，所示版本均為有效。所有標准都會被修訂，使用ISO/IEC14443 這一部分的各方應探討使用下列最新版本標準的可能性。ISO 和IEC的成員修訂當前有效國際標準的紀錄。
ISO/IEC7810：1995，識別卡——物理特性。
ISO/IEC10373，識別卡——測試方法。
⒊定義，縮略語和符號
⒊1定義
下列定義適用於咐旅ISO/IEC14443的這一部分：
⒊1.1集成電路Integrated circuit(s）（IC）：
用於執行處理和/或存儲功能的電子器件。
⒊1.2無觸點Contactless：
完成與卡的信號交換和給卡提供能量，而無需使用微電元件（即：從外部介面設備到卡上的集成電路之間沒有直接路徑）。
⒊1.3無觸點集成電路卡Contactless integrated circuit(s) card：
ID－1型卡類型（如ISO/IEC7810中所規定），在它上面有集成電路，並且與集成電路的通信是用無觸點的方式完成的。
⒊1.4鄰近卡Proximity card（PICC）
D－1型卡，在它上面有集成電路和耦合工具，並且與集成電路的通信是通過與鄰近耦合設備電感耦合完成的。
⒊1.5鄰近耦合設備Proximity coupling device（PCD）
用電感耦合給鄰近卡提供能量並控制與鄰近卡的數據交換的讀/寫設備。
⒋物理特性
⒋1一般特性
鄰近卡應有根據ISO/IEC7810中規定的ID－1型卡的規格的物理特性。
⒋2尺寸
鄰近卡的額定尺寸應是ISO/IEC7810中規定的ID－1型卡的尺寸。
⒋3附加特性
⒋3.1紫外線
ISO/IEC14443 的這一部分排除了大於海平面普通日光中的紫外線的紫外線水平的防護需求，超過周圍紫外線水平的防護應是卡製造商的責任。
⒋3.2X－射線
卡的任何一面曝光0.1Gy劑量，相當於100KV的中等能量X—射線（每年的累積劑量），應不引起卡的失效。
注 1：這相當於人暴露其中能接受的最大值的年累積劑量的近似兩倍。
⒋3.3動態彎曲應力
按ISO/IEC10373中描述的測試方法（短邊和長邊的最大偏移為hwA=20mm，hwB=10mm）測試後，鄰近卡應能繼續正常工作。
⒋3.4動態扭曲應力
按 ISO/IEC10373中描述的測試方法（旋轉角度為15°）測試後，鄰近卡應能繼續正常工作。
⒋3.5可變磁場
a）在下表給出的平均值的磁場內暴露後，鄰近卡應能繼續正常工作。
f—頻率（MHz）
磁場的最高值被限制在平均值的30倍。
b）在12A/m、13.56MHz的磁場中暴露後，鄰近卡應能繼續正常工作。
頻率范圍（MHz）平均磁場強度（A/m）平均時間（minutes）
0.3——3.01.636
3.0——304.98/f6
30——3000.1636
頻率范圍（MHz）平均電場強度（V/m）平均時間（minutes）
0.3——3.0 0.6146
3.0——30 1842/f6
30——300 61.46
⒋3.6可變電場
在下表給出的平均值的電場內暴露後，鄰近卡應能繼續正常工作。
f—頻率（MHz）
電場的最高值被限制在平均值的30倍。
⒋3.7靜態電流
按 ISO/IEC10373（IEC1000－4－2：1995）中描述的測試方法（測試電壓為6KV）測試後，鄰近卡應能繼續正常工作。
⒋3.8靜態磁場
在 640KA/m的靜態磁場內暴露後，鄰近卡應能繼續正常工作。
警告：磁條上的數據內容將被這樣的磁場擦去。
⒋3.9工作溫度
在 0℃到50℃的環境溫度范圍內，鄰近卡應能正常工作。
附錄 A（提示的附錄）
標准兼容性和表面質量
A.1標準的兼容性
本標准並不排斥現存其它的標准中涉及PICC的部分，這里的限制只是為了突出PICC。
A.2用於印製的表面質量
如果對印製生產出的PICC有特殊的要求，就應注衡信凳意保證供印製的區域的表面質量能夠適應印製的技術或採用的列印機。
附錄 B（提示的附錄）
其它ISO/IEC卡標准參考書目
ISO/IEC7811－1：1995，識別卡——記錄技術——第一部分：凸印。
ISO/IEC7811－2：1995，識別卡——記錄技術——第二部分：磁條。
ISO/IEC7811－3：1995，識別卡——記錄技術——第三部分：ID－1型卡上凸印字元的位置。
ISO/IEC7811－4：1995，識別卡——記錄技術——第四部分：ID－1型卡上只讀磁軌——磁軌1和2的位置。
ISO/IEC7811－5：1995，識別卡——記錄技術——第五部分：ID－1型卡上讀寫磁軌——磁軌3的位置。
ISO/IEC7811－6：1995，識別卡——記錄技術——第六部分：磁條——高矯頑磁性。
ISO/IEC7812－1：1993，識別卡——發卡人的識別——第一部分：編碼體系。
ISO/IEC7812－2：1993，識別卡——發卡人的識別——第二部分：應用和注冊過程。
ISO/IEC7813：1995，識別卡——金融交易卡。
ISO/IEC7816－1：1998，識別卡——接觸式集成電路卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC7816－2：1998，識別卡——接觸式集成電路卡——第二部分：接觸的尺寸和位置。
ISO/IEC7816－3：1997，識別卡——接觸式集成電路卡——第三部分：電信號和傳送協議。
ISO/IEC10536－1：1992，識別卡——無觸點集成電路卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC10536－2：1995，識別卡——無觸點集成電路卡——第二部分：耦合區域的尺寸和位置。 ⒈范圍
ISO/IEC14443 的這一部分規定了需要供給能量的場的性質與特徵，以及鄰近耦合設備（PCDs）和鄰近卡（PICCs）之間的雙向通信。
ISO/IEC14443的這一部分應與ISO/IEC14443的其他部分關聯使用。
ISO/IEC14443 的這一部分並不規定產生耦合場的方法，也沒有規定如何符合因國家而異的電磁場輻射和人體輻射安全的條例。
⒉標准引用
下列標准中所包含的條文，通過在本標准中引用而構成為本標準的條文。本標准出版時，所示版本均為有效。
所有標准都會被修訂，使用ISO/IEC14443 這一部分的各方應探討使用下列標准最新版本的可能性。ISO 和IEC的成員修訂當前有效國際標準的紀錄。
ISO/IEC14443－1：識別卡——無觸點集成電路卡——鄰近卡——第一部分：物理特性。
ISO/IEC10373，識別卡——測試方法。
⒊術語和定義
ISO/IEC14443－2中給出的定義和下列定義適用於本國際標准：
⒊1位持續時間Bit ration
一個確定的邏輯狀態的持續時間，在這段時間的最後，一個新的狀態位將開始。
⒊2二進制相移鍵控Binary phase shift keying
相移鍵控，此處相移180°，從而導致兩個可能的相位狀態。
⒊3調制系數Molation index
定義為（a－b)/(a+b），其中a，b分別是信號幅度的最大，最小值。
⒊4不歸零NRZ－L
在位持續時間內，一個邏輯狀態的位編碼方式，它以在通信媒介中的兩個確定的物理狀態之一來表示。
⒊5副載波Subcarrier
以載波頻率fc調制頻率fs而產生的RF信號。
⒋縮略語和符號
ASK移幅鍵控
BPSK二進制移相鍵控
NRZ－L不歸零，（L為電平）
PCD鄰近耦合設備
PICC鄰近卡
RF射頻
fc工作場的頻率（載波頻率）
fs副載波調制頻率
Tb位持續時間
⒌鄰近卡的初始化對話
鄰近耦合設備和鄰近卡之間的初始化對話通過下列連續操作進行：
—PCD的射頻工作場激活PICC
—鄰近卡靜待來自鄰近耦合設備的命令
—鄰近耦合設備命令的傳送
—鄰近卡響應的傳送
這些操作使用下面段落中規定的射頻功率和信號介面。
⒍功率傳輸
鄰近耦合設備產生一個被調制用來通信的射頻場，它能通過耦合給鄰近卡傳送功率。
⒍1.1頻率
射頻工作場頻率（fc）是13.56MHz7kHz。
⒍1.2工作場
最小未調制工作場的值是1.5A/mrms，以Hmin表示。
最大未調制工作場的值是7.5A/mrms，以Hmax表示。
鄰近卡應持續工作在Hmin和Hmax之間。
從製造商特定的角度說（工作容限），鄰近耦合設備應產生一個大於Hmin，但不超過Hmax的場。另外，從製造商特定的角度說（工作容限），鄰近耦合設備應能將功率提供給任意的鄰近卡。在任何可能的鄰近卡的狀態下，鄰近耦合設備不能產生高於在ISO/IEC14443－1中規定的交變電磁場。鄰近耦合設備工作場的測試方法在國際標准ISO/IEC10373中規定。
