門開關電路

『壹』 在典型的門開關控制電路中D1D2作用

d1,d2是續流二極體，吸收繼電器斷開時的反向電動勢形成的尖峰脈沖，保證三極體和電路安全，降低干擾。

『貳』 門電路開關問題

開關的話，用門電路就可能比較郁悶一點，一般選用三極體，或者光耦，光耦救濟蹦上沒有壓降，可以忽視，也是一個高電平就可以控制兩個角的導通。

『叄』 汽車電動門窗開關電路接線圖（越具體越好）

汽車電動門窗開關電路接線圖：

電動車窗系統由車窗、車窗玻璃升降器、電動機、繼電器、開關和ECU等裝置組成。

其中，玻璃升降器系統是電動車窗的主要部件，根據機械升降機構的不同工作原理，玻璃升降器可分為3種形式：繩輪式、叉臂式和軟軸式。

(3)門開關電路擴展閱讀：

電動車窗的控制電路主要由電源、易熔線、斷路器、主繼電器、開關、電動機和指示燈組成。

1、電源

電源為電氣設備提供電能，以使電氣設備工作。汽車的電源主要是發電機和蓄電池。

2、易熔線

易熔線的作用是防止電流過大而損壞電氣設備。

3、斷路器

電路或電動機內裝有一個或多個熱敏斷路器，用以控制電流，防止電動機過載。當車窗完全關閉或由於結冰等原因使車窗玻璃不能自如運動時，即使操縱開關沒有斷開，熱敏開關也會自動斷路。

其基本原理是：當電動機過載時，其阻抗減小甚至為零，此時輸入的電流過大，引起斷路器的雙金屬片發熱變形而斷路。當開關斷開後，其電路中的電流為零，斷路器的雙金屬片因無電流通過，便逐漸冷卻觸點又恢復接觸狀態，以備再次接通門窗的電路。

4、主繼電器

主繼電器的作用是接通或斷開門窗電路。當接通點火開關電路時，同時也接通了主繼電器的線圈電路，主繼電器接通門窗的電路。當關斷點火開關時，主繼電器同時也斷開門窗的電路，以防損壞電氣組件和發生意外。

5、開關

開關用來控制門窗玻璃升降。一般電動門窗系統都裝有兩套控制開關。一套裝在儀錶板或駕駛員側車門扶手上（即方便於駕駛員操縱位置），為主開關，它由駕駛員控制每個車窗的升降。另一套分別裝在每一個乘員的車門上，它為分開關，可由乘員操縱。

一般在主開關上還裝有窗鎖開關。如果將其斷開，則分開關就不起作用。有的車上還專門裝有一個延遲開關，在點火開關斷開後約10min內，或在打開車門以前，仍有電源提供，使駕駛員和乘員能有時間關閉車窗。

6、指示燈

指示燈用來指示門窗電路的工作狀態。它主要有電源指示燈、乘員門窗電路指示燈和駕駛員側門窗升降狀態指示燈幾種。

電源指示燈的點亮或熄滅表示電源電路的通斷。即門窗電路導通時，電源指示燈點亮，電源斷開時指示燈熄滅。當接通窗鎖開關時，乘員門窗電路指示燈點亮，斷開時熄滅。

『肆』 大眾寶來主門開關電路

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『伍』 電動卷簾門開關接線圖是怎樣的

如下圖:

第二、從電動卷簾門專用電機種類劃分：卷簾門專用電機有：防火卷門機、澳式卷門機、外掛卷門機、管狀卷門機、無機雙簾卷門機、快速卷門機等。採用不同專用電機的電動卷簾門都各有各的特點，那要看客戶的需求而定。

