SC門電路

A. 求，門電路發展史

門電路也即數字邏輯電路。
20世紀初首先得到推廣應用的電子器件是真空電子管。它是在抽成真空的玻璃或金屬外殼內安置特製的陽極、陰極、柵極和加熱用的燈絲而構成的。電子管的發明引發了通信技術的革命，產生了無線電通信和早期的無線電廣播和電視。這就是電子技術的「電子管時代」。由於電子管在工作時必須用燈絲將陰極加熱到數千度的高溫以後，陰極才能發射出電子流，所以這種電子器件不僅體積大、笨重，而且耗電量大，壽命短，可靠性差。因此，各國的科學家開始致力於尋找性能更為優越的電子器件。1947年美國貝爾實驗室的科學家巴丁(Bardeen)、布萊頓(Brattain)和肖克利(Schockley)發明了晶體管(即半導體三極體)。由於它是一種固體器件，而且不需要用燈絲加熱，所以不僅體積小、重量輕、耗電省，而且壽命長，可靠性也大為提高。從20世紀50年代初開始，晶體管在幾乎所有的應用領域中逐漸取代了電子管，導致了電子設備的大規模更新換代。同時，也為電子技術更廣泛的應用提供了有利條件，用晶體管製造的計算機開始在各種民用領域得到了推廣應用。1960年又誕生了新型的金屬一氧化物一半導體場效應三極體(MOSFET)，為後來大規模集成電路的研製奠定了基礎。我們把這一時期叫做電子技術的「晶體管時代」。為了滿足許多應用領域對電子電路微型化的需要，美國德克薩斯儀器公司(TexasInstruments)的科學家吉爾伯(Kilby)於1959年研製成功了半導體集成電路(integratedcircuit, IC)。由於這種集成電路將為數眾多的晶體管、電阻和連線組成的電子電路製作在同一塊硅半導體晶元上，所以不僅減小了電子電路的體積，實現了電子電路的微型化，而且還使電路的可靠性大為提高。從20世紀60年代開始，集成電路大規模投放市場，並再一次引發了電子設備的全面更新換代，開創了電子技術的「集成電路時代」。隨著集成電路製造技術的不斷進步，集成電路的集成度(每個晶元包含的三極體數目或者門電路的數目)不斷提高。在不足10年的時間里，集成電路製造技術便走完了從小規模集成(small scaleintegration, SSI，每個晶元包含10個以內邏輯門電路)到中規模集成(medium scaleintegration, MSI，每個晶元包含10 至1000個邏輯門電路)，再到大規模集成(large scaleintegration, LSI，每個晶元包含1000 至 10 000個邏輯門電路)和超大規模集成(very largescale integration, VLSI，每個晶元含10 000個以上邏輯門電路)的發展過程。自20世紀70年代以來，集成電路基本上遵循著摩爾定律(Moore's Law)在發展進步，即每一年半左右集成電路的綜合性能提高一倍，每三年左右集成電路的集成度提高一倍。

B. 電腦處理器的工作原理是什麼 決定頻率快慢的因素是什麼

想知道處理器的工作原理是什麼? 決定頻率快慢的因素是什麼?需要從製造過程開始

現在市場上產品豐富，琳琅滿目，當你使用著配置了最新款CPU的電腦在互聯網上縱橫馳騁，在各種程序應用之間操作自如的時候，有沒有興趣去想一想這個頭不大、功能不小的CPU是怎麼製作出來的呢。

在今天的半導體製造業中，計算機中央處理器無疑是受關注程度最高的領域，而這個領域中眾所周知的兩大巨頭，其所遵循的處理器架構均為x86，而另外一家號稱信息產業的藍色巨人的IBM，也擁有強大的處理器設計與製造能力，它們最先發明了應變硅技術，並在90納米的處理器製造工藝上走在最前列。在今天的文章中，我們將一步一步的為您講述中央處理器從一堆沙子到一個功能強大的集成電路晶元的全過程。

製造CPU的基本原料
如果問及CPU的原料是什麼，大家都會輕而易舉的給出答案—是硅。這是不假，但硅又來自哪裡呢？其實就是那些最不起眼的沙子。難以想像吧，價格昂貴，結構復雜，功能強大，充滿著神秘感的CPU竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個復雜的製造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的，一定要精挑細選，從中提取出最最純凈的硅原料才行。試想一下，如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成CPU，那麼成品的質量會怎樣，你還能用上像現在這樣高性能的處理器嗎？

除去硅之外，製造CPU還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止，鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料，而銅則逐漸被淘汰，這是有一些原因的，在目前的CPU工作電壓下，鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題，就是指當大量電子流過一段導體時，導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置，留下空位，空位過多則會導致導體連線斷開，而離開原位的原子停留在其它位置，會造成其它地方的短路從而影響晶元的邏輯功能，進而導致晶元無法使用。

這就是許多Northwood Pentium 4換上SNDS(北木暴畢綜合症)的原因，當發燒友們第一次給Northwood Pentium 4超頻就急於求成，大幅提高晶元電壓時，嚴重的電遷移問題導致了CPU的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷，它顯然需要一些改進。不過另一方面講，應用銅互連技術可以減小晶元面積，同時由於銅導體的電阻更低，其上電流通過的速度也更快。

除了這兩樣主要的材料之外，在晶元的設計過程中還需要一些種類的化學原料，它們起著不同的作用，這里不再贅述。

CPU製造的准備階段

在必備原材料的採集工作完畢之後，這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料，硅的處理工作至關重要。首先，硅原料要進行化學提純，這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。而為了使這些硅原料能夠滿足集成電路製造的加工需要，還必須將其整形，這一步是通過溶化硅原料，然後將液態硅注入大型高溫石英容器而完成的。

而後，將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過，許多固體內部原子是晶體結構，硅也是如此。為了達到高性能處理器的要求，整塊硅原料必須高度純凈，及單晶硅。然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將硅原料取出，此時一個圓柱體的硅錠就產生了。從目前所使用的工藝來看，硅錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的硅錠了。在保留硅錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的，不過只要企業肯投入大批資金來研究，還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米硅錠而建立的工廠耗費了大約35億美元，新技術的成功使得intel可以製造復雜程度更高，功能更強大的集成電路晶元。而200毫米硅錠的工廠也耗費了15億美元。下面就從硅錠的切片開始介紹CPU的製造過程。