⒎ 信道介面
耦合 IC 卡的能量是通過發送頻率為13.56MHz 的閱讀器的交變磁場來提供。由閱讀器產生的磁場必須在⒈5A/m~7.5A/m之間。國際標准ISO14443規定了兩種閱讀器和近耦合IC卡之間的數據傳輸方式：A型和B型。一張IC卡只需選擇兩種方法之一。符合標準的閱讀器必須同時支持這兩種傳輸方式，以便支持所有的IC卡。閱讀器在」閑置「的狀態時能在兩種通信方法之間周期的轉換。
閱讀器(PCD）到卡（PICC）的數據傳輸
PCD--->PICC A 型B 型
調制ASK 100% ASK 10%（健控度8%~12%)位編碼改進的Miller編碼NRZ編碼同步 位級同步（幀起始，幀結束標記）每個位元組有一個起始位和一個結束位
波特率106kdB 106kdB卡（PICC）到閱讀器（PCD）的數據傳輸
PICC--->PCD A 型B 型
調制用振幅鍵控調制847kHz 的負載調制的負載波用相位鍵控調制847kHz 的負載調制的負載波位編碼 Manchester編碼NRZ編碼
同步 1位」幀同步「（幀起始，幀結束標記）每個位元組有1個起始位和1個結束位波特率106kdB 106kdB ⒈范圍
ISO/IEC14443的這一部分規定了鄰近卡（PICCs）進入鄰近耦合設備（PCDs）時的輪尋，通信初始化階段的字元格式，幀結構，時序信息。REQ和ATQ命令內容，從多卡中選取其中的一張的方法，初始化階段的其它必須的參數。
這部分規定同時適用於A型PICCs和B型PICCs.
⒉標准引用
下列標准中所包含的條文，通過在本標准中引用而構成為本標準的條文。本標准出版時，所示版本均為有效。
所有標准都會被修訂，使用ISO/IEC14443這一部分的各方應探討使用下列標准最新版本的可能性。ISO和IEC的成員修訂當前有效國際標準的紀錄。
ISO/IEC 3309:1993 信息技術系統間的遠程通信和信息交換數據鏈路層的控制幀結構
ISO/IEC 7816-3：1997 識別卡接觸式集成電路卡第三部分電信號和傳輸協議
ISO/IEC 14443-2 識別卡非接觸式集成電路卡第二部分頻譜功率和信號介面
ITU-T 推薦V.41
⒊術語和定義
ISO/IEC14443－3中給出的定義和下列定義適用於本國際標准：
⒊1防碰撞循環（Anticollision loop)
在多個PICCs中，選出需要對話的卡的演算法
⒊2可適用的（Applicative)
屬於應用層或更高層的協議，將在ISO/IEC 1443-4中描述。
⒊3位碰撞檢測協議（Bit collision detetion protocol)
幀內的位檢測防碰撞演算法。
⒊4數據塊(Block)
一系列的數據位元組構成數據塊。
⒊5非同步數據塊傳輸（Block-asynchronous transmission)
在非同步數據塊傳輸，數據塊是包括幀頭和幀尾的數據幀。
⒊6位元組（Byte)
八個bits構成一個位元組。
⒊7字元串
在非同步通信中，一個字元串包括一個開始位，8位的信息，可選的寄偶檢驗位，結束位和時間警戒位。
⒊8碰撞
兩個PICCs和同一個PCD通信時，PCD不能區分數據是屬於那一個PICC。
⒊9能量單位
在 ISO/IEC14443的這個部分中，1 etu=128/fc 容差為1%
⒊10時間槽協議
PCD建立與一個或多個PICCs通信的邏輯通道，它利用時間槽處理PICC的響應，與時間槽的ALOHA相似。
⒋縮略語和符號
ATQ 對請求的應答
ATQA 對A型卡請求的應答
ATQB 對B型卡請求的應答
ATR 對重新啟動的請求的應答
ATS 對選擇請求的應答
ATQ-ID 對 ID號請求的應答
CRC 環檢驗碼
RATS 對選擇應答請求
REQA 對A型卡的請求
REQB 對B型卡的請求
REQ-ID 請求ID號
RESEL 重新選擇的請求
5 輪訊
為了檢測到是否有PICCs進入到PCD的有效作用區域，PCD重復的發出請求信號，並判斷是否有響應。請求信號必須是REQA和REQB，附加ISO/IEC14443其它部分的描述的代碼。A型卡和B型卡的命令和響應不能夠相互干擾。
6A型卡的初始化和防碰撞
當一個A型卡到達了閱讀器的作用范圍內，並且有足夠的供應電能，卡就開始執行一些預置的程序後，當一個A型卡到達了閱讀器的作用范圍內，並且有足夠的供應電能，卡就開始執行一些預置的程序後，IC卡進入閑置狀態。處於「閑置狀態」的IC 卡不能對閱讀器傳輸給其它IC 卡的數據起響應。IC 卡在「閑置狀態」接收到有效的REQA命令，則回送對請求的應答字ATQA。當IC卡對REQA命令作了應答後，IC卡處於READY狀態。閱讀器識別出：在作用范圍內至少有一張IC卡存在。通過發送SELECT命令啟動「二進制檢索樹」防碰撞演算法，選出一張IC卡，對其進行操作。
⒍1PICC的狀態集
⒍1.1調電狀態
由於沒有足夠的載波能量，PICC沒有工作，也不能發送反射波。
⒍1.2閑置狀態
在這個狀態時，PICC已經上電，能夠解調信號，並能夠識別有效的REQA和WAKE-UP命令。
⒍1.3准備狀態
本狀態下，實現位幀的防碰撞演算法或其它可行的防碰撞演算法。
⒍1.4激活狀態
PCD通過防碰撞已經選出了單一的卡。
⒍1.5結束狀態
⒍2命令集
PCD用於管理與PICC之間通信的命令有：
REQA 對 A型卡的請求
WAKE-UP 喚醒
ANTICOLLISION 防碰撞
SELECT 選擇
HALT 結束
7B型卡的初始化和防碰撞
當一個B型卡被置入閱讀器的作用范圍內，IC卡執行一些預置程序後進入「閑置狀態」，等待接收有效的REQB命令。對於B型卡，通過發送REQB命令，可以直接啟動Slotted ALOHA防碰撞演算法，選出一張卡，對其進行操
作。
⒎1PICC狀態集
⒎.1.1調電狀態
由於載波能量低，PICC沒有工作。
⒎1.2閑置狀態
在這個狀態，PICC已經上電，監聽數據幀，並且能夠識別REQB信息。
當接收到有效的REQB幀的命令，PICC定義了單一的時間槽用來發送ATQB。
如果是PICC定義的第一個時間槽，PICC必須發送ATQB的響應信號，然後進入准備—已聲明子狀態。
如果不是PICC定義的第一個時間槽，PICC進入准備—已請求子狀態。
⒎1.3准備—已請求子狀態
在本狀態下，PICC已經上電，並且已經定義了單一的時間槽用來發送ATQB。
它監聽REQB和Slot-MARKER數據幀。
⒎1.4准備—已聲明子狀態
在本狀態下，PICC已經上電，並且已經發送了對REQB的ATQB響應。
它監聽REQB和ATTRIB的數據幀。
⒎1.5激活狀態
PICC已經上電，並且通過ATTRIB命令的前綴分配到了通道號，進入到應用模式。
它監聽應用信息。
⒎1.6停止狀態
PICC工作完畢，將不發送調制信號，不參加防碰撞循環。
⒎2命令集
管理多極點的通信通道的4個基本命令
REQB 對B型卡的請求
Slot-MARKER
ATTRIB PICC選擇命令的前綴
DESELECT 去選擇 ⒈范圍
ISO/IEC14443 的這一部分規定了非接觸的半雙工的塊傳輸協議並定義了激活和停止協議的步驟。這部分傳輸協議同時適用於A型卡和B型卡。
⒉標准引用
下列標准中所包含的條文，通過在本標准中引用而構成為本標準的條文。本標准出版時，所示版本均為有效。
所有標准都會被修訂，使用ISO/IEC14443這一部分的各方應探討使用下列標准最新版本的可能性。ISO和IEC的成員修訂當前有效國際標準的紀錄。ISO/IEC 7816-4：識別卡 接觸式集成電路卡第四部分產業內部交換命令
⒊術語和定義
⒊1數據塊（Block)
特殊格式的數據幀。符合協議的數據格式，包括I-blocks,R-blocks和S-blocks.
⒊2幀格式（frame format)
ISO/IEC 1444303定義的。A型PICC使用A類數據幀格式，B型PICC使用B類數據幀格式。
⒋縮略語和符號
PPS 協議和參數的選擇
R-block 接收准備塊
R(ACK) R-block包含正的確認
R(NAK) R-block包含負的確認
RFU 保留將來使用
S-block 管理塊
SAK 選擇確認
WUPA A型卡的喚醒命令
WTX 等待時間擴展
5A型PICC的協議激活
6B型PICC的協議激活
7半雙工的傳輸協議
8A型和B型PICC的協議去激活