第三、電動卷簾門用途也分很多種：按照每個使用者的不同用途，有靜音型、降噪型、有不銹鋼卷簾門、還有防風、防火卷簾門和水晶卷簾門。

『陸』 門控制開關電路

不用電路，門框頂部安裝一個干簧管，串接在220V線路上，在門頂部與干簧管對應位置安裝回一塊小磁鐵答即可。門閉合時，磁鐵靠近干簧管，使干簧管閉合，電路接通，門打開時，磁鐵離開干簧管，干簧管復位，電路斷開。
這種方法很好，只是干簧管控制的負載不能太大，100W以內應該沒問題，功率大了，可以用兩個或幾個干簧管並聯，或採用其它方法控制。

『柒』 請問電磁門開關的工作原理是什麼

當按下板式開關時，電磁門的電磁鐵開始作用，使銜鐵脫離門扣，就可以用手打開門；門關上後，電磁鐵不通電，銜鐵卡住門扣，使門不能被打開。

一般電磁門都這樣設計，畢竟關門的時間長，此時應盡量不讓電磁鐵通電。電磁鐵不通電，就沒有磁性。沒有見過通電就使磁性消失的電磁門。

『捌』 門電路工作原理

第五節 CMOS邏輯門電路
http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把

CMOS邏輯門電路是在TTL電路問世之後 ，所開發出的第二種廣泛應用的數字集成器件，從發展趨勢來看，由於製造工藝的改進，CMOS電路的性能有可能超越TTL而成為佔主導地位的邏輯器件 。CMOS電路的工作速度可與TTL相比較，而它的功耗和抗干擾能力則遠優於TTL。此外，幾乎所有的超大規模存儲器件 ，以及PLD器件都採用CMOS藝製造，且費用較低。
早期生產的CMOS門電路為4000系列 ，隨後發展為4000B系列。當前與TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可與TTL器件交換使用。下面首先討論CMOS反相器，然後介紹其他CMO邏輯門電路。

MOS管結構圖

MOS管主要參數：

1.開啟電壓VT
·開啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開始形成導電溝道所需的柵極電壓；
·標準的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
·通過工藝上的改進，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流輸入電阻RGS
·即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
·這一特性有時以流過柵極的柵流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超過1010Ω。

3. 漏源擊穿電壓BVDS
·在VGS=0（增強型）的條件下 ，在增加漏源電壓過程中使ID開始劇增時的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
·ID劇增的原因有下列兩個方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
·有些MOS管中，其溝道長度較短，不斷增加VDS會使漏區的耗盡層一直擴展到源區，使溝道長度為零，即產生漏源間的穿通，穿通後
，源區中的多數載流子，將直接受耗盡層電場的吸引，到達漏區，產生大的ID

4. 柵源擊穿電壓BVGS
·在增加柵源電壓過程中，使柵極電流IG由零開始劇增時的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。

5. 低頻跨導gm
·在VDS為某一固定數值的條件下 ，漏極電流的微變數和引起這個變化的柵源電壓微變數之比稱為跨導
·gm反映了柵源電壓對漏極電流的控制能力
·是表徵MOS管放大能力的一個重要參數
·一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內

6. 導通電阻RON
·導通電阻RON說明了VDS對ID的影響 ，是漏極特性某一點切線的斜率的倒數
·在飽和區，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數值很大 ，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
·由於在數字電路中 ，MOS管導通時經常工作在VDS=0的狀態下，所以這時的導通電阻RON可用原點的RON來近似
·對一般的MOS管而言，RON的數值在幾百歐以內

7. 極間電容
·三個電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
·CGS和CGD約為1～3pF
·CDS約在0.1～1pF之間

8. 低頻雜訊系數NF
·雜訊是由管子內部載流子運動的不規則性所引起的
·由於它的存在，就使一個放大器即便在沒有信號輸人時，在輸 出端也出現不規則的電壓或電流變化
·雜訊性能的大小通常用雜訊系數NF來表示，它的單位為分貝（dB）
·這個數值越小，代表管子所產生的雜訊越小
·低頻雜訊系數是在低頻范圍內測出的雜訊系數
·場效應管的雜訊系數約為幾個分貝，它比雙極性三極體的要小