在製成硅錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後，下一個步驟就是將這個圓柱體硅錠切片，切片越薄，用料越省，自然可以生產的處理器晶元就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑，之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要，它直接決定了成品CPU的質量。

新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料，而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的晶體管電路。摻入的物質原子進入硅原子之間的空隙，彼此之間發生原子力的作用，從而使得硅原料具有半導體的特性。今天的半導體製造多選擇CMOS工藝(互補型金屬氧化物半導體)。其中互補一詞表示半導體中N型MOS管和P型MOS管之間的交互作用。而N和P在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下，切片被摻入化學物質而形成P型襯底，在其上刻劃的邏輯電路要遵循nMOS電路的特性來設計，這種類型的晶體管空間利用率更高也更加節能。同時在多數情況下，必須盡量限制pMOS型晶體管的出現，因為在製造過程的後期，需要將N型材料植入P型襯底當中，而這一過程會導致pMOS管的形成。

在摻入化學物質的工作完成之後，標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱，通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化硅膜。通過密切監測溫度，空氣成分和加溫時間，該二氧化硅層的厚度是可以控制的。在intel的90納米製造工藝中，門氧化物的寬度小到了驚人的5個原子厚度。這一層門電路也是晶體管門電路的一部分，晶體管門電路的作用是控制其間電子的流動，通過對門電壓的控制，電子的流動被嚴格控制，而不論輸入輸出埠電壓的大小。准備工作的最後一道工序是在二氧化硅層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果，而且在光刻蝕過程結束之後，能夠通過化學方法將其溶解並除去。

光刻蝕
這是目前的CPU製造過程當中工藝非常復雜的一個步驟，為什麼這么說呢？光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕，由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格，需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。刻蝕過程還會受到晶圓上的污點的影響。每一步刻蝕都是一個復雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的數據量都可以用10GB的單位來計量，而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步(每一步進行一層刻蝕)。而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話，可以和整個紐約市外加郊區范圍的地圖相比，甚至還要復雜，試想一下，把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有100個平方毫米的晶元上，那麼這個晶元的結構有多麼復雜，可想而知了吧。

當這些刻蝕工作全部完成之後，晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上，然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質，而二氧化硅馬上在陋空位置的下方生成。

摻雜
在殘留的感光層物質被去除之後，剩下的就是充滿的溝壑的二氧化硅層以及暴露出來的在該層下方的硅層。這一步之後，另一個二氧化硅層製作完成。然後，加入另一個帶有感光層的多晶硅層。多晶硅是門電路的另一種類型。由於此處使用到了金屬原料(因此稱作金屬氧化物半導體)，多晶硅允許在晶體管隊列埠電壓起作用之前建立門電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。再經過一部刻蝕，所需的全部門電路就已經基本成型了。然後，要對暴露在外的硅層通過化學方式進行離子轟擊，此處的目的是生成N溝道或P溝道。這個摻雜過程創建了全部的晶體管及彼此間的電路連接，沒個晶體管都有輸入端和輸出端，兩端之間被稱作埠。

重復這一過程
從這一步起，你將持續添加層級，加入一個二氧化硅層，然後光刻一次。重復這些步驟，然後就出現了一個多層立體架構，這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連接。今天的P4處理器採用了7層金屬連接，而Athlon64使用了9層，所使用的層數取決於最初的版圖設計，並不直接代表著最終產品的性能差異。
接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試，包括檢測晶圓的電學特性，看是否有邏輯錯誤，如果有，是在哪一層出現的等等。而後，晶圓上每一個出現問題的晶元單元將被單獨測試來確定該晶元有否特殊加工需要。
而後，整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器晶元單元。在最初測試中，那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的晶元單元將被採用某種方式進行封裝，這樣它就可以順利的插入某種介面規格的主板了。大多數intel和AMD的處理器都會被覆蓋一個散熱層。在處理器成品完成之後，還要進行全方位的晶元功能檢測。這一部會產生不同等級的產品，一些晶元的運行頻率相對較高，於是打上高頻率產品的名稱和編號，而那些運行頻率相對較低的晶元則加以改造，打上其它的低頻率型號。這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在晶元功能上有一些不足之處。比如它在緩存功能上有缺陷(這種缺陷足以導致絕大多數的CPU癱瘓)，那麼它們就會被屏蔽掉一些緩存容量，降低了性能，當然也就降低了產品的售價，這就是Celeron和Sempron的由來。

在CPU的包裝過程完成之後，許多產品還要再進行一次測試來確保先前的製作過程無一疏漏，且產品完全遵照規格所述，沒有偏差。

首先讓我們來看一下處理器的工作原理

一個工廠對產品的加工過程：

進入工廠的原料（程序指令），結過物資分配部門（控制單元）的調度分配，被送往生產線（邏輯運算單元），生產出的成品（處理後的數據）後，再存儲在倉庫（存儲單元）中，最後等著拿到市場上去賣（交由應用程序使用）。

處理器的工作原理：

從控制單元開始，處理器就開始了正式工作，中間的過程是通過邏輯運算單元來進行運算處理，交到存儲單元代表工作結束。首先，指令指針會通知 處理器，將要執行的指令放置在內存中的存儲位置。因為內存中的每個存儲單元都有編號（稱為地址），可以根據這些地址把數據取出，通過地址匯流排送到控制單元中，指令解碼器從指令寄存器IR中拿來指令，翻譯成 處理器可以執行的形式，然後決定完成該指令需要哪些必要的操作，它將告訴算術邏輯單元（ALU）什麼時候計算，告訴指令讀取器什麼時候取數值，告訴指令解碼器什麼時候翻譯指令等等。

根據對指令類型的分析和特殊工作狀態的需要，處理器設置了六種工作周期，分別用六個觸發器來表示它們的狀態，任一時刻只許一個觸發器為1，表示處理器所處周期狀態，即指令執行過程中的某個階段。