D. 電源36b65晶元檢測好壞

可以用萬用表測量一下晶元的供電端對地的電阻或電壓，也可以測量一下各角電壓是否正常。
IC是基礎電子元件的集成，所以不能簡單的像測試晶體管那樣來判斷它的好壞，如果不熟悉IC的功能和引卜山腳定義，就祥弊灶要藉助IC手冊；否則，只能根據IC在電路中的應用，測試其除開供電引腳外的其他引腳是否對電源開路或擊穿、引腳間是否相互擊穿等方法，來粗略的判斷IC是否損壞；其次，用萬用表測試集成電路，一般只能是小型IC，如厚膜、DIP、PCDIP、SOP等封裝的，如果是大規模的數字集成電路，如PGA、BGA等封裝的，用萬用表是勝任不了的；再次，如果是對靜電敏感的IC，最好不要在無靜電防護措施的情況下，簡單的用萬用表謹扮測試，以防止損壞電路。

E. 我想了解精密加工這個專業的情況.

一、技術概述
超高速加工技術是指採用超硬材料的刃具，通過極大地提高切削速度和進給速度來提高材料切除率、加工精度和加工質量的現代加工技術。

超高速加工的切削速度范圍因不同的工件材料、不同的鄭型姿切削方式而異。目前，一般認為，超高速切削各種材料的切速范圍為：鋁合金已超過1600m/min，鑄鐵為1500m/min，超耐熱鎳合金達300m/min，鈦合金達150~1000m/min，纖維增強塑料為2000~9000m/min。各種切削工藝的切速范圍為：車削700~7000m/min，銑削300~6000m/min，鑽削200~1100m/min，磨削250m/s以上等等。

超高速加工技術主要包括：超高速切削與磨削機理研究，超高速主軸單元製造技術，超高速進給單元製造技術，超高速加工用刀具與磨具製造技術，超高速加工在線自動檢測與控制租纖技術等。
超精密加工當前是指被加工零件的尺寸精度高於0.1μm，表面粗糙度Ra小於025μm，以及所用機床定位精度的解析度和重復性高於0.01μ m的加工技術，亦稱之為亞微米級加工技術，且正在向納米級加工技術發展。

超精密加工技術主要包括：超精密加工的機理研究，超精密加工的設備製造技術研究，超精密加工工具及刃磨技術研究，超精密測量技術和誤差補償技術研究，超精密加工工作環境條件研究。

二、現狀及國內外發展趨勢
1．超高速加工
工業發達國家對超高速加工的研究起步早，水平高。在此項技術中，處於領先地位的國家主要有德國、日本、美國、義大利等。

在超高速加工技術中，超硬材料工具是實現超高速加工的前提和先決條件，超高速切削磨削技術是現代超高速加工的工藝方法，而高速數控機床和加工中心則是實現超高速加工的關鍵設備。目前，刀具材料已從碳素鋼和合金工具鋼，經高速鋼、硬質合金鋼、陶瓷材料，發展到人造金剛石及聚晶金剛石（PCD）、立方氮化硼及聚晶立方氮化硼（CBN）。切削速度亦隨著刀具材料創新而從以前的12m/min提高到1200m/min以上。砂輪材料過去主要是採用剛玉系、碳化硅系等，美國G．E公司50年代首先在金剛石人工合成方面取得成功，60年代又喊絕首先研製成功CBN。90年代陶瓷或樹脂結合劑CBN砂輪、金剛石砂輪線速度可達125m/s，有的可達150m/s，而單層電鍍CBN砂輪可達250m/s。因此有人認為，隨著新刀具（磨具）材料的不斷發展，每隔十年切削速度要提高一倍，亞音速乃至超聲速加工的出現不會太遙遠了。

在超高速切削技術方面，1976年美國的Vought公司研製了一台超高速銑床，最高轉速達到了20000rpm。特別引人注目的是，聯邦德國Darmstadt工業大學生產工程與機床研究所（PTW）從1978年開始系統地進行超高速切削機理研究，對各種金屬和非金屬材料進行高速切削試驗，聯邦德國組織了幾十家企業並提供了2000多萬馬克支持該項研究工作，自八十年代中後期以來，商品化的超高速切削機床不斷出現，超高速機床從單一的超高速銑床發展成為超高速車銑床、鑽銑床乃至各種高速加工中心等。瑞士、英國、日本也相繼推出自己的超高速機床。日本日立精機的HG400III型加工中心主軸最高轉速達36000~40000r/min，工作台快速移動速度為36~40m/min。採用直線電機的美國Ingersoll公司的HVM800型高速加工中心進給移動速度為60m/min。

