薄膜電路發展

1. 厚、薄膜集成電路的區別

薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發、濺射和電鍍等工藝製成的集成電路。薄膜集成電路中的有源器件，即晶體管，有兩種材料結構形式：一種是薄膜場效應硫化鎘或硒化鎘晶體管，另一種是薄膜熱電子放大器。更多的實用化的薄膜集成電路採用混合工藝，即用薄膜技術在玻璃、微晶玻璃、鍍釉和拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無源元件和電路元件間的連線，再將集成電路、晶體管、二極體等有源器件的晶元和不使用薄膜工藝製作的功率電阻、大容量的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點倒裝焊接等方式，就可以組裝成一塊完整的集成電路

厚膜集成電路是在陶瓷片或玻璃等絕緣物體上，外加晶體二極體、晶體管、電阻器或半導體集成電路等元器件構成的集成電路，一般用在電視機的開關電源電路中或音響系統的功率放大電路中。部分彩色電視機的伴音電路和末級視放電路也使用厚膜集成電路。

1．電源厚膜集成電路 開關電源電路使用的厚膜集成電路主要用於脈沖寬度控制、穩壓控制及開關振盪等。

自激式開關電源電路常用的厚膜集成電路有STR-S6308、STR-S6309、STR-S5941、STR59041等型號。它激式開關電源電路中常用的厚膜集成電路有STR-S6708、STR-S6709等型號。圖9-2是STR-S6309和STR-S6709的內電路框圖。

2．音頻功放厚膜集成電路 音頻功放集成電路的主要作用是對輸入的音頻信號進行功率放大，推動揚聲器發聲。

常用的音頻功放厚膜集成電路有STK4803、STK4042、STK4171、STK4191、STK4152、STK4843、STK3048A、STK6153等型號。圖9-3是STK4191的內電路框圖。

市場上流行的「傻瓜」型厚膜集成電路也稱功率模塊，是將半導體功放集成電路及其外外圍的電阻器、電容器、電感器等元器件封裝在一起構成的，常用的有皇後AMP1200、傻瓜175及超級傻瓜D-100、D-150、D-200等型號。這種厚膜集成電路只要接通音源、電源和揚聲器即可工作，不用外加其它元器件。

厚膜電路指的是電路的製造工藝,是指在陶瓷基片上採用部分半導體工藝集成分立元件、裸晶元、金屬 連線等，一般其電阻是印刷在基片上，通過激光調節其阻值的一種電路封裝形式,阻值精度可達0.5%.一般用於微波和航天領域。

1）基板材料：96%氧化鋁或氧化鈹陶瓷
2）導體材料：銀、鈀、鉑等合金，最新也有銅
3）電阻漿料：一般為釕酸鹽系列
4）典型工藝：CAD--製版--印刷--烘乾--燒結--電阻修正--引腳安裝--測試
5）名字來由：電阻和導體膜厚一般超過10微米，相對濺射等工藝所成電路的膜厚了一些，故稱厚膜。當然，現在的工藝印刷電阻的膜厚也有小於10微米的了。

二、"厚膜工藝就是把專用的集成電路晶元與相關的電容、電阻元件都集成在一個基板上，在其外部採用統一的封裝形式，做成一個模塊化的單元。這樣做的好處是提高了這部分電路的絕緣性能、阻值精度，減少了外部溫度、濕度對其的影響，所以厚膜電路比獨立焊接的電路有更強的外部環境適應性能"