1.取指周期（FC）

處理器在FC中完成取指所需要操作。每條指令都必須經歷取指周期FC，在FC中完成的操作與指令操作碼無關的公共操作。但FC結束後轉向哪個周期則與本周期中取出的指令類型有關。

2.源周期（SC）

處理器在SC中完成取源操作數所需的操作。如指令需要源操作數，則進入SC。在SC中根據指令寄存器IR的源地址信息，形成源地址，讀取源操作數。

3.目的周期（DC）

如果處理器需要獲得目的操作數或形成目的地址，則進DC。在DC中根據IR中的目的地址信息進行相應操作。

4.執行周期（EC）

處理器在取得操作數後，則進入EC，這也是第條指令都經歷的最後一個工作階段。在EC中將依據IR中的操作碼執行相應操作，如傳遞、算術運算、邏輯運算、形成轉移地址等。

5.中斷響應周期（IC）

處理器除了考慮指令正常執行，還應考慮對外部中斷請的處理。處理器在向應中斷請求後，進入中斷響應周期IC。在IC中將直接依靠硬體進行保存斷點、關中斷、轉中斷服務程序入口等操作，IC結束轉入取指周期，開始執行中斷服務程序。

6.DMA傳送周期（DMAC）

處理器響應DMA（直接存儲器存取）請求後，進入DMAC中，處理器交出系統匯流排的控制權，由DMA（直接存儲器存取）控制器控制系統匯流排，實現主存與外圍設備之間的數據直接傳送。因此對 處理器來說，DMAC是一個空操作周期。

處理器控制流程，描述了工作周期狀態變化情況：

為了簡化控制邏輯，限制在一條指令結束是判斷有無DMA（直接存儲器存取）請求，若有請求，將插入DMAC；如果在一個DMAC結束前又提出新的DMA請求，則連續安排若干DMA傳送周期。