在高速和超高速磨削技術方面，人們開發了高速、超高速磨削、深切緩進給磨削、深切快進給磨削（即HEDG）、多片砂輪和多砂輪架磨削等許多高速高效率磨削，這些高速高效率磨削技術在近20年來得到長足的發展及應用。德國Guehring Automation公司1983年製造出了當時世界第一台最具威力的60kw強力CBN砂輪磨床，Vs達到140~160m/s。德國阿享工業大學、Bremen大學在高效深磨的研究方面取得了世界公認的高水平成果，並積極在鋁合金、鈦合金、因康鎳合金等難加工材料方面進行高效深磨的研究。德國Bosch公司應用CBN砂輪高速磨削加工齒輪齒形，採用電鍍CBN砂輪超高速磨削代替原須經滾齒及剃齒加工的工藝，加工16MnCr5材料的齒輪齒形，Vs＝155m/s，其Q'達到811mm3/mm.s，德國Kapp公司應用高速深磨加工泵類零件深槽，工件材料為100Cr6軸承鋼，採用電鍍CBN砂輪，Vs達到300m/s，其Q`＝140mm3/mm.s，磨削加工中，可將淬火後的葉片泵轉子10個一次裝夾，一次磨出轉子槽，磨削時工件進給速度為1.2m/min，平均每個轉子加工工時只需10秒鍾，槽寬精度可保證在2μm，一個砂輪可加工1300個工件。目前日本工業實用磨削速度已達200m/s，美國Conneticut大學磨削研究中心，1996年其無心外圓高速磨床上，最高砂輪磨削速度達250m/s。

近年來，我國在高速超高速加工的各關鍵領域如大功率高速主軸單元、高加減速直線進給電機、陶瓷滾動軸承等方面也進行了較多的研究，但總體水平同國外尚有較大差距，必須急起直追。

2．超精密加工
超精密加工技術在國際上處於領先地位的國家有美國、英國和日本。這些國家的超精密加工技術不僅總體成套水平高，而且商品化的程度也非常高。

美國是開展超精密加工技術研究最早的國家，也是迄今處於世界領先地位的國家。早在50年代末，由於航天等尖端技術發展的需要，美國首先發展了金剛石刀具的超精密切削技術，稱為「SPDT技術」（Single Point Diamond Turning）或「微英寸技術」（1微英寸＝0.025μm），並發展了相應的空氣軸承主軸的超精密機床。用於加工激光核聚變反射鏡、戰術導彈及載人飛船用球面非球面大型零件等等。如美國LLL實驗室和Y－12工廠在美國能源部支持下，於1983年7月研製成功大型超精密金剛石車床DTM－3型，該機床可加工最大零件?2100mm、重量4500kg的激光核聚變用的各種金屬反射鏡、紅外裝置用零件、大型天體望遠鏡（包括X光天體望遠鏡）等。該機床的加工精度可達到形狀誤差為28nm（半徑），圓度和平面度為12.5nm，加工表面粗糙度為Ra4.2nm。該機床與該實驗室1984年研製的LODTM大型超精密車床一起仍是現在世界上公認的技術水平最高、精度最高的大型金剛石超精密車床。

在超精密加工技術領域，英國克蘭菲爾德技術學院所屬的克蘭菲爾德精密工程研究所（簡稱CUPE）享有較高聲譽，它是當今世界上精密工程的研究中心之一，是英國超精密加工技術水平的獨特代表。如CUPE生產的Nanocentre（納米加工中心）既可進行超精密車削，又帶有磨頭，也可進行超精密磨削，加工工件的形狀精度可達0.1μm ，表面粗糙度Ra<10nm。

日本對超精密加工技術的研究相對於美、英來說起步較晚，但是當今世界上超精密加工技術發展最快的國家。日本的研究重點不同於美國，前者是以民品應用為主要對象，後者則是以發展國防尖端技術為主要目標。所以日本在用於聲、光、圖象、辦公設備中的小型、超小型電子和光學零件的超精密加工技術方面，是更加先進和具有優勢的，甚至超過了美國。

我國的超精密加工技術在70年代末期有了長足進步，80年代中期出現了具有世界水平的超精密機床和部件。北京機床研究所是國內進行超精密加工技術研究的主要單位之一，研製出了多種不同類型的超精密機床、部件和相關的高精度測試儀器等，如精度達0.025μm的精密軸承、JCS－027超精密車床、JCS－031超精密銑床、JCS－035超精密車床、超精密車床數控系統、復印機感光鼓加工機床、紅外大功率激光反射鏡、超精密振動－位移測微儀等，達到了國內領先、國際先進水平。航空航天工業部三零三所在超精密主軸、花崗岩坐標測量機等方面進行了深入研究及產品生產。哈爾濱工業大學在金剛石超精密切削、金剛石刀具晶體定向和刃磨、金剛石微粉砂輪電解在線修整技術等方面進行了卓有成效的研究。清華大學在集成電路超精密加工設備、磁碟加工及檢測設備、微位移工作台、超精密砂帶磨削和研拋、金剛石微粉砂輪超精密磨削、非圓截面超精密切削等方面進行了深入研究，並有相應產品問世。此外中科院長春光學精密機械研究所、華中理工大學、沈陽第一機床廠、成都工具研究所、國防科技大學等都進行了這一領域的研究，成績顯著。但總的來說，我國在超精密加工的效率、精度可靠性，特別是規格（大尺寸）和技術配套性方面與國外比，與生產實際要求比，還有相當大的差距。

超精密加工技術發展趨勢是：向更高精度、更高效率方向發展；向大型化、微型化方向發展；向加工檢測一體化方向發展；機床向多功能模塊化方向發展；不斷探討適合於超精密加工的新原理、新方法、新材料。21世紀初十年將是超精密加工技術達到和完成納米加工技術的關鍵十年。

三、「十五」目標及主要研究內容
1．目標

超高速加工到2005年基本實現工業應用，主軸最高轉速達15000r/min，進給速度達40~60m/min，砂輪磨削速度達100~150m/s；超精密加工基本實現亞微米級加工，加強納米級加工技術應用研究，達到國際九十年代初期水平。

2．主要研究內容

（1）超高速切削、磨削機理研究。對超高速切削和磨削加工過程、各種切削磨削現象、各種被加工材料和各種刀具磨具材料的超高速切削磨削性能以及超高速切削磨削的工藝參數優化等進行系統研究。

（2）超高速主軸單元製造技術研究。主軸材料、結構、軸承的研究與開發；主軸系統動態特性及熱態性研究；柔性主軸及其軸承的彈性支承技術研究；主軸系統的潤滑與冷卻技術研究；主軸的多目標優化設計技術、虛擬設計技術研究；主軸換刀技術研究。

（3）超高速進給單元製造技術研究。高速位置晶元環的研製；精密交流伺服系統及電機的研究；系統慣量與伺服電機參數匹配關系的研究；機械傳動鏈靜、動剛度研究；加減速控制技術研究；精密滾珠絲杠副及大導程絲杠副的研製等。

（4）超高速加工用刀具磨具及材料研究。研究開發各種超高速加工（包括難加工材料）用刀具磨具材料及制備技術，使刀具的切削速度達到國外工業發達國家90年代末的水平，磨具的磨削速度達到150m/s以上。

（5）超高速加工測試技術研究。對超高速加工機床主軸單元、進給單元系統和機床支承及輔助單元系統等功能部位和驅動控制系統的監控技術，對超高速加工用刀具磨具的磨損和破損、磨具的修整等狀態以及超高速加工過程中工件加工精度、加工表面質量等在線監控技術進行研究。

（6）超精密加工的加工機理研究。「進化加工」及「超越性加工」機理研究；微觀表面完整性研究；在超精密范疇內的對各種材料（包括被加工材料和刀具磨具材料）的加工過程、現象、性能以及工藝參數進行提示性研究。