一、CMOS反相器

由本書模擬部分已知，MOSFET有P溝道和N溝道兩種，每種中又有耗盡型和增強型兩類。由N溝道和P溝道兩種MOSFET組成的電路稱為互補MOS或CMOS電路。
下圖表示CMOS反相器電路，由兩只增強型MOSFET組成，其中一個為N溝道結構，另一個為P溝道結構。為了電路能正常工作，要求電源電壓VDD大於兩個管子的開啟電壓的絕對值之和，即
VDD＞(VTN＋|VTP|) 。

1.工作原理

首先考慮兩種極限情況：當vI處於邏輯0時 ，相應的電壓近似為0V；而當vI處於邏輯1時，相應的電壓近似為VDD。假設在兩種情況下N溝道管 TN為工作管P溝道管TP為負載管。但是，由於電路是互補對稱的，這種假設可以是任意的，相反的情況亦將導致相同的結果。
下圖分析了當vI=VDD時的工作情況。在TN的輸出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，疊加一條負載線，它是負載管TP在 vSGP=0V時的輸出特性iD－vSD。由於vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），負載曲線幾乎是一條與橫軸重合的水平線。兩條曲線的交點即工作點。顯然，這時的輸出電壓vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通過兩管的電流接近於零。這就是說，電路的功耗很小（微瓦量級）

下圖分析了另一種極限情況，此時對應於vI＝0V。此時工作管TN在vGSN＝0的情況下運用，其輸出特性iD－vDS幾乎與橫軸重合 ，負載曲線是負載管TP在vsGP＝VDD時的輸出特性iD－vDS。由圖可知，工作點決定了VO＝VOH≈VDD；通過兩器件的電流接近零值 。可見上述兩種極限情況下的功耗都很低。

由此可知，基本CMOS反相器近似於一理想的邏輯單元，其輸出電壓接近於零或+VDD，而功耗幾乎為零。

2.傳輸特性

下圖為CMOS反相器的傳輸特性圖。圖中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=
2V。由於 VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，當VDD-|VTP|>vI>VTN 時,TN和TP兩管同時導通。考慮到電路是互補對稱的，一器件可將另一器件視為它的漏極負載。還應注意到，器件在放大區（飽和區）呈現恆流特性，兩器件之一可當作高阻值的負載。因此，在過渡區域，傳輸特性變化比較急劇。兩管在VI=VDD/2處轉換狀態。

3.工作速度

CMOS反相器在電容負載情況下，它的開通時間與關閉時間是相等的，這是因為電路具有互補對稱的性質。下圖表示當vI=0V時 ，TN截止，TP導通，由VDD通過TP向負載電容CL充電的情況。由於CMOS反相器中，兩管的gm值均設計得較大，其導通電阻較小，充電迴路的時間常數較小。類似地，亦可分析電容CL的放電過程。CMOS反相器的平均傳輸延遲時間約為10ns。

二、CMOS門電路

1.與非門電路

下圖是2輸入端CMOS與非門電路，其中包括兩個串聯的N溝道增強型MOS管和兩個並聯的P溝道增強型MOS管。每個輸入端連到一個N溝道和一個P溝道MOS管的柵極。當輸入端A、B中只要有一個為低電平時，就會使與它相連的NMOS管截止，與它相連的PMOS管導通，輸出為高電平；僅當A、B全為高電平時，才會使兩個串聯的NMOS管都導通，使兩個並聯的PMOS管都截止，輸出為低電平。

因此，這種電路具有與非的邏輯功能，即
n個輸入端的與非門必須有n個NMOS管串聯和n個PMOS管並聯。

2.或非門電路

下圖是2輸入端CMOS或非門電路。其中包括兩個並聯的N溝道增強型MOS管和兩個串聯的P溝道增強型MOS管。

當輸入端A、B中只要有一個為高電平時，就會使與它相連的NMOS管導通，與它相連的PMOS管截止，輸出為低電平；僅當A、B全為低電平時，兩個並聯NMOS管都截止，兩個串聯的PMOS管都導通，輸出為高電平。
因此，這種電路具有或非的邏輯功能，其邏輯表達式為