如果沒有DMA（直接存儲器存取）請求，則繼續判斷有無中斷請求，若有則進入IC。在IC中完成需的操作後向新的FC，這表明進入中斷服務程序。

C. 用三極體怎麼畫與、或、非門電路

上圖自左至右為與門、或門、非門。其實與門、或門用兩個二極體就能完成，一般是不需要三極體。這么畫只是為了符合題目。

D. 電阻器件發展史

簡介
電子元器件是元件和器件的總稱。電子元件：指在工廠生產加工時不改變分子成分 電子元器件
的成品。如電阻器、電容器、電感器。因為它本身不產生電子，它對電壓、電流無控制和變換作用，所以又稱無源器件。電子器件：指在工廠生產加工時改變了分子結構的成品。例如晶體管、電子管、集成電路。因為它本身能產生電子，對電壓、電流有控制、變換作用（放大、開關、整流、檢波、振盪和調制等），所以又稱有源器件。按分類標准，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。電子元器件發展史其實就是一部濃縮的電子發展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新興技術，二十世紀發展最迅速，應用最廣泛，成為近代科學技術發展的一個重要標志。
編輯本段分類簡介
概述
一、元件：工廠在加工產品是沒有改變分子成分產品可稱為元件，不需 電子元器件
要能源的器件。它包括：電阻、電容、電感器。(又可稱為被動元件PassiveComponents) (1)電路類器件：二極體，電阻器等等 (2)連接類器件：連接器，插座，連接電纜，印刷電路板(PCB) 二、器件：工廠在生產加工時改變了分子結構的器件稱為器件 器件分為： 1、主動器件，它的主要特點是：(1)自身消耗電能(2)還需要外界電源。 2、分立器件，分為（1)雙極性晶體三極體(2)場效應晶體管(3)可控硅 (4)半導體電阻電容
電阻
電阻在電路中用「R」加數字表示,如:R1表示編號為1的電阻.電阻在電路中的主要作用為:分流、限流、分壓、偏置等.
電容
電容在電路中一般用「C」加數字表示(如C13表示編號為13的電容).電容是由兩片金屬膜緊靠,中間用絕緣材料隔開而組成的元件.電容的特性主要是隔直流通交流. 電子元器件
電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小,電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗,它與交流信號的頻率和電容量有關.
晶體二極體
晶體二極體在電路中常用「D」加數字表示,如: D5表示編號為5的二極體. 作用:二極體的主要特性是單向導電性,也就是在正向電壓的作用下,導通電阻很小;而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大.正 因為二極體具有上述特性,無繩電話機中常把它用在整流、隔離、穩壓、極性保護、編碼控制、調頻調制和靜噪等電路中.電話機里使用的晶 體二極體按作用可分為:整流二極體(如1N4004)、隔離二極體(如1N4148)、肖特基二極體(如BAT85)、發光二極體、穩壓二極體等.
電感器
電感器在電子製作中雖然使用得不是很多，但它們在電路中同樣重要。我們認為電感器和電容器一樣，也是一種儲能元件，它能把電能轉變為磁場能，並在磁場中儲存能量。電感器用符號L 電子元器件
表示，它的基本單位是亨利（H），常用毫亨（mH）為單位。它經常和電容器一起工作，構成LC濾波器、LC振盪器等。另外，人們還利用電感的特性，製造了阻流圈、變壓器、繼電器等。
編輯本段組合電路
集成電路是一種採用特殊工藝，將晶體管、電阻、電容等元件集成在硅基片上而形成的具有一定功能的器件，英文為縮寫為IC，也俗稱晶元。 模擬集成電路主要是指由電容、電阻、晶體管等元件組成的模擬電路集成在一起用來處理模擬信號的集成電路。有許多的模擬集成電路，如集成運算放大器、比較器、對數和指數放大器、模擬乘(除)法器、鎖相環、電源管理晶元等。模擬集成電路的主要構成電路有：放大器、濾波器、反饋電路、基準源電路、開關電容電路等。模擬集成電路設計主要是通過有經驗的設計師進行手動的電路調試，模擬而得到，與此相對應的數字集成電路設計大部分是通過使用硬體描述語言在EDA軟體的控制下自動的綜合產生。 數字集成電路是將元器件和連線集成於同一半導體晶元上而製成的數字邏輯電路或系統。根據數字集成電路中包含的門電路或元、器件數量，可將數字集成電路分為小規模集成(SSI)電路、中規模集成 電子元器件
MSI電路、大規模集成(LSI)電路、超大規模集成VLSI電路和特大規模集成ULSI)電路。小規模集成電路包含的門電路在10個以內，或元器件數不超過100個；中規模集成電路包含的門電路在10-100個之間，或元器件數在100-1000個之間；大規模集成電路包含的門電路在100個以上，或元器件數在10-10個之間；超大規模集成電路包含的門電路在1萬個以上，或元器件數在10-10之間；特大規模集成電路的元器件數在10-10之間。它包括：基本邏輯門、觸發器、寄存器、解碼器、驅動器、計數器、整形電路、可編程邏輯器件、微處理器、單片機、DSP等。
編輯本段發展史
電子元器件發展史其實就是一部濃縮的電子發展史。電子技術是十九世紀末、二十世紀初開始發展起來的新興技術，二十世紀發展最迅速，應用最廣泛，成為近代科學技術發展的一個重要標志。 電子元器件
第一代電子產品以電子管為核心。四十年代末世界上誕生了第一隻半導體三極體，它以小巧、輕便、省電、壽命長等特點，很快地被各國應用起來，在很大范圍內取代了電子管。五十年代末期，世界上出現了第一塊集成電路，它把許多晶體管等電子元件集成在一塊硅晶元上，使電子產品向更小型化發展。集成電路從小規模集成電路迅速發展到大規模集成電路和超大規模集成電路，從而使電子產品向著高效能低消耗、高精度、高穩定、智能化的方向發展。由於，電子計算機發展經歷的四個階段恰好能夠充分說明電子技術發展的四個階段的特性，所以下面就從電子計算機發展的四個時代來說明電子技術發展的四個階段的特點。
編輯本段電子專用材料
電容器專用極板材料/導電材料 電極材料|光學材料/測溫材料 半導體材料/屏蔽材料 真空電子材料/ 覆銅板材料 壓電晶體材料/ 電工陶瓷材料 光電子功能材料|強電、 弱電用接點材料 激光工質|電子元器件專用薄膜材料 電子玻璃|類金剛石膜 膨脹合金與熱雙金屬片|電熱材料與電熱元件 其它電子專用材料
編輯本段個別元器件件識別
電子元器件常用產品的識別 一、電阻 電阻在電路中用「R」加數字表示，如：R1表示編號為1的電阻。電阻在電路中的主要作用為分流、限流、分壓、偏置等。 1、參數識別：電阻的單位為歐姆(Ω)，倍率單位有：千歐 (KΩ)，兆歐(MΩ)等。換算 方法是：1兆歐=1000千歐=1000000歐 電阻的參數標注方法有3種，即直標法、色標法和數標法。 a、數標法主要用於貼片等小體積的電路，如：472表示47×100Ω(即4.7K)；104則表示100K b、色環標注法使用最多，現舉例如下：四色環電阻五色環電阻(精密電阻) 2、電阻的色標位置和倍率關系如下表所示： 顏色有效數字倍率允許偏差(%) 銀色/x0.01±10 金色/x0.1±5 黑色0+0/ 棕色1x10±1 紅色2x100±2 橙色3x1000/ 黃色4x10000/ 綠色5x100000±0.5 藍色6x1000000±0.2 紫色7x10000000±0.1 灰色8x100000000/ 白色9x1000000000/ 二、電容 1、電容在電路中一般用「C」加數字表示(如C13表示編號為13的電容)。電容是由兩片金屬膜緊靠，中間用絕緣材料隔開而組成的元件。電容的特性主要是隔直流通交流。電容容量的大小就是表示能貯存電能的大小，電容對交流信號的阻礙作用稱為容抗，它與交流信號的頻率和電容量有關。 容抗XC=1/2πfc(f表示交流信號的頻率，C表示電容容量) 電話機中常用電容的種類有電解電容、瓷片電容、貼片電容、獨石電容、鉭電容和滌綸電容等。2、識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標法、色標法和數標法3種。電容的基本單位用法拉(F)表示，其它單位還有：毫法(mF)、微法(uF)、納法(nF)、皮法(pF)。 其中：1法拉=103毫法=106微法=109納法=1012皮法 容量大的電容其容量值在電容上直接標明，如10uF/16V 容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或數字表示 字母表示法：1m=1000uF1P2=1.2PF1n=1000PF 數字表示法：一般用三位數字表示容量大小，前兩位表示有效數字，第三位數字是倍率。 如：102表示10×102PF=1000PF224表示22×104PF=0.22uF3、電容容量誤差表 符號FGJKLM 允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20% 如：一瓷片電容為104J表示容量為0.1uF、誤差為±5%。 三、晶體二極體 晶體二極體在電路中常用「D」加數字表示，如：D5表示編號為5的二極體。 1、作用：二極體的主要特性是單向導電性，也就是在正向電壓的作用下，導通電阻很小；而在反向電壓作用下導通電阻極大或無窮大。正因為二極體具有上述特性，無繩電話機中常，把它用在整流、隔離、穩壓、極性保護、編碼控制、調頻調制和靜噪等電路中。電話機里使用的晶體二極體按作用可分為：整流二極體(如1N4004)、隔離二極體(如1N4148)、肖特基二極體(如BAT85)、發光二極體、穩壓二極體等。 2、識別方法：二極體的識別很簡單，小功率二極體的N極（負極），在二極體外表大多採用一種色圈標出來，有些二極體也用二極體專用符號來表示P極(正極)或N極(負極)，也有採用符號標志為「P」、「N」來確定二極體極性的。發光二極體的正負極可從引腳長短來識別，長腳為正，短腳為負。 3、測試注意事項：用數字式萬用表去測二極體時，紅表筆接二極體的正極，黑表筆接二極體的負極，此時測得的阻值才是二極體的正向導通阻值，這與指針式萬用表的表筆接法剛好相反。 4、常用的1N4000系列二極體耐壓比較如下： 型號 耐壓(V)501002004006008001000 電流(A)均為1 四、穩壓二極體在電路中常用「ZD」加數字表示，如：ZD5表示編號為5的穩壓管。 1、穩壓二極體的穩壓原理：穩壓二極體的特點就是擊穿後，其兩端的電壓基本保持不變。