（7）超精密加工設備製造技術研究。納米級超精密車床工程化研究；超精密磨床研究；關鍵基礎件，如軸系、導軌副、數控伺服系統、微位移裝置等研究；超精密機床總成製造技術研究。

（8）超精密加工刀具、磨具及刃磨技術研究。金剛石刀具及刃磨技術、金剛石微粉砂輪及其修整技術研究。

（9）精密測量技術及誤差補償技術研究。納米級基準與傳遞系統建立；納米級測量儀器研究；空間誤差補償技術研究；測量集成技術研究。

（10）超精密加工工作環境條件研究。超精密測量、控溫系統、消振技術研究；超精密凈化設備，新型特種排屑裝置及相關技術的研究。

F. 紅外熱輻射乾燥的應用現狀與分析

股骨骨折病人切開復位內固定材料的選擇
世界先進的切削刀具材料指南——碳氮化物、陶瓷、PCD和PCBN(二)
電子顯微鏡技術與物理學和材料科學
骨蔽鄭形成蛋白復合材料的研究進展
鐵路工程建設材料預算價格巧豎(一九八八年度)勘誤表(第二批)
法國碳/碳、陶瓷/陶瓷復合材料的現狀與進展
添加劑—磷酸及其鹽類對柔性石墨材料的影響
上海市高校實驗室管理研究會舉辦材料倉庫計算機管理培訓班
玻璃鋼材料在含硫氣田凝析油罐上的應用
膨脹機閥桿密封材料改用浸臘線繩
國家「七五」重點科技攻關項目——「彩管用陽極帽材料研究」在滬通過冶金部鑒定
不同退火氣氛對Fe基非晶材料交流損耗的影響
「抗惡劣環境開關電源用高頻扼流圈材料」通過冶金部鑒定
金屬基復合材料的韌性(下)
無機功能晶體材料的發展
陶瓷材料科學的幾個前沿問題
應用價值工程技術 降低噸煤材料費用
測定粘彈性材料性能的改進的振動梁法
纖維增強復合材料非金屬基的應用理論
半導體光電化學法測定半導體材料的物理參數
硅鋁炭黑—聚氯乙烯材料性能研究
彌散硬化Cu-AI_2O_3復合材料的組織及性能的研究
兩種顱骨修補材料的對照觀察
適航性對金屬材料的要求
電阻應變計在材料機械性能測試中的幾個問題
圖象分析技術在材料分析中的應用
玻璃鋼學會全國玻璃鋼工業調查及《玻璃鋼/復合材料》編委會會議側記
陶瓷基復合材料概況
鏡面GFRP模具的製作及材料
礦用玻璃纖維網假頂材料的耐腐蝕性能模擬試驗
PEK-C/連續碳纖維復合材料的研究
連續玻璃纖維纏繞復合材料截頂圓錐殼體的穩定性分析
海島調查文件材料 質量管理流程初析
725例腦卒中屍檢材料的病因分析
水泥土材料力學特性的探討
纏繞復合材料噴管靜力分析
新型耐溫導電性高分子復合材料的研究
光電子學與光電子產業專題系列介紹 光-電子晶體材料和器件的發展趨勢
從基礎研究到高技術產業——三環公司發展釹鐵硼永磁材料的探索
匣缽材料在熔模鑄造中的應用
加強材料管理 努力降低消耗
煤礦井下爆破材料庫防護門的設計與應用
分區混合有限元法計算反平面復合材料切口應力強度因子
復合材料加筋壁板的優化設計
材料非線性對復合材料層合板熱自由邊界效應的影響
求半透明材料導熱系數的復合換熱反問題
真空斷路器用銅鉻觸頭材料的研製
攀鋼轉爐爐襯耐火材料抗渣性能研究
高溫超導材料電阻轉變的微分曲線
《機電工程金屬材料手冊》評介
新型檔案材料保護問題的初步調查
用於高性能發動機的燒結材料氣門座
新型二苯基乙炔非線性光學材料
《〈中國的人權狀況〉學習材料》出版
Mises材料彈塑性有限元分析的新途徑
國家教委舉辦全國《國際貿易》課程教學大綱教師講習班 講座材料之三 國際貿易與經濟發展
同一材料中的波型轉換實例
填充聚四氟乙烯材料的試驗和應用
電子工業防潮澆注密封材料——DO4透明硅橡膠澆注-膠粘劑
氟化高分子材料的光學特性及其應用
牛心包作為胸壁重建材料的臨床應用
水泥廠常用的金屬材料
運用系統工程方法 加速牆體材料改革——建材節能綜合工程簡介之一
光熱法實現材料的在線檢測與分選
異質材料(ZGMn13+16Mn)的焊接
異質結材料及其表面金屬膜的俄歇能譜研究
鍛造用Al-Si系合金的材料特性和用途的開發(2)
耐火材料的強化和韌化
蘇聯耐火材料工業發展狀況
微細顆粒對鎂質耐火材料結構性能的影響
炭結合剛玉—莫來石—氧化鋯材料的高溫性能
國外特種纖維及其復合材料的開發現狀
YBCO體材料的制備與臨界電流密度
混雜復合材料受壓狀態下的基體剪切破壞
有機塗裝材料酸值的測定
包裝材料的計算機最優化排料
沖擊波在不同材料隔板中的衰減特徵宏寬頌
服裝材料與服裝設計
聚氨酯-肝素接枝共聚反應和材料表面的初步分析
不同材料拼接的半平面裂紋問題
各向異性材料的表面張力
消光玻璃纖維用於絕緣和編織過濾材料
技術復合化開發出高性能的非織造布過濾材料
糝肽泡沫包裝材料
帶圓孔復合材料層合板的孔邊層間應力研究
正交各向異性材料應力應變關系的表述形式
材料力學中強度理論內容的歷史演變和最新發展
第六屆全國復合材料學術會議在京召開
碳氮化物超微粉體陶瓷材料的研製及應用
有機和聚合物非線性光學材料研究與展望
高溫後混凝土及其組成材料性能研究
高分子生物復合材料修補顱骨缺損
測定快凝材料凝結時間的新儀器
第十七屆歐洲人工器官大會會議文摘 義大利 波倫亞1990年9月19—22日生物材料部分
生物材料消息和市場信息
環氧改性氂牛心包材料的力學性能
PPTA/尼龍1010分子復合材料的結晶與熔化行為
粉末壓實材料的自延續高溫(燃燒)合成
碳纖維增強銅基復合材料
繪畫的依託材料——關於底子的技術
魯本斯的技法和材料
《工程材料》復習要點
材料力學期末復習
PP及其改性材料的拉伸體膨脹測量與微觀形變機理分析
氫與先進的航天材料
熱塑性復合材料的耐化學腐蝕性能
碳纖維的冷等離子體連續表面接枝工藝及其復合材料性能的研究
碳氈/碳復合材料的組織與高溫退化
利用平面上表面波模型研究吸收材料對表面波的作用
具有c軸絲結構的YBa_2Cu_3O_(7-δ)體材料的制備
SiC晶須/Y-TZP復合材料的研究
微機化聲顯微鏡及其在材料科學研究中的應用
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我國著名的無機非金屬塗層和非晶態半導體材料科學家程如光同志逝世
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非線性光學中的新型有機和聚合分子材料
Bi/Pb比和退火溫度對Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O系超導材料的T_c(R=0)和高T_c相形成的影響
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無宏觀缺陷的水泥基復合材料
導電性高分子復合材料
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材料專業學會第二屆年會論文述評
材料學的結構論
金屬材料循環應變硬化/軟化瞬態響應的數學模型
Ce—TZP陶瓷材料馬氏體相變內耗的研究
準分子激光的材料表面改性
形狀記憶材料的實驗研究
電子給體化合物對聚乙烯醇-甲基紫精光色互變材料光色行為的研究
尼龍6短纖維-NR/SBR復合材料的研究
碳酸鈣增強聚丙烯復合材料的斷裂韌性
北京航空材料研究所先進復合材料研究室
復合材料損傷與斷裂的動態無損評價
金屬基復合材料的研究進展
國外航空材料動態和科技動態
試談材料資料庫的現狀、發展及對策
發展材料工程 振興航空工業——北京航空材料研究所建所35周年回顧與展望
正硅酸乙酯粘合劑在耐火材料中的應用
介紹一種遺傳學教學實驗材料——油菜