2. 薄膜晶體管的歷史及現狀

人類對 TFT 的研究工作已經有很長的歷史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出結型場效應晶體管 (FET) 的基本定律,開辟了對固態放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又將絕緣柵結構引進場效應晶體管(後來被稱為 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT;隨後,又涌現了用 CdSe,InSb,Ge 等半導體材料做成的 TFT 器件.二十世紀六十年代,基於低費用,大陣列顯示的實際需求,TFT 的研究廣為興起.1973 年,Brody 等人 136 光 子 技 術 2006 年 9 月 首次研製出有源矩陣液晶顯示(AMLCD) ,並用 CdSe TFT 作為開關單元.隨著多晶硅摻雜工藝的發展,1979 年 後來許多實驗室都進行了將 AMLCD LeComber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源層,做成如圖 1 所示的 TFT 器件. 以玻璃為襯底的研究.二十世紀八十年代,硅基 TFT 在 AMLCD 中有著極重要的地位,所做成的產品占據了市場絕 大部分份額.1986 年 Tsumura 等人首次用聚噻吩為半導體材料制備了有機薄膜晶體管(OTFT) ,OTFT 技術從此開 始得到發展.九十年代,以有機半導體材料作為活性層成為新的研究熱點.由於在製造工藝和成本上的優勢,OTFT 被認為將來極可能應用在 LCD,OLED 的驅動中.近年來,OTFT 的研究取得了突破性的進展.1996 年,飛利浦公 司採用多層薄膜疊合法製作了一塊 15 微克變成碼發生器(PCG) ;即使當薄膜嚴重扭曲,仍能正常工作.1998 年, 的無定型金屬氧化物鋯酸鋇作為並五苯有機薄膜晶體管的柵絕 IBM公司用一種新型的具有更高的介電常數 緣層,使該器件的驅動電壓降低了 4V,遷移率達到 0.38cm2V-1 s-1.1999 年,Bell實驗室的 Katz 和他的研究小組制 得了在室溫下空氣中能穩定存在的噻吩薄膜,並使器件的遷移率達到 0.1 cm2V-1 s-1.Bell 實驗室用並五苯單晶製得 這向有機集成 了一種雙極型有機薄膜晶體管, 該器件對電子和空穴的遷移率分別達到 2.7 cm2V-1 s-1 和 1.7 cm2V-1 s-1, 電路的實際應用邁出了重要的一步.最近幾年,隨著透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半導體材料作為活性 層製作薄膜晶體管,因性能改進顯著也吸引了越來越多的興趣.器件制備工藝很廣泛,比如:MBE,CVD,PLD 等, 均有研究.ZnO-TFT 技術也取得了突破性進展.2003 年,Nomura等人使用單晶 InGaO3 (ZnO)5 獲得了遷移率為 80 cm2V-1 s-1 的 TFT 器件.美國杜邦公司採用真空蒸鍍和掩膜擋板技術在聚醯亞銨柔性襯底上開發了 ZnO-TFT,電 這是在聚醯亞銨柔性襯底上首次研製成功了高遷移率的 ZnO-TFT, 這預示著在氧化物 TFT 子遷移率為 50 cm2V-1 s-1. 2006 年, Cheng 領域新競爭的開始. 2005 年, Chiang H Q 等人利用 ZIO 作為活性層製得開關比為 107 薄膜晶體管. H C等人利用 CBD 方法製得開關比為 105 ,遷移率為 0.248cm2V-1s-1 的 TFT,這也顯示出實際應用的可能.

3. 薄膜發電電源電路圖

於怒水

4. 薄膜集成電路的特點與應用

與厚膜混合集成電路相比較，薄膜電路的特點是所製作的元件參數范圍寬、精度高、溫度頻率特性好，可以工作到毫米波段。並且集成度較高、尺寸較小。但是所用工藝設備比較昂貴、生產成本較高。
薄膜混合集成電路適用於各種電路，特別是要求精度高、穩定性能好的模擬電路。與其他集成電路相比，它更適合於微波電路。

5. 關於薄膜集成電路

薄膜集成電路是將整個電路的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線,全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜,並通過真空蒸發、濺射和電鍍等工藝製成的集成電路。薄膜集成電路中的有源器件,即晶體管,有兩種材料結構形式:一種是薄膜場效應硫化鎘或硒化鎘晶體管,另一種是薄膜熱電子放大器。更多的實用化的薄膜集成電路採用混合工藝,即用薄膜技術在玻璃、微晶玻璃、鍍釉和拋光氧化鋁陶瓷基片上制備無源元件和電路元件間的連線,再將集成電路、晶體管、二極體等有源器件的晶元和不使用薄膜工藝製作的功率電阻、大容量的電容器、電感等元件用熱壓焊接、超聲焊接、梁式引線或凸點倒裝焊接等方式,就可以組裝成一塊完整的集成電路
厚膜集成電路是在陶瓷片或玻璃等絕緣物體上,外加晶體二極體、晶體管、電阻器或半導體集成電路等元器件構成的集成電路,一般用在電視機的開關電源電路中或音響系統的功率放大電路中。部分彩色電視機的伴音電路和末級視放電路也使用厚膜集成電路。
1.電源厚膜集成電路
開關電源電路使用的厚膜集成電路主要用於脈沖寬度控制、穩壓控制及開關振盪等。
自激式開關電源電路常用的厚膜集成電路有STR-S6308、STR-S6309、STR-S5941、STR59041等型號。它激式開關電源電路中常用的厚膜集成電路有STR-S6708、STR-S6709等型號。圖9-2是STR-S6309和STR-S6709的內電路框圖。
2.音頻功放厚膜集成電路
音頻功放集成電路的主要作用是對輸入的音頻信號進行功率放大,推動揚聲器發聲。
常用的音頻功放厚膜集成電路有STK4803、STK4042、STK4171、STK4191、STK4152、STK4843、STK3048A、STK6153等型號。圖9-3是STK4191的內電路框圖。
市場上流行的「傻瓜」型厚膜集成電路也稱功率模塊,是將半導體功放集成電路及其外外圍的電阻器、電容器、電感器等元器件封裝在一起構成的,常用的有皇後AMP1200、傻瓜175及超級傻瓜D-100、D-150、D-200等型號。這種厚膜集成電路只要接通音源、電源和揚聲器即可工作,不用外加其它元器件。