這樣，當把穩壓管接入電路以後，若由於電源電壓發生波動，或其它原因造成電路中各點電壓變動時，負載兩端的電壓將基本保持不變。 2、故障特點：穩壓二極體的故障主要表現在開路、短路和穩壓值不穩定。在這3種故障中，前一種故障表現出電源電壓升高；後2種故障表現為電源電壓變低到零伏或輸出不穩定。 常用穩壓二極體的型號及穩壓值如下： 型號 五、電感在電路中常用「L」加數字表示，如：L6表示編號為6的電感。電感線圈是將絕緣的導線在絕緣的骨架上繞一定的圈數製成。直流可通過線圈，直流電阻就是導線本身的電阻，壓降很小；當交流信號通過線圈時，線圈兩端將會產生自感電動勢，自感電動勢的方向與外加電壓的方向相反，阻礙交流的通過，所以電感的特性是通直流阻交流，頻率越高，線圈阻抗越大。電感在電路中可與電容組成振盪電路。電感一般有直標法和色標法，色標法與電阻類似。如：棕、黑、金、金錶示1uH(誤差5%)的電感。電感的基本單位為：亨（H）換算單位有：1H=103mH=106uH。 六 、變容二極體是根據普通二極體內部「PN結」的結電容能隨外加反向電壓的變化而變化這一原理專門設計出來的一種特殊二極體。變容二極體在無繩電話機中主要用在手機或座機的高頻調制電路上，實現低頻信號調制到高 頻信號上，並發射出去。在工作狀態，變容二極體調制電壓一般加到負極上，使變容二極體，的內部結電容容量隨調制電壓的變化而變化。變容二極體發生故障，主要表現為漏電或性能變差： (1)發生漏電現象時，高頻調制電路將不工作或調制性能變差。 (2)變容性能變差時，高頻調制電路的工作不穩定，使調制後的高頻信號發送到對方被對方接收後產生失真。出現上述情況之一時，就應該更換同型號的變容二極體。 七、晶體三極體在電路中常用「Q」加數字表示，如：Q17表示編號為17的三極體。 1、特點：晶體三極體(簡稱三極體)是內部含有2個PN結，並且具有放大能力的特殊器件。它分NPN型和PNP型兩種類型，這兩種類型的三極體從工作特性上可互相彌補，所謂OTL電路中的對管就是由PNP型和NPN型配對使用。電話機中常用的PNP型三極體有：A92、9015等型號；NPN型三極體有：A42、9014、9018、9013、9012等型號。 2、晶體三極體主要用於放大電路中起放大作用，在常見電路中有三種接法。為了便於比較，將晶體管三種接法電路所具有的特點列於下，名稱共發射極電路共集電極電路(射極輸出器)共基極電路 輸入阻抗中(幾百歐～幾千歐)大(幾十千歐以上)小(幾歐～幾十歐) 輸出阻抗中(幾千歐～幾十千歐)小(幾歐～幾十歐)大(幾十千歐～幾百千歐) 電壓放大倍數大小（小於1並接近於1）大 電流放大倍數大(幾十)大(幾十)小(小於1並接近於1) 功率放大倍數大(約30～40分貝)小(約10分貝)中(約15～20分貝) 頻率特性高頻差好好 八、場效應晶體管放大器 1、場效應晶體管具有較高輸入阻抗和低雜訊等優點，因而也被廣泛應用於各種電子設備中。尤其用場效管做整個電子設備的輸入級，可以獲得一般晶體管很難達到的性能。 2、場效應管分成結型和絕緣柵型兩大類，其控制原理都是一樣的。兩種型號的表示符號： 3、場效應管與晶體管的比較(1)場效應管是電壓控制元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應選用場效應管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應選用晶體管。(2)場效應管是利用多數載流子導電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數載流子，也利用少數載流子導電。被稱之為雙極型器件。(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負，靈活性比晶體管好。(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的製造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊矽片上，因此場效應管在大規模集成電路中得到了廣泛的應用。 1)電子元件：指在工廠生產加工時不改變分子成分的成品。如電阻器、電容器、電感器。因為它本身不產生電子，它對電壓、電流無控制和變換作用，所以又稱無源器件。按分類標准，電子元件可分為11個大類。 2）電子器件：指在工廠生產加工時改變了分子結構的成品。例如晶體管、電子管、集成電路。因為它本身能產生電子，對電壓、電流有控制、變換作用(放大、開關、整流、檢波、振盪和調制等)，所以又稱有源器件。按分類標准，電子器件可分為12個大類，可歸納為真空電子器件和半導體器件兩大塊。 穩壓值3.3V3.6V3.9V4.7V5.1V5.6V6.2V15V27V30V75V。
編輯本段光電子器件
光網中光電子器件的發展趨勢 下一代光傳送網的基本特徵是超大容量，從目前各種復用技術的發展狀況看，密集波分復用（DWDM）被認為是擴大網路容量和提高其靈活性的最有效途徑。採用DWDM可以使容量迅速地擴大數十倍至數百倍。由於近年來市場驅動和技術突破的影響，波分復用系統發展極為迅速。因此各種新研製的光器件也都或多或少與波分復用有關。DWDM的發展思路一直是追求更高的頻譜效率，一方面提高每個通道的速率，另一方面增加通道密度。在速率上，目前商用系統大多為2.5Gbit/s或10Gbit/s，更高速率的40Gbit/s系統正在實用化，預計到2004年開始商業應用，一些電信公司如阿爾卡特的實驗室已進行了160Gbit/s的傳輸實驗。在通道密度方面，通道間的波長間隙已小到25GHz，還在向12.5GHz努力，使得商用系統的總通道數現為160~240個，實驗室中最高達到1022個。為得到更大容量，有時不得不在上述兩者之間折衷考慮，同時還要採取抑制光纖中色散、非線性效應的措施。所有這些要求都涉及到器件的高速、靈活和可靠的問題，而且最終還必須考慮低成本的問題，這使得目前新原理、新結構和新功能的器件不斷涌現。 近年來隨著"網路經濟"泡沫的破滅，光通信產業的資本支出大為減少，作為光通信產業鏈最底端的光電子器件產業面臨非常大的挑戰。據估計，2002年美國通信用光電子器件的資本支出將在2001年銳減29％的基礎上繼續降低24％。另一方面，前期對市場盲目樂觀的估計造成了大量光電子器件積壓，據估計此狀況將持續到2003年。在這種市場環境下，光電子器件的研究與發展的趨勢主要表現在以下幾方面： （1） 從光電子器件實現的功能來看，使光網路容量更大、更智能仍是光電子器件發展方向，但研究的側重點有所改變。在系統傳輸容量方面，光電子器件的研究方向將注重降低傳輸系統的每公里每比特的成本，而不再一味追求單纖傳輸速率的突破。光纖傳輸容量的提高有三種方案：擴展光波段、增加光通道密度和提高通道速率。在器件級的研究上，拉曼光放大器與EDFA結合的寬頻放大器被認為是系統擴展至L波段時最具應用潛力的光電子器件；波長鎖定激光器、大功率包層泵浦EDFA和高密度的群組濾波器將是光通道間隔降低到50GHz、25GHz甚至12.5GHz的高光通道密度傳輸系統中的關鍵器件。40Gbit/s高速光調制器和接收器、動態色散補償器和偏振模色散補償器等光電子器件將是信道速率為40Gbit/s的系統中的關鍵器件。這些關鍵光電子器件的性能與價格將直接影響未來光傳輸系統的設計方案選取，但近期重點產品仍在10Gbit/s系列上，而2.5Gbit/s產品將呈逐步下降的走向。 （2） 小型化和集成化正成為光電子器件保持競爭力的一個新的趨勢。隨著光電子器件在光傳輸設備中的比例越來越大，對光電子器件的小型化要求日益顯現。使設備能少佔機房的面積和少消耗能源，能有效地降低網路的運行成本。光電子器件的小型化要求還促進了集成技術的發展。光電集成技術可以將光子元件與它的驅動電子晶元集成在一起。平面波導集成技術則可以將光開關、可調衰減器和波分復用/解復用器等無源器件集成在一起，在一塊晶元實現子系統功能的系統與分立器件組成的系統相比，既大大減小了體積，還降低封裝的成本。在小型化光器件的開發中，將激光器/探測器等光器件與微電子晶元組裝成一體，形成具有多種功能模塊的發展趨勢正在明顯加快。模塊化能消除寄生參量的影響從而提高性能，並能節省後道組裝的工序和成本。它還促進了相關產業界的合作和標准化，如一年前由多家企業就10Gbit/s 轉發器的光、電和機械性能標准達成的協議，大大推動了這類器件性能價格比的提高。在功能上，前向糾錯（FEC）、熱插拔已普遍為高端產品所採納。在尺寸上，與傳統的插盤相比，用集成的轉發器模塊能使體積縮小到原來的1/10，功耗下降2/3而價格卻只有原來的1/3。主要在城域網和接入網中使用的光收發一體模塊也在由DUPLEX SC型向更小封裝的SFF 模塊發展。與DUPLEX SC封裝相比，它在插盤上占的體積縮小了1/2。在光放大器方面，新的EDFA模塊尺寸只有7cm′9cm′1.2cm (長′寬′高)，卻能提供24dB的增益和15dBm的功率輸出。模塊化還進一步促進了微型封裝激光器和無致冷激光器的進步。現在不僅是光信號源用激光器，功率型的泵浦激光器也取得了無致冷技術的突破。120mW以下980nm無致冷激光器已有商品提供，由於省掉致冷器，EDFA模塊的功耗從4.5W減少到不足1W，體積也大大縮小。值得注意的是，近來摻鉺波導光放大器（EDWA）也被集成於平面波導中，以克服平面波導器件插損大的缺點，從而使製造功能更新、更復雜的平面波導器件成為可能。 （3） 光電子器件組裝的自動化技術將是降低光電子器件成本的關鍵。手工組裝是限制光電子器件的成本進一步下降的主要因素。自動化組裝可以降低人力成本、提高產量和節約生產場地，因此光電子器件組裝的自動化技術的研究將是降低光電子器件成本的關鍵。由於光電子器件自動化組裝的精度在亞微米量級，自動化組裝生產一直被認為是很困難的事，但近來有很大突破。國外的學術期刊已多次報道在VCSEL、新型光學準直器件和自對准等技術進步基礎上，光器件自動化組裝實現的突破，同時專門針對自動化組裝的光電子器件設計也正在興起。2002年OFC展覽會上有十多家自動封裝、自動熔接設備廠商參展，熔接、對准、壓焊等許多過去認為只能由人工操作的工藝現在都能由機械手進行。據ElectroniCast預測，到2005年自動化組裝與測試設備的銷量將達17.1億美元，光電子器件產值中的70%~80％將由全自動或半自動化組裝生產, 可以說自動化生產線的出現是光電子行業開始走向成熟的標志和發展的必然