臨床檢驗材料處理不當使法醫學鑒定復雜化一例報道
含裂隙材料的空洞化損傷
金屬材料物理性能
金屬及金屬間化合物中結構缺陷、雜質及其復合體的電子結構與材料物理性能的研究
傾斜功能材料
1990年小汽車材料的典型構成
放射性碘在地質材料中吸附和遷移的研究
含裂紋板的復合材料膠貼修補分析
第六屆全國復合材料學術會議在北京舉行
短脈沖載荷下金屬材料的層裂破壞
高壓下BiPbSrCaCuO超導陶瓷材料的顯微結構
第一屆國際復合材料變形與斷裂會議題錄(英國曼徹斯特大學理工學院1991年3月26-27日)
SiCw/6061Al復合材料沖擊破壞行為
SiCw/Al復合材料滑動磨損的微觀機制
C/SiC復合材料的制備及性能研究
復合材料膠粘劑固化反應及工藝參數的研究
纖維長徑比對環氧復合材料動態力學性能的影響
過渡區應力集中對復合材料強度試驗准確度的影響
復合材料層板圓形分層的屈曲
復合材料層板+θ/-θ層間斷裂韌性研究
短纖維復合材料剛度特性的有限元隨機能量法預報
基質發光材料Na_5Eu(MoO_4)_4和NaEu(MoO_4)_2的制備和發光
玻璃鋼桿的縱向波速及材料的內阻尼實驗研究
繪畫材料的發展
有關SiC材料的生產實踐
芒果套袋材料篩選
世界先進的切削刀具材料指南——碳氮化物、陶瓷、PCD和PCBN(一)
新型密封材料B-PVC防水卷材
鐵路工程建設材料預算價格(一九八八年度)勘誤表
關於補充《鐵路工程建設材料預算價格》材料項目的通知
介紹招標中處理材料價差的一種方法 試行核定料差百分率的作法
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碳石墨材料高溫氧化防護的研究
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復合材料旋翼槳葉的結構優化與振動控制
復合材料盒段顫振特性試驗研究
干涉對復合材料疊層板螺栓連接疲勞強度的影響
怎樣組織綜合材料的寫作工作
採用金剛石砂輪磨削高硬度非金屬材料
負成果文件材料也應歸檔
幹部檔案材料分類新探
復合材料圓錐殼體的外壓穩定性
等離子體源離子注入——一種材料表面改性的新技術
第七屆全國磁學及磁性材料會議簡訊
對材料科學發展的認識
鈦與鉍系高溫超導材料界面相互作用的X射線光電子能譜研究
復合材料構件手動C掃描無損檢測儀器的研製
利用蛋白質籠製造納米級材料
鋁電解槽惰性陰極材料的研究進展
羥基磷灰石材料充填牙槽窩及頜骨囊腫術後骨腔的臨床觀察
心包替代材料的動物實驗研究
Ni-Al-Mo復合材料的力學性能
含金屬間化合物的金屬基復合材料的生產
應用霍普金森壓桿技術進行材料動態斷裂韌性研究
日本研製出新型非晶態光-磁記錄材料
SiC_w/Al復合材料尺寸穩定化工藝的研究
利用SOI材料提高觸覺感測陣列的性能
用於制備SOI材料的RF-ZMR技術研究
復變函數與數值法相結合計算復合材料層合板的應力場
檸檬酸鹽法合成鈣鈦礦型復合氧化物納米固體材料LaFeO_3
我廠應用國產耐磨塗層材料的情況
題目——文章的名片——淺談典型材料主標題的製作
中小鍋爐製造中的材料質量、檢驗標准、焊接等有關問題技術討論會
全國鑄造材料設備儀器成果展覽及技術轉讓會
談文件材料的再收集
收集林業科技文件材料三法
街道辦事處文件材料的歸檔范圍
空間材料加工的商業利益
關於材料已到無款付帳,月終如何進行會計處理的問題解答
材料內部缺陷的紅外檢測
一種可獲正負圖像的重氮感光材料
氧化物超導材料的制備方法
聚並苯導電高分子材料研究的進展
金屬有機化合物用於形成半導體材料方面的新進展
防水材料的新秀——隔熱鎂水粉
發展新型建材 推進牆體材料革新
總結經驗提高認識 運用系統工程方法 努力推進牆體材料革新和建築節能工作
石墨材料在出鋁真空包內襯上的應用
駐極體研究——電子材料和換能器領域的重要分支
材料的熱膨脹性質與屈服應力
功能梯度材料評價方法的進展
裝甲材料的進展
日本研製出耐腐蝕的鉻-鉭-鈷磁記錄材料
化學灌漿材料及技術
MBE GaAs/Si材料應力性質的研究
某些生物和材料樣品的質子活化分析
淺談完善公路養護單位材料的核算和管理
汽車行業鑄件凝固數值模擬——美國第18屆汽車材料研討會介紹
高錳鋼鑄件用三元復合造型材料的研究
芻議強化幹部檔案材料的管理
將用於材料加工的蘇聯航天器
低維材料與光電子學的發展
無明膠重鉻酸鹽全息記錄材料及實時特性
日本東北大學金屬材料研究所的科研特色
國家教委舉辦全國《國際貿易》課程教學大綱教師講習班 講座材料之二 聯合國國際貿易法委員
會等機構近幾年來的主要立法活動
「婦好墓」玉器材料探源
從省級衛生防疫站的調查材料探討小型專業圖書情報機構的體制改革
電纜密封新型材料——JY-12密封膩子
西德LSV34—7127環氧注射用塗層材料特性及應用
無劃傷長壽命無心夾具支點材料的研究
硬脆材料鑽孔加工技術的研究
低壓電器統一企業標准——材料部分審查會
低壓電器用發熱電阻材料
Co-Cr-Mo微孔材料對骨組織生化組成影響的研究
Kevlar、BF-2及 GD414材料充電性能研究
淺論提高氯鎂質材料的性能
光致各向異性材料中偏振全息圖的分析
一種新型的電光顯示材料——PDLC
功能高分子活性材料硫酸根離子選擇電極的研製
磁力軸承材料選擇及磁力軸承電度表的結構設計
中華醫學會口腔科學會第二次口腔材料學術交流會在上海召開
先天性心血管畸形節段分析——文獻復習與130例屍檢材料
甲基纖維素作為粘稠物質手術材料的實驗研究
磁性材料在微特電機中應用技術與市場信息會議
稀土超磁致伸縮材料的發展
連鑄用中高檔耐火材料的研究開發和使用
鍛造用Al-Si系合金材料的特性和用途的開發(1)
淺談鋁用碳素材料焙燒爐的發展方向
鈷對NdFeB永磁材料磁學性能和微觀組織的影響
第三代稀土永磁材料的發展現狀
鎳對C/Cu復合材料界面特性影響的研究
肝素化抗凝血材料的鍵合方式與肝素釋放速率間的關系
熱塑性聚氨酯(TPU)和聚氯乙烯(PVC)共混材料的研製
船用大型螺旋槳材料研究的進展
(YBa_2Cu_3O_(7-y))_(1-x)Ag_x體材料的超導性質
賓主型黑色液晶的配製及賓主材料對其性能的影響
新型保溫材料——遠紅外纖維
用連續激光射線強化金屬材料中的幾個問題
國內外建築防水和材料的現狀及發展趨勢
我國汽車材料發展的幾點史實和車輛用材的某些考慮
一種「新型不定形鋯質耐火材料」
有機硅材料在整形、美容上的應用和進展
體外器官培養法評價四種高分子材料毒性
新型植入生物材料Ti-5Al-2.5Fe的生物相容性
高性能玻纖增強聚醯亞胺絕緣材料
PP—EPDM—雲母三元共混復合材料的研究
復合材料的Ⅲ型動態斷裂力學分析
新型鉛鈣板柵合金材料的研究
耐高溫的多晶金剛石拉絲模材料
西南兩省酸雨對材料腐蝕的經濟損失估算
不同材料在高溫鹼液中的腐蝕行為
高分子材料時-溫等效性的研究——(Ⅰ)時-溫等效理論的現狀和非線性鬆弛活化能譜理論的提出
連續碳纖維增強聚醚碸復合材料的形態與力學性能
日本製成高導磁率磁記錄材料
兵器材料動態力學專業委員會成立大會暨學術研討會在歙縣召開
材料韌性的評定
材料的工程性能與材料選擇
高抗沖尼龍材料的新設計
《宇航材料工藝》1990年總目錄
復合材料雙向應力實驗述評
噴射沉積工藝與快速凝固材料
小麥抗源材料對白粉病菌的抗性遺傳分析
退火對GD a-SiN_x∶H材料光電導的影響
摻Si對Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O體材料的超導電性和微結構的影響