6. 近幾年薄膜電容的發展前景如何

薄膜電容器廣泛應用於家電、通訊、電力、工業控制、照明和新能源(光伏，風能，汽車)等多個行業，幾乎存在於所有的電子電路中，是基礎電子元件。我國薄膜電容器行業尚處於中低端水平，但是目前隨著新能源的發展，電子元器件技術的推進，產業不斷升級，滿足新型產業配套需求的高質量、超薄化、耐高溫、高能量密度的安全可靠關鍵性電子元件;為節能環保設備配套，新能源以及智能電網產品配套的電子元件將得到發展。未來我國薄膜電容器行業的市場競爭也將向這一方向靠攏，從產品生產線的擴張轉向技術服務的強化和品牌的提升。

薄膜電容器上游主要包括基膜、金屬箔、導線、外包裝等，其中，基膜是核心原材料，材料的差異會使薄膜電容器體現出不同的性能。薄膜電容器由於其擁有耐高壓、無極性、頻率響應廣、溫度特性好等優點，下游應用廣泛，主要分為傳統領域和新領域，傳統領域包括家電、照明、工控等；新興領域包括風電光伏、新能源汽車等。長期來看，新能源汽車將會成為行業增長的核心驅動。

從下游應用來看，傳統領域的薄膜電容需求較為平穩，但是新興領域，光伏發電、風力發電等行業都為塑料薄膜電容行業帶來了新的機遇。

綜合以上分析，薄膜電容器在傳統應用領域有增有減，家電領域保持平穩上升，照明領域有下降趨勢；但是在新興應用領域，包括新能源汽車、光伏發電、風電裝機等領域均獲得了新的發展驅動力。未來，薄膜電容器行業應用領域多面開花，應用前景廣闊。

以上數據來源參考前瞻產業研究院發布的《中國薄膜電容器行業市場前瞻與投資規劃分析報告》。

7. 薄膜電路

問題也太專業了
是否要放在晶元上
或者簡單的連接電線
如果是連電線可以用修電腦專用的導電銀膠
如果是植入晶元沒有專門設備好像不行吧

導電銀膠是用銀粉做的膠水一樣的東西
在電路板上塗上以後可以當導線

8. 薄膜集成電路是怎麼組成的

薄膜集成電路是將整個電路的晶體管､二極體､電阻､電容和電感等元件以及它們之間的互連引線

9. 學習薄膜電路應該從哪些方面下手

與此相對的是厚膜集成電路。它是將能實現某種功能的整個電路的晶體管、二極體、電阻、電容和電感等元件以及它們之間的互連引線，全部用厚度在1微米以下的金屬、半導體、金屬氧化物、多種金屬混合相、合金或絕緣介質薄膜，並通過真空蒸發

10. 厚薄膜集成電路與半導體集成電路的區別

厚薄膜集成電路是將整個電路的晶體管或半導體集成電路晶元 、二極體、電專阻、電容 電阻器屬和電感等元件以及它們之間的互連引線，組裝成一塊完整的電路塊。集成在一個封裝內。而半導體集成電路是純粹的半導體集成電路晶元獨立封裝在一個外殼中。它也可以有電阻和小容量的電容。但是電感和大電容一般不容易集成在小小的矽片上。