顯然，n個輸入端的或非門必須有n個NMOS管並聯和n個PMOS管並聯。
比較CMOS與非門和或非門可知，與非門的工作管是彼此串聯的，其輸出電壓隨管子個數的增加而增加；或非門則相反，工作管彼此並聯，對輸出電壓不致有明顯的影響。因而或非門用得較多。

3.異或門電路

上圖為CMOS異或門電路。它由一級或非門和一級與或非門組成。或非門的輸出。而與或非門的輸出L即為輸入A、B的異或

如在異或門的後面增加一級反相器就構成異或非門，由於具有的功能，因而稱為同或門。異成門和同或門的邏輯符號如下圖所示。

三、BiCMOS門電路

雙極型CMOS或BiCMOS的特點在於，利用了雙極型器件的速度快和MOSFET的功耗低兩方面的優勢，因而這種邏輯門電路受到用戶的重視
。

1.BiCMOS反相器

上圖表示基本的BiCMOS反相器電路，為了清楚起見，MOSFET用符號M表示BJT用T表示。T1和T2構成推拉式輸出級。而Mp、MN、M1、M2所組成的輸入級與基本的CMOS反相器很相似。輸入信號vI同時作用於MP和MN的柵極。當vI為高電壓時MN導通而MP截止；而當vI為低電壓時,情況則相反，Mp導通，MN截止。當輸出端接有同類BiCMOS門電路時，輸出級能提供足夠大的電流為電容性負載充電。同理，已充電的電容負載也能迅速地通過T2放電。
上述電路中T1和T2的基區存儲電荷亦可通過M1和M2釋放，以加快
電路的開關速度。當vI為高電壓時M1導通，T1基區的存儲電荷迅速消散。這種作用與TTL門電路的輸入級中T1類似。同理 ，當vI為低電壓時，電源電壓VDD通過MP以激勵M2使M2導通，顯然T2基區的存儲電荷通過M2而消散。可見，門電路的開關速度可得到改善。

2.BiCMOS門電路

根據前述的CMOS門電路的結構和工作原理，同樣可以用BiCMOS技術實現或非門和與非門。如果要實現或非邏輯關系，輸入信號用來驅動並聯的N溝道MOSFET，而P溝道MOSFET則彼此串聯。正如下圖所示的
2輸入端或非門。

當A和B均為低電平時，則兩個MOSFET MPA和MPB均導通，T1導通而MNA和MNB均截止，輸出L為高電平。與此同時，M1通過MPA和MpB被VDD所激勵，從而為T2的基區存儲電荷提供一條釋放通路。
另一方面，當兩輸入端A和B中之一為高電平時 ，則MpA和MpB的通路被斷開，並且MNA或MNB導通，將使輸出端為低電平。同時，M1A或M1B為T1的基極存儲電荷提供一條釋放道路。因此 ，只要有一個輸入端接高電平，輸出即為低電平。

四、CMOS傳輸門

MOSFET的輸出特性在原點附近呈線性對稱關系，因而它們常用作模擬開關。模擬開關廣泛地用於取樣——保持電路、斬波電路、模數和數模轉換電路等。下面著重介紹CMOS傳輸門。

