放大電路圖

Ⅰ 三極體PNP放大10倍的電路圖

PNP放大電路原理和NPN放大電路原理相同，只是電源極性、偏置電流方向與NPN電路內相反而已。

R1、容R2、R4組成基極分壓偏置電路，同時R4擔任交直流負反饋。

靜態工作點：R1、R2、R4組成基極分壓偏置電路，使R1上電壓約為0.8V，則R4上電壓為0.8-0.65=0.15V，Ic≈Ie=0.15/100=0.0015A=1.5mA，Uc=-6+Ic*R3=-3V。

電路所示的參數，當負電阻抗是2K時，三極體的輸出負載是1K（R3與RL並聯），交流負反饋電阻R4是100，因此電壓放大倍數約是1K/100=10。

由於這是一個簡單的單管放大電路，所以它的放大倍數隨負載電阻的變化而變化。

Ⅱ 關於三極體多級放大電路的一個圖

記住了，三極體的發射結處於正偏置並且導通後，發射結兩端，也就是版基極與發射極的權電壓差（電位差、電平差）就固定在0.7V左右了，以後你還會明白這就叫鉗位作用；
由於VT2基極上要電阻提供了正偏置電壓並足以令其導通，又因為VT1的集電極直接與VT2基極相連接，所以VT1的集電極被鉗位在VT2基極電位上，也就是VT1的集電極電壓（電位、電平）等於0.7V；
因此VT1的集電極的輸出電壓（電位、電平）不會高於0.7V，但是可以低於0.7V，因為低於0.7V後，VT2就截止了，同時就失去了鉗位作用了；
關於電壓、電位、電平的概念，其實幾乎都一樣的，都是指定某一點作為參考點，所得到的電壓差，一般是以0V作為參考點，此時三者的叫法是相通的，也就是隱去參考點，各個節點的伏特量，可以叫電壓、電位、電平；
但是，在任意兩個節點之間（不包含0V參考節點）的電壓差，我們就習慣叫電壓，此時就不能再叫電位、電平了，當然可以叫電位差、電平差；

Ⅲ 三極體單級放大電路圖

請問您是要放大電壓信號還是電流信號？
對輸入電阻、輸出電阻、信號帶寬都有版那些要求？

8050是NPN管，權8550PNP管，參數相同

參數：
耗散功率0.625W（貼片：0.3W）
集電極電流0.5A
集電極--基極電壓40V
集電極--發射極擊穿電壓25V
特徵頻率fT 最小150MHZ 典型值產家的目錄沒給出
按三極體後綴號分為 B C D檔 貼片為 L H檔
放大倍數B85-160 C120-200 D160-300 L100-200 H200-350

Ⅳ NPN放大10倍的電路圖

R1、R2、R4組成基極分抄壓偏置電襲路，同時R4擔任交直流負反饋。

靜態工作點：R1、R2、R4組成基極分壓偏置電路，使R1上電壓約為0.8V，則R4上電壓為0.8-0.65=0.15V，Ic≈Ie=0.15/100=0.0015A=1.5mA，Uc=6-Ic*R3=3V。