E. 電氣圖紙中SC、PC、CT、WC代表什麼意思

SC：焊接鋼管

PC：塑料管

CT：沿橋架敷設

WC：沿牆暗敷

F. 用解碼器74LS138和適當的門電路如何設計三人多數表決器

Sa,Sb,Sc為三裁判按鍵，按下=1通過，S為開始鍵，

真值表中綠色圈為通過組合，通過後LED亮。

G. 手機游戲生存戰爭中的雷管有什麼用有人知道嗎

你好，

生存戰爭電路入門教程是小編今天為玩家帶來的精品教程，希望每位玩家在小編的幫助下都能夠順利的將生存戰爭電路入門進行下去，話不多說，快和小編一起來欣賞吧。

基礎概念：

有電(信號)稱為「1」

無電(信號)稱為「0」

持續信號(SC中開關、電池)：有電，時間無限。如打開開關，燈一直亮。

瞬間信號(SC中按鈕)：有電，時間有限。如點擊按鈕，燈亮了一瞬間。

輸入電信號的一端稱為時鍾端，此文為了好理解，暫稱為輸入端。

瞬間、持續信號的擴展：

sc固有的瞬間信號以按鈕為基本態，大約是一個持續0.3秒的信號，和d板延遲的時間一致。通過光電二極體轉換得到的瞬間信號則是越為0.5秒的，利用sr板的瞬間輸入重置得到的瞬間信號也是0.3秒。