所謂傳輸門（TG）就是一種傳輸模擬信號的模擬開關。CMOS傳輸門由一個P溝道和一個N溝道增強型MOSFET並聯而成，如上圖所示。TP和TN是結構對稱的器件，它們的漏極和源極是可互換的。設它們的開啟電壓|VT|=2V且輸入模擬信號的變化范圍為-5V到+5V 。為使襯底與漏源極之間的PN結任何時刻都不致正偏 ，故TP的襯底接+5V電壓，而TN的襯底接-5V電壓 。兩管的柵極由互補的信號電壓（+5V和-5V）來控制，分別用C和表示。
傳輸門的工作情況如下：當C端接低電壓-5V時TN的柵壓即為-5V，vI取-5V到+5V范圍內的任意值時，TN均不導通。同時,TP的柵壓為+5V
，TP亦不導通。可見，當C端接低電壓時，開關是斷開的。
為使開關接通，可將C端接高電壓+5V。此時TN的柵壓為+5V ，vI在-5V到+3V的范圍內，TN導通。同時TP的棚壓為-5V ，vI在-3V到+5V的范圍內TP將導通。
由上分析可知，當vI＜-3V時，僅有TN導通，而當vI＞+3V時，僅有TP導通當vI在-3V到+3V的范圍內，TN和TP兩管均導通。進一步分析
還可看到，一管導通的程度愈深，另一管的導通程度則相應地減小。換句話說，當一管的導通電阻減小，則另一管的導通電阻就增加。由於兩管系並聯運行，可近似地認為開關的導通電阻近似為一常數。這是CMOS傳輸出門的優點。
在正常工作時，模擬開關的導通電阻值約為數百歐，當它與輸入阻抗為兆歐級的運放串接時，可以忽略不計。
CMOS傳輸門除了作為傳輸模擬信號的開關之外，也可作為各種邏輯電路的基本單元電路。

『玖』 什麼是門電路，非門電路，與非門電路

【門】電路，就是【開關】電路。1、【與】門電路，就是以【與】的關系搭建的開關電路。2、【或】門電路，就是以【或】的關系搭建的電路。3、【非】門電路，就是以【非】的關系搭建的開關電路。4、與非門電路，就是以【與】相反的開關電路。——單獨解釋【與】、【或】、【非】、【與非】舉例：1、【與】：一個燈泡串聯兩個開關接電源，把燈開亮的條件是，兩個開關都接通，燈泡才亮，這兩個開關的【串聯】就是【與】的關系，即我【與】你同時接通才能搭建一個使燈得到信號的結果。2、【或】：兩個開關並聯接好再控制一個燈泡，我【或】你都能接通給燈泡提供信號使燈泡發光，兩個開關【並聯】是【或】的關系。3【非】：在一個發光的燈泡上並聯一個開關，開關接通時，燈泡反而不能發光，即【非】發光，這個開關制止了信號，是【非】的功能。4、【與非】：把兩個串聯好的開關，並聯在發光的燈泡的兩端上，在兩個開關都接通時，燈泡不發光，即我【與】你同時【串聯】接通時，燈泡是【非】發光狀態。還有【異或】門、【異或非】門-------道理同上。現在以【與非門】電路應用舉例：一個4【與非門】集成塊，內部含4個獨立的【與非門】。只舉例其中一個【與非門】的工作情況，它有兩個信號輸入端，一個輸出端，輸出端接一個已經發光的燈泡。當給一個輸入端一個正信號，燈泡仍然發光，當兩個輸入端都加給一個正信號時，燈泡熄滅。也就是我【與】你同時發出信號時，燈泡【非】發光。

『拾』 安全門保護開關電路的原理

「非」就是輸出與輸入相反，輸入高電平時輸出是低電平，輸入低電平時輸出高電平。「與非」就是多個輸入的輸入狀態在一致時有效，即輸入都為高電平時輸出才為低電平，只要有一個輸入為低電平那麼輸出也不會為低電平。（相反的是：輸入都是低電平時輸出為高電平，有一個輸入是高電平輸出也不會是高電平。）形象的理解就是表決：大夥一致時通過，只要有一個反對就不通過。「或非」就是多個輸入只要有一個是高電平輸出就是低電平，不用一致。就像表決，只要有一個堅持通過，不管其他人的反對意見就通過。