兩種材料組成空間的彈性力學基本解
新技術領域中的硅酸鹽材料
用自凝牙托材料製作鑄型標本的實驗研究
醫用高分子纖維增強材料顱骨成形術
二氧化硫的電化學氧化過程——Ⅰ.電極材料的影響
稀土摻雜γ—Fe_2O_3氣敏材料研究
高壓下ZnS熒光材料中錳與稀土的相互作用
人體關節盤和二種人工關節盤材料的粘彈特性分析
復合型斷裂中K_1和K_3的耦合效應對材料斷裂韌性的影響
「普適發展判據"對熱彈性材料的適用條件
結構增韌材料在裂紋擴展中的韌度增值
新穎溫敏玻璃材料——實用型光纖溫度感測器
激光光聲光譜術研究碳—碳基復合材料的密度分布
光纖智能材料系統與結構的研究發展評述
肌肉模擬材料熱學參數測定
YBa_2Cu_3O_(7-δ)高溫超導材料微波表面阻抗的研究
金屬基高溫超導體復合材料臨界電流密度的估算
超高壓處理對Bi_(0.8)Pb_(0.2)SrCaCu_2O_y超導材料的影響
第一屆梯度功能材料國際研討會召開
兩種抗氧化碳/碳復合材料的高溫氧化行為
燒蝕復合材料的熱分析檢測
芳香族熱塑性樹脂基復合材料的力學性能
材料學會第二屆年會論文題目選
新型材料及材料科學與技術的新進展
紅泥聚氯乙烯(RM-PVC)復合材料的形態結構與穩定性關系
納米固體材料的物理力學問題
冷壓狀態方程計算的新方法和材料相圖的研究
激光與材料相互作用研究中的氣體物理學
聚乙烯自增強材料結構與性能的研究
熱致性液晶芳香族共聚酯增強材料的合成及加工
用鍍Cu-Fe碳纖維制備的銅基復合材料
發展中的雙馬來醯亞胺型先進復合材料基體樹脂
國外航空材料與科技動態
從第七屆國際急冷材料會議看急冷技術的研究現狀及發展趨勢
熔鑄鋯剛玉(AZS)耐火材料特性的異常現象
抗菌劑溫浸引種材料玉米枯萎菌消毒技術研究
黑色覆蓋材料在直接吸收式太陽能乾燥器中作用的研究
水力旋流器錐套材料磨損的試驗研究
上海紡研院研製成復合材料用隔離布
碳石墨材料科技發展戰略預測研究通過成果鑒定
金屬材料物理性能
表面粗糙度對金屬材料硬度測試數據的影響
新型耐蝕材料和防護金屬塗層
粒子沖擊下材料動態硬度的研究
我國研製真空快淬非晶微晶材料取得重大突破——真空快淬爐在京研製成功
柳州地區建築材料放射性水平及其致居民劑量
金屬相變儲熱材料的量熱研究
對稱角鋪層復合材料層板在反平面變形情況下分層問題的解析—廣義變分解法
纖維增強復合材料層合板分層破壞的研究
三種復合材料在低溫下的斷裂性質
含有流動液體的復合材料管道的振動
鑄造高強度C/Al復合材料
不同表面狀態的芳纖增強環氧基復合材料固化過程的研究——固化行為、三T狀態圖及固化反應動力學分析
HDPE導電復合材料的交流開關效應研究
M_yM′_(1-y)FCl_xBr_(1-x):Sm~(2+)材料制備光譜性質和光譜燒孔
延性材料層裂的數值模擬
地下河連通試驗的兩種新型材料
材料變形特性研究新成果在塑性力學中的應用
塗敷型吸波材料電磁特性的預測
粘彈性材料中的熱量生成率函數及溫度場控制方程
新型磁膠根充材料的生物相容性評價——體外細胞毒性的研究
雲南牆體材料改革勢在必行
稀土在功能材料中的應用
正常型與矮型肉種雞雜交配套試驗(矮型肉雞的利用研究材料之三)
中日兩國學者聚會羊城探討高分子科學與材料
有機高分子絕熱材料保溫工程的火災和預防
幾種鑄鐵材料副在油潤滑條件下滑動磨損特性的研究
考慮空穴多級形核的損傷材料內時本構關系
普通力學實驗室自製光測聚碳酸酯模型材料的可行方法
正交異性復合材料單向板非彈性主方向的裂紋尖端應變與位移
台灣糧食生產及儲運信息——台大教授在天津財經學院的座談材料
用瀝青製造碳素材料的方法
碳纖維/銅基復合材料熱膨脹行為的初步研究
南開大學吸附分離功能高分子材料實驗室
用提高環境溫度法測定材料高溫導熱系數
大型合成氨廠開工加熱爐盤管材料膨脹失效原因的分析
提高材料利用率是節能的有效措施
工業發達國家摩擦材料發展動態
國外焊接材料的近況
道路標志材料
精細鋼與金屬材料的開發
金屬間化合物結構材料的研究開發現狀和應用前景
方波極譜法測定Pb、Sn基釺焊材料中的In
玻璃鋼/復合材料在拱橋補強工程中的應用
新型雙馬來醯亞胺樹脂的合成及其碳纖維復合材料性能的研究
「七五」期間國家皮革化工材料重大科技成果簡介
九十年代皮革化工材料展望
聯幫德國工業標准——氣門材料供貨技術條件
現代漢語書面輔助表達材料和手段淺說(一)
鋅基復合材料的激光表面處理
齊翠珍和她的熱收縮材料
平行線法測量材料熱物性的原理和方法
關於連接器接觸材料的試驗與檢測
柔性石墨——值得推廣的密封材料
用非銀鹽感光材料制備彩虹片
材料斷口中的分形(英文)
鐵電材料電疇結構的掃描電鏡成象
復合材料結構的修理方法
復合材料構件裝配費用概觀
液態阻尼材料
材料科學與工程在美國
高分子材料用於文物復制的工藝與研究
家蠶微粒子病母蛾抽樣檢驗方法的研究 Ⅰ、適合於育種材料、保育品種的混合分檢方法
洛陽船舶材料研究所隆重召開第三屆科技工作會議
金屬內耗及其測量在阻尼材料研究中的應用
艦船材料應用研究及其「八五」展望
水蓼——一種好的生物實驗材料
泡沫塑料材料的密度與其緩沖性能
復合材料自動化成型和加工工藝在航天技術中的應用
玻璃鋼/復合材料橋的探討及發展前景
碳/環氧復合材料錐殼的研製
復合材料汽車副簧兩端的防磨設計
C/SiC復合材料熱性能及抗氧化性能的研究
陶瓷人工關節材料的磨損特性
高級瀝青路面面層和基層材料的應用技術問題分析
金剛石薄膜材料的應用與合成技術
民間文學集成文件材料歸檔范圍與整理
CSF復合材料用於製作造紙烘缸旋轉接頭
中國金屬學會熱能與熱工學會第六屆年會暨第二次不定形耐火材料應用專題學術會論文目錄
中國金屬學會熱能與熱工學會第六屆年會暨第二次不定形耐火材料應用專題學術會會議紀要
50萬t線材加熱爐用耐火材料的生產
鋁蜂窩復合材料x、y方向低溫有效熱導率的測試與研究
氧化鋁短纖維增強ZL109鋁合金復合材料的組織與性能的研究
微波聲學材料的性能
聲表面波器件用零溫度系數基片材料
硝酸鹽熱反應法制備Y-Ba-Cu-O系超導材料的反應條件與性能關系
型殼耐火材料對無餘量定向凝固葉片鑄件質量的影響
四氧化二氮與衛星貯箱材料的長期相容性研究
生物壓電陶瓷復活種植材料研究
九十年代集成電路材料
FR系列金屬材料熱變形防護潤滑劑
鑄造鋁硅合金及其含石墨的復合材料與GCr15鋼干滑動摩擦時金屬轉移特性之研究
高溫用鑲嵌型固體潤滑材料的研製及其摩擦磨損性能的考察
WC-Ni-PbO高溫自潤滑金屬陶瓷材料的研究
新型注漿材料——粘土水泥漿液
小麥遠緣雜種材料中_4、中_5的抗旱生理特性
單原子層超晶格材料
軟氮化處理的鑄鐵材料的滑動磨損抗力
書寫材料對漢字形體、結構的影響
一種蠕變模型材料的試驗研究
YBaCuO超導材料降溫過程的聲發射研究
我國火電超臨界機組的材料
中央電大外國檔案工作課程輔導材料
日本企業檔案室的新型材料——日本國立史料館安澤秀一博士在第十一屆國際檔案大會上的報告
復合氧化物C_2H_5OH敏感材料的研究
不燃性保溫材料應用於船舶冷藏系統
混雜纖維復合材料的剪切特性(一)——夾芯結構
中、大功率塑封晶體管採用絲狀Pb-In-Ag合金作粘接材料
硅上異質外延材料和器件的研究動向
N—(4—硝基苯)—3—氨基—1—丙醇晶體材料的合成
奇異函數在材料力學中的應用及其計算程序
用液態金屬製作金屬基復合材料
石棉摩阻材料摩擦性能測試及熱影響規律
在《建築材料》授課