瞬間信號分為亮起部分和熄滅部分，這兩個時間長短隨便你設置。總之，廣義而言，凡是每一次從「0」到「1」再到「0」的這一輸出特性，都可以看做是一個瞬間信號。把一個持續信號打斷。可以視為一個瞬間信號。(即無限時間變為有限)

持續信號就是持續的，是一直有的不發生變化的信號，就像直流電一樣。

瞬間信號就是只持續一會兒的信號。

瞬間信號分為有意義的起亮部分和無意義的熄滅部分。這兩個時間長短並不總是一樣的。

凡是從0到1再從1到0的這一信號變化過程都視作是一個瞬間信號，並不一定非要用按鈕輸出。

所有的邏輯板只會接受並生效1信號，也就是說當我使用開關時，從打開狀態變為關閉狀態時，sr板是不接受信號的。你需要再次打開才視為你進行了一次輸出。

隨機板也是如此，他們都接受單次信號並生效。

我們可以把連續的瞬間信號視為穩壓交流電，也有人叫他脈沖信號，但是這些問題比較難篇幅會急劇上升，就不解釋了。總之信號間歇性的不同會產生完全不一樣的電路。

各種電路板(邏輯電路板)：

①非門(即N板)

②與門(即O板)

③或門(即A板)

④異或門(即X板)

⑤延遲門(即D板)

⑥rs觸發器(即SR板)

⑦隨機信號生成器(即。。。無法描述。。。板)

從左至右分別為:非門(N板)、或門(A板)、與門(O板)、異或門(X板)、延遲器(D板)、rs觸發器(SR板)、隨機數生成器。

其他

從左至右分別為：穿牆電線、電線、電燈、LED紅、LED綠、開關和電池(輸出持續信號)、按鈕(輸出瞬間信號)、光電二極體、壓力版(木)、壓力板(石)。

從左至右分別為：木活版門、木門、囚牢活版門、鐵門、囚牢門、告示牌、聖誕樹、小雷管、中小大火葯桶。

或門(O板)

或門有兩個輸入端和一個輸出端。把或門比作正常的門，鑰匙在兩個人手裡，任何一個人來了都可以打開這扇門。

或門兩個輸入端只要有一個輸入1，則輸出端就是1。兩個輸入端都輸入1，則輸出端也是1。

、、、燈(亮)

、、、↑

、、、O(O代表O板)

、↑、、↑

「0」|「1」

「1」|「1」

「1」|「0」(任意輸入端輸入信號為「1」或信號都為「1」)

與門(A板)

與門可以比作一扇門有兩把鎖頭，鑰匙分別交給甲乙二人，當沒人時，門不會開，來其中一個人，門也開不開，只有兩個人同時在才可以開門。這就是與門。

兩輸入端輸入「1」，輸出端輸出「1」，否則為輸出為「0」

、、燈(亮)

、、↑

、、A(A代表A板)

.↑、、↑

「1」|「1」(兩輸入端皆輸入信號「1」，即所有輸入端都輸入「1」)

異或門(X板)

異或門就和它的名字一樣，只有當輸入端信號有且不一樣時才會輸出0。也就是說，除了在兩個輸入端都是1但是輸出0的情況下，其他的會或門一模一樣。

.、、燈(亮)

.、、↑

、.→X←(X代表X板)

、↑、、↑

「1」|「0」

「0」|「1」(兩輸入端輸入信號不同)

延遲門(D板)

延遲門很容易理解，它的作用就是延時。最簡單，但很有用。你可以用它做出一個無限輸出瞬間信號的電路組，每次輸出的間隔時間由D板數量決定。

→→→燈(根據D板數量決定瞬間亮起的間隔時間)

↑↓

D D

↑↓(無限循環的瞬間信號)(D代表D板)

D D

↑↓

←←按鈕(按壓一次)

隨機信號生成器

作用很簡單，就是隨機輸出信號，但有兩種控制方式:一種是直接把輸出端連接電路，輸入端空閑，如此一來，隨機板每秒就會進行一次隨機輸出，輸出信號不確定。10次內，可能是：「1」「1」「1」「1」「0」「1」「0」「1」「1」「1」也有可能是：「1」「1」「1」「1」「1」「1」「1」「1」「1」「1」或者「0」「0」「0」「0」「0」「0」「0」「0」「0」「0」

燈(亮不亮不確定，每秒變化一次)

↑

隨機信號生成器

另一種是：在輸入端輸入一個瞬間信號，輸出端就會進行一次隨機輸出。

燈(亮不亮不確定，每按一次按鈕變化一次)

↑

隨機信號生成器

↑

按鈕

Rs鎖存器(sr板)

這是在SC電路中最難理解的一個了，但請不要把它想得厲害。真正厲害的是A板和N板，所有東西都可以用這兩個完成，越簡單的才是越重要的。

其原理有二：基本態和翻轉態

基本態：

首先，S端和R端只接收瞬間信號。下方輸入端的默認輸入信號為「1」，如果接入按鈕或開關，信號會默認輸入為「0」。

在輸入端的輸入信號為「0」時(即鎖定)，不管是r端還是s端，都不會對輸出造成任何影響。在此情況下，sr板的唯一作用是鎖死信號。

燈(不亮)

↑

Sr板

↑

開關

(鎖定狀態)

在沒有鎖死的情況下，S端輸入信號「1」，輸出端輸出「1」。如果R端再輸入信號「1」，輸入板就會被重置，此時輸出端輸出信號為「0」

、、、燈

、、、↑

、.←Sr板→.