電路所示的參數，當負電阻抗是2K時，三極體的輸出負載是1K（R3與RL並聯），交流負反饋電阻R4是100，因此電壓放大倍數約是1K/100=10。

由於這是一個簡單的單管放大電路，所以它的放大倍數隨負載電阻的變化而變化。

Ⅳ 三極體PNP放大150倍的電路圖

實用電路見下圖。三極體應選用β值大的，例如BC859CLT1G（β=420~800），但不要用那種β值超大的復合管版，因為權電源電壓只有3V。

具體的Rb取值要根據實際β值確定，要使無信號時的三極體集電極電壓Vc=1V左右。

Rc=67Re可使放大倍數為66倍。

Ⅵ 請問基本放大電路有幾種分別是什麼特點 圖上是哪種

您好：
一、基本放大電路有以下幾種：
按放大信號分類，
電壓放大，電流放大，功率放大。
按工作狀態類型分類，
A,B,C,D或甲乙丙丁類放大器。
按BJT或FET的連接方式，
有共基、共射、共集，放大電路。
A、共發射極特點：
1. 放大電路的核心元件晶體管工作在放大狀態，即要求其發射結正偏、集電結反偏。
2. 輸入迴路的設置應當使輸入信號耦合到晶體管的輸入電極，並形成變化的基極電流Ib，進而產生晶體管的電流控制關系，變成集電極電流Ic的變化。
3. 輸出迴路的設置應當保證晶體管放大後的電流信號能夠轉換成負載需要的電壓形式。
4. 信號通過放大電路時不允許出現失真。
B、共集電極特點：
電壓增益（放大倍數）共集電極放大電路小於1但近似等於1，輸出電壓與輸入電壓同相位，輸入電阻高、輸出電阻低。雖然共集電極放大電路的電壓增益小於1，但是它的輸入電阻高，當信號源（或前極）提供給放大電路同樣大小的信號電壓時，由於具有較高的輸入電阻，使所需提供的電流減小，從而減輕了信號源的負載。
C、共基極特點：
共基極放大電路的輸入電阻很低，一般只有幾歐到幾十歐，但其輸出電阻卻很高。另外，共基放大電路允許的工作頻率較高，高頻特性比較好，所以它多用於高頻和寬頻帶電路或恆流源電路中。

二、上圖是一個共射放大電路！
至於具體特點，請參見http://ke..com/link?url=EoIQWYBJT_m9oox_ekLmsu2ESe_-EOXmH1MrUVO_
望採納。

Ⅶ LM358放大電路，有圖，求解

你的電路有問題，輸入那裡加一個100k電阻，前面再加個電容微信號輸入，把電源加個100k接到3腳就ok了。呵呵

Ⅷ 晶體管放大電路的圖解法

樓主問題意思是：假設晶體管工作在放大區，由近似分析得到IBQ，用T輸出特性曲線和輸出迴路負載線以及IBQ得到的交點卻又恰好可能在飽和區，這樣的前後矛盾。
如果樓主意思是我所描述的，
那麼
第一：圖解法是最為准確的解法，精度取決於你晶體管輸入、輸出特性曲線的測試。
圖解法整個流程應該是：
輸入迴路負載線與T輸入特性曲線交點求出IBQ，
再由輸出特性曲線以及輸出迴路負載線及IBQ讀出晶體管是工作在什麼狀態，以及UCE和ICQ
這樣精度是高，但是測試輸入輸出特性曲線的過程麻煩。
第二：近似分析
假定T是在放大區，IC≈βIB（忽略了一些因素所得，學半導體原理的同學才能完全搞清楚，我也不懂，學模電更多是學怎麼用，及知道怎麼近似，近似是忽略什麼）
UBE≈0.7V（其實是在0.7V左右，如果輸入迴路直流電源夠大，可以直接將UBE壓降看成0.7V，如果電源更大，甚至可以忽略，這是看你要的精度）
再結合輸入迴路電路圖即可求出IB，
再求出IC，
結合輸出迴路電路圖即可求出UCE。
結合UCE判斷你的假設正不正確。
這樣能快速分析晶體管的狀態，但是存在著一定無處，有可能分析出來的結果在臨界飽和或者截止附近，容易判斷出錯。如果是這種情況的話，要麼還是用圖解法再分析一次，要麼就用上你的電表測試吧。
個人覺得，樓主是將兩種方法混在了一起（也不是說不能這樣），但你既然用了近似分析，就要承擔近似分析帶來的誤差，如果出現樓主所描述情況，最好就單純圖解法，或者實際量一下。
來自一個模電初學者的理解。。。。
老司機們輕噴。。。。
（PS：樓主最後結合圖解得出ICQ，UCE和直接輸出迴路分析得出ICQ，UCE是一樣道理，如果得出UCE小於UBE（小的程度大一點，那麼誤差可以忽略），認為就是在飽和區了）

Ⅸ 最簡單的三極體放大電路圖

這是一個典型的三極體放大電路.從上面可看出電流的流向.各偏置電阻的作用.