鍺硅射頻電路

A. 為什麼選用最外層電子為四的硅和鍺作為半導體材料

是因為發現這些材料在一定工藝下生產的電子元件有半導體特性，才能作為半導體材料。

B. 硅二極體和鍺二極體的特性有什麼不同

由兩種二極體的特性曲線可以看出：1、鍺二極體正向在0.2V就開始有電流了，而硅二極體要內到0.5V才開始有電流，就是容開始導通時的電壓不同，鍺管小，硅管大；2、開始導通後，鍺管電流增大得慢，硅管電流增大得快；

以上兩點也可以總結為，在電流相同時，鍺管的直流電阻小於硅管的直流電阻；但是硅管的交流電阻小於鍺管的交流電阻。

另外，在反向電壓下，硅管的漏電流要比鍺管的漏電流小得多。

C. 鍺管收音機換成硅硅,主要有那些電路改動

你好：

——★1、鍺管 P / N 結的電壓降較低，所以更換為硅管後應該重新調整各級放大電路的靜態工內作點容，以保證放大電路正常工作。

——★2、由於硅管的 P / N 結電壓降較高，電池電壓稍有下降，變頻電路就會停止振盪、不能工作。因此還要在變頻級設計穩壓電路，保證工作穩定。

D. 硅 鍺 砷化鎵 能帶結構的異同(簡答)

·硅鍺與硅和砷化鎵的對比

SiGe相比Si和GaAs具有四大優點：由於能量勢壘較小，因而功耗較低，開關速度較高；低頻和射頻范圍的雜訊系數較低；由於功率輸出大，有可能進行嶄新的設計；整個製造過程可採用經濟有效的解決方案，因為SiGe製造工藝保留了硅製造工藝的大部分成本經濟性。

·砷化鎵與硅的比較

砷化鎵復合物一直被認為是Si最強大競爭對手的原因：GaAs集成電路的工作速度高於硅集成電路，原因是GaAs的低場電子遷移率要大於硅，同時GaAs的飽和場低於硅的飽和場；GaAs禁帶寬度要比硅的禁帶寬度大三個數量級，這樣GaAs可做成半絕緣的，用半絕緣GaAs襯底做成的器件可減少寄生電容，其速度比硅還要快；GaAs是一種直接帶材料，並能發射光，適於製作激光器、發光二極體和微波發射器。

硅比砷化鎵具有幾個明顯的優點：硅可以把自己的氧化物形式用做絕緣體，這種絕緣體起著掩模的作用，對硅提供保護，而砷化鎵卻無此能力，因而GaAs器件較難製造，而且造價較高；硅的導熱能力是砷化物的 2.75 倍，因此，用硅電路可實現的封裝密度要高於GaAs電路；砷化物是劇毒的，因而即使用量極少，也會在處置和清除GaAs產品方面產生各種問題；硅是地球上最豐富的元素（僅次於氧），而砷化鎵卻極其稀少，獲取要困難得多。

E. 為什麼現在很少見到鍺二極體或三極體了，而硅晶體管卻很常見。

鍺管耐壓低，結受溫度影響變化大，電流導通小，而硅管就不同了，結受溫度變化影響極小，電流導通大，耐壓高，除硅二三極體外，常用大電流二極體，可控硅管等，現代大規模集成電路，晶元，太陽能電池板等大量使用。

F. 硅晶體管與鍺晶體管有什麼異同

硅晶體管和鍺晶體管都具有電流放大作用，所不同的是硅晶體管的死區電壓比鍺晶體管內大；硅晶體管的導通容電壓約為0.7V，鍺晶體管的導通電壓約為0.3V；硅晶體管的反向電流比鍺晶體管小得多；硅晶體管允許的最高工作溫度比鍺晶體管高；硅晶體管比鍺晶體管穩定性好。

G. 為何CPU只用硅，而不用能耗更低的鍺製作

鍺很難用來做CPU，硅的地位也很難被取代在元素周期表中，金屬和非金屬元素之間有十二種具有半導體性質的元素，分別是：硼(B)、金剛石(C)、硅(Si)、鍺(Ge)、灰-錫(Sn)、磷(P)、灰-砷(As)、黑-銻(Sb)、硫(S)、硒(Se)、碲(Te)、碘(I)。

鍺在半導體領域也並不是一無是處，主要應用於光電學領域，如太陽能電池、光感測器、紅外LED、鍺激光器等等。所以小夥伴們，別再說為什麼不用鍺來做CPU了。以上個人淺見，歡迎批評指正。認同我的看法，請點個贊再走，感謝！喜歡我的，請關注我，再次感謝！

H. 硅半導體和鍺半導體的區別（越詳細越好）

半導體材料有很多種，按化學成分可分為元素半導體和化合物半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；化合物半導體包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化鎵、磷化鎵等

I. 為什麼鍺半導體最先得到應用，而現在的半導體材料卻大都採用硅半導體

原子半徑小，線路可以做很細。硅是單晶，化學性質穩定。
高壓下硅半導體的壓內降比鍺容小得多，所以電力電子都是用硅。
鍺一般用於電子電路中的單個晶體管，在電子設備的電壓等級之下，鍺的壓降更小，電阻也更小，適合做電子設備的開關管。