、↓、、、↓

壓力板、、壓力版

Rs板翻轉態：

如果S端和r端同時接收到持續信號，在下方輸入端輸入一個瞬間信號，輸出端信號就會發生改變，如果原本輸出的是「1」，那麼會變化為「0」;如果原本輸出的是「0」，那麼會變化為「1」。

輸入端每輸入一次瞬間信號，輸出端信號就變化一次。

、、、燈(規律：每按一次按鈕，亮變不亮，不亮變亮)

、、、↑

N板→Sr板←N板

、、、↑

、、.按鈕

使用翻轉態，我們可以還造出一個二進制減法計數器或二進制加法計數器

二進制減法計數器

、、、→→燈

、、、↑

N板→sr板←N板

、、、→→燈

、、、↑

N板→sr板←N板

、、、↑

、、.按鈕

二進制加法計數器

、、、→N板→燈

、、、↑

N板→sr板←N板

、、、→N板→燈

、、、↑

N板→sr板←N板

、、、↑

、、.按鈕

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H. 用解碼器74LS138和適當的門電路設計三人多數表決器。

設Sa,Sb,Sc為三裁判按鍵，按下=1通過，S為開始鍵，

真值表中綠色圈為通過組合，通過後LED亮。

I. 光分器分為哪幾種

分光器是一種無源器件,又稱光分路器，它們不需要外部能量，只要有輸入光即可。分光器由入射和出射狹縫、反射鏡和色散元件組成，其作用是將所需要的共振吸收線分離出來。分光器的關鍵部件是色散元件，現在商品儀器都是使用光柵。1）光線進入分光器後，把普通光線按波長可分為以下三種類：

近紫外線（near UV）：200-380nm。

真空紫外線（vacuumUV）：10-200nm。

極紫外線、極端紫外線（Extreme UV） ：1-10nm。

2）從人類健康和環保角度，還可分為UVA（315～400nm）、UVB（280～315nm）、UVC（280nm以下）。

3）另外一種分類方法是單模，多模。

單模：1310nm。多模：850nm。

分光器通用介面有3種，一種為LC，一種為FC，第三種為SC。

J. 百度知道

1、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極體)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
2、可關斷晶閘管GTO（Gate Turn-Off Thyristor）亦稱柵控晶閘管。具備開關功能的器件。即不僅能導通，而且當在門極有反向電流流過，就能將其關斷。與一般晶閘管相比，其優點是可不必為關斷而設置換流電路。其主要特點為，當柵極加負向觸發信號時晶閘管能自行關斷。普通晶閘管（SCR）靠柵極正信號觸發之後，撤掉信號亦能維持通態。欲使之關斷，必須切斷電源，使正向電流低於維持電流IH，或施以反向電壓強近關斷。這就需要增加換向電路，不僅使設備的體積重量增大，而且會降低效率，產生波形失真和雜訊。可關斷晶閘管克服了上述缺陷，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優點，以具有自關斷能力，使用方便，是理想的高壓、大電流開關器件。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻率比GTR低。目前，GTO已達到4500A、6000V的容量。大功率可關斷晶閘管已廣泛用於斬波調速、變頻調速、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力。

可關斷晶閘管也屬於PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1僅繪出GTO典型產品的外形及符號。大功率GTO大都製成模塊形式。

盡管GTO與SCR的觸發導通原理相同，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同。這是由於普通晶閘管在導通之後即處於深度飽和狀態，而GTO在導通後只能達到臨界飽和，所以GTO柵極上加負向觸發信號即可關斷。GTO的一個重要參數就是關斷增益，βoff，它等於陽極最大可關斷電流IATM與柵極最大負向電流IGM之比，有公式

βoff =IATM/IGM

3、IPM智能功率模塊
IPM（Intelligent Power Mole），即智能功率模塊，不僅把功率開關器件和驅動電路集成在一起。而且還內藏有過電壓，過電流和過熱等故障檢測電路，並可將檢測信號送到CPU。它由高速低功耗的管芯和優化的門極驅動電路以及快速保護電路構成。即使發生負載事故或使用不當，也可以保證IPM自身不受損壞。IPM一般使用IGBT作為功率開關元件，內藏電流感測器及驅動電路的集成結構。IPM以其高可靠性，使用方便贏得越來越大的市場，尤其適合於驅動電機的變頻器和各種逆變電源，是變頻調速，冶金機械，電力牽引，伺服驅動，變頻家電的一種非常理想的電力電子器件。特點
IPM與以往IGBT模塊及驅動電路的組件相比具有如下特點： (1)內含驅動電路。設定了最佳的IGBT驅動條件，驅動電路與IGBT間的距離很短，輸出阻抗很低，因此，不需要加反向偏壓。所需電源為下橋臂1組，上橋臂3組，共4組。 (2)內含過電流保護(OC)、短路保護(SC)。由於是通過檢測各IGBT集電極電流實現保護的，故不管哪個IGBT發生異常，都能保護，特別是下橋臂短路和對地短路的保護。 (3)內含驅動電源欠電壓保護(UV)。每個驅動電路都具有UV保護功能。當驅動電源電壓UCC小於規定值UV時，產生欠電壓保護。 (4)內含過熱保護(OH)。OH是防止IGBT、FRD(快恢復二極體)過熱的保護功能。IPM內部的絕緣基板上沒有溫度檢測元件，檢測絕緣基板溫度Tcoh(IGBT、FRD晶元異常發熱後的保護動作時間比較慢)。R—IPM進一步在各IGBT晶元內沒有溫度檢測元件，對於晶元的異常發熱能高速實現OH保護。 (5)內含報警輸出(ALM)。ALM是向外部輸出故障報警的一種功能，當OH及下橋臂OC、Tjoh、UV保護動作時，通過向控制IPM的微機輸出異常信號，能切實停止系統。 (6)內含制動電路。和逆變橋一樣，內含IGBT、FRD、驅動，通過外接制動電阻可以方便的實現能耗制動