㈠ 為什麼線路板D/F曝光過度會產生線幼，蝕刻過度還好理解，曝光過度怎麼理解
在曝光過程中，干膜的光聚合反應並非「一引而發」或「一曝即成」，而是大專體經屬過三個階段。
干膜中由於存在氧或其它有害雜質的阻礙，因而需要經過一個誘導的過程，在該過程內引發劑分解產生的游離基被氧和雜質所消耗，單體的聚合甚微。但當誘導期一過，單體的光聚合反應很快進行，膠膜的粘度迅速增加，接近於突變的程度，這就是光敏單體急驟消耗的階段，這個階段在曝光過程中所佔的時間比例是很小的。當光敏單體大部分消耗完時，就進入了單體耗盡區，此時光聚合反應已經完成。
正確控制曝光時間是得到優良的干膜抗蝕圖像非常重要的因素。當曝光不足時，由於單體聚合的不徹底，在顯影過程中，膠膜溶漲變軟，線條不清晰，色澤暗淡，甚至脫膠，在電鍍前處理或電鍍過程中，膜起翹、滲鍍、甚至脫落。當曝光過頭時，會造成難於顯影，膠膜發脆、留下殘膠等弊病。更為嚴重的是不正確的曝光將產生圖像線寬的偏差，過量的曝光會使圖形電鍍的線條變細，使印製蝕刻的線條變粗，反之，曝光不足使圖形電鍍的線條變粗，使印製蝕刻的線條變細。
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