G. PCB跟IC（集成電路）是什麼關系

集成電路是一般是指晶元的集成，像主板上的北橋晶元，CPU內部，都是叫集成電路，原始名也是叫集成塊的。而是指我們通常看到的電路板，還有在電路板上印刷焊接晶元。對於兩者關系的理解：集成電路（IC）是焊接在PCB板上的；PCB板是集成電路（IC）的載體。

簡單來說，集成電路是把一個通用電路集成到一塊晶元上，它是一個整體，一旦它內部有損壞，那這個晶元也就損壞了，而PCB是可以自己焊接元件的，壞了可以換元件。

(7)pcd集成電路擴展閱讀

PCB板特點：

1、可高密度化。數十年來，印製板高密度能夠隨著集成電路集成度提高和安裝技術進步而發展著。

2、高可靠性。通過一系列檢查、測試和老化試驗等可保證PCB長期（使用期，一般為20年）而可靠地工作著。

3、可設計性。對PCB各種性能（電氣、物理、化學、機械等）要求，可以通過設計標准化、規范化等來實現印製板設計，時間短、效率高。

4、可生產性。採用現代化管理，可進行標准化、規模（量）化、自動化等生產、保證產品質量一致性。

5、可測試性。建立了比較完整測試方法、測試標准、各種測試設備與儀器等來檢測並鑒定PCB產品合格性和使用壽命。

6、可組裝性。PCB產品既便於各種元件進行標准化組裝，又可以進行自動化、規模化批量生產。同時，PCB和各種元件組裝部件還可組裝形成更大部件、系統，直至整機。

H. smt是什麼意思

smt是什麼意思?從字面上來講，SMT就是將電子零件焊接到電路板上表面的一種技術，SMT技術可以大幅降低電子產品的體積，達到更輕薄，短小的目的。
SMT是怎麼樣將電子零件焊接到電路板上?答案就是錫膏早宏模(SMT貼片加工中錫膏有哪幾種類，存儲及使用環境的基本認識-只要把錫膏印刷在需要焊接零件的焊盤上面，然後再放上電子零件，焊腳要剛好放在錫膏的位置，絕宏讓錫膏經過高溫迴流焊，爐子內的高溫高過錫膏的熔點(不可以高到燒壞電子零件的溫度)，爐子高溫將錫膏融化。錫膏變成液體，液體的錫膏將包裹住電子零件的焊腳，等經過爐子冷卻區後錫膏重新變回固體，就會將電子零件牢固的焊接在電路板上面。
電子產品採用SMT技術有什麼優點和好處?
1. 電子產品可以設計的更輕薄短小，零件變得更小，電路板的體積也會變得更小;
2. 設計出更高端的產品，可以讓電子產品應用到更陸緩多領域，比如CPU和智能手機;
3. 適合大量生產，因為SMT技術代替了人工插件作業，以自動化貼片機來放置電子零件，所以更適合大量生產出高品質的產品，並且更穩定。
4. 降低生產成本，SMT整線設備基本實現了全自動化，從印刷機到貼片機再到迴流焊，不僅提高了產能，同時降低了人力成本。
我們知道了SMT的優點，就要利用這些優點來為我們服務，而且隨著電子產品的微型化使得THT無法適應產品的工藝要求。因此，SMT是電子裝聯技術的發展趨勢。
其表現在：
1,電子產品追求小型化，使得以前使用的穿孔插件元件已無法適應其要求。
2,電子產品功能更完整，所採用的集成電路(IC)因功能強大使引腳眾多，已無法做成傳統的穿孔元件，特別是大規模、高集成IC，不得不採用表面貼片元件的封裝。
3,產品批量化，生產自動化，廠方要以低成本高產量，出產優質產品以迎合顧客需求及加強市場競爭力。
4,電子元件的發展，集成電路(IC)的開發，半導體材料的多元應用。
5,電子產品的高性能及更高裝聯精度要求。
6,電子科技革命勢在必行，追逐國際潮流。

I. 集成電路的封閉形式有哪些

僅供參考：常用集成電路的封裝形式 DIP Dual Inline Package 雙列直插式封裝 FBGA Fine-Pitch Ball Grid Array 細密球型網數組 FTO220 LQFP 微型四方扁平封裝 PCDIP PQFP Plastic Quad Flat Package 塑料四方扁平封裝 PSDIP