電路硅管

『壹』 以下電路圖中三極體均為硅管，計算靜態值

左圖：Ibq=（12-0.7-（1+50）Ibq*1k）/100k，解之得：Ibq=74.8uA
因此Icq=50*74.8uA=3.74mA，Uceq=12-3.74m*（2k+1k）=0.775V
右圖：Ibq=（12-0.7-（1+50）Ibq*10k）/200k，解之得：Ibq=15.9uA
因此Icq=50*15.9uA=0.796mA，Uceq=12-（50+1）*15.9u*10k=3.88V
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『貳』 所示電路中晶體管均為硅管，B很大，試求Ic,Uce,Uo

因為β很大，Ib可以忽略，所以Ic=Ie，並設二極體正向壓降Ud=Ube，Ud通常為0.7V，於是有：
Ic=Ie=Ud/Re=0.7/0.3=2.3〔mA〕
Uo=Ucc－Ic*Rc=10－2.3*3=3.1〔V〕
Uce=Ucc-Ic*(Rc+Re)=10－2.3*(3+0.3)=2.41〔V〕

『叄』 圖所示電路中三極體均為硅管，β很大，試求各電路 Ic、Uce、Uo。

這是一個接地點的問題，從圖看出基極是接地的，而發射極電阻是接-6伏的電壓，這樣基極對於這個-6伏來說相當於加了一個很高的偏壓了（這時又可將-6伏當作地）應當為6伏，這么高的偏壓，說明這個管子是工作在飽和狀態，加在3K電阻上的電壓為6-0.7=5.3伏了，這里的0.7是硅管的Ube壓降，幾乎是個固定值，有時也會當穩壓功能用，又因為β很大，則可考慮Ic≈Ie了、、、

用10/5.1的話，這個10是否都加在這個電阻上是沒有把握的，因Uce不是一個固定值、、、

『肆』 分析電路中各硅晶體管的工作狀態(放大,飽和,截止或損壞)

a、飽和，發射結、集電結均正偏，飽和，
b、截止，發射結、集電結均反偏，截止，
c、損壞，發射結電壓＞0.7V，損壞
d、放大。發射結正偏、集電結反偏，放大。
若有幫助，請釆納，謝謝！

『伍』 圖中三極體為硅管β＝100，試求電路中 IB IC UCE 的值 判斷三極體工作在什麼狀態

Ib=(5-0.7)/43=0.1mA
Ic=βIb=100*0.1=10mA
Vc=5-IcRc=5-10*2=-15V，實際在應用中，其電壓在0.3V以下。
Vb＞Vc
所以三極體飽和狀態

『陸』 二極體，分別是硅管還是鍺管有幾種方法具體是什麼

一、根據構造分類
半導體二極體主要是依靠PN結而工作的。與PN結不可分割的點接觸型和肖特基型，也被列入一般的二極體的范圍內。包括這兩種型號在內，根據PN結構造面的特點，把晶體二極體分類如下：

1、點接觸型二極體

點接觸型二極體是在鍺或硅材料的單晶片上壓觸一根金屬針後，再通過電流法而形成的。因此，其PN結的靜電容量小，適用於高頻電路。但是，與面結型相比較，點接觸型二極體正向特性和反向特性都差，因此，不能使用於大電流和整流。因為構造簡單，所以價格便宜。對於小信號的檢波、整流、調制、混頻和限幅等一般用途而言，它是應用范圍較廣的類型。

2、鍵型二極體

鍵型二極體是在鍺或硅的單晶片上熔接或銀的細絲而形成的。其特性介於點接觸型二極體和合金型二極體之間。與點接觸型相比較，雖然鍵型二極體的PN結電容量稍有增加，但正向特性特別優良。多作開關用，有時也被應用於檢波和電源整流（不大於50mA）。在鍵型二極體中，熔接金絲的二極體有時被稱金鍵型，熔接銀絲的二極體有時被稱為銀鍵型。

3、合金型二極體

在N型鍺或硅的單晶片上，通過合金銦、鋁等金屬的方法製作PN結而形成的。正向電壓降小，適於大電流整流。因其PN結反向時靜電容量大，所以不適於高頻檢波和高頻整流。

4、擴散型二極體

在高溫的P型雜質氣體中，加熱N型鍺或硅的單晶片，使單晶片表面的一部變成P型，以此法PN結。因PN結正向電壓降小，適用於大電流整流。最近，使用大電流整流器的主流已由硅合金型轉移到硅擴散型。

5、檯面型二極體

PN結的製作方法雖然與擴散型相同，但是，只保留PN結及其必要的部分，把不必要的部分用葯品腐蝕掉。其剩餘的部分便呈現出檯面形，因而得名。初期生產的檯面型，是對半導體材料使用擴散法而製成的。因此，又把這種檯面型稱為擴散檯面型。對於這一類型來說，似乎大電流整流用的產品型號很少，而小電流開關用的產品型號卻很多。

6、平面型二極體

在半導體單晶片（主要地是N型硅單晶片）上，擴散P型雜質，利用矽片表面氧化膜的屏蔽作用，在N型硅單晶片上僅選擇性地擴散一部分而形成的PN結。因此，不需要為調整PN結面積的葯品腐蝕作用。由於半導體表面被製作得平整，故而得名。並且，PN結合的表面，因被氧化膜覆蓋，所以公認為是穩定性好和壽命長的類型。最初，對於被使用的半導體材料是採用外延法形成的，故又把平面型稱為外延平面型。對平面型二極體而言，似乎使用於大電流整流用的型號很少，而作小電流開關用的型號則很多。

7、合金擴散型二極體

它是合金型的一種。合金材料是容易被擴散的材料。把難以製作的材料通過巧妙地摻配雜質，就能與合金一起過擴散，以便在已經形成的PN結中獲得雜質的恰當的濃度分布。此法適用於製造高靈敏度的變容二極體。

8、外延型二極體

用外延面長的過程製造PN結而形成的二極體。製造時需要非常高超的技術。因能隨意地控制雜質的不同濃度的分布，故適宜於製造高靈敏度的變容二極體。

9、肖特基二極體

基本原理是：在金屬（例如鉛）和半導體（N型矽片）的接觸面上，用已形成的肖特基來阻擋反向電壓。肖特基與PN結的整流作用原理有根本性的差異。其耐壓程度只有40V左右。其特長是：開關速度非常快：反向恢復時間trr特別地短。因此，能製作開關二極和低壓大電流整流二極體。

二、根據用途分類

1、檢波用二極體

就原理而言，從輸入信號中取出調制信號是檢波，以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流小於100mA的叫檢波。鍺材料點接觸型、工作頻率可達400MHz，正向壓降小，結電容小，檢波效率高，頻率特性好，為2AP型。類似點觸型那樣檢波用的二極體，除用於檢波外，還能夠用於限幅、削波、調制、混頻、開關等電路。也有為調頻檢波專用的特性一致性好的兩只二極體組合件。

2、整流用二極體

就原理而言，從輸入交流中得到輸出的直流是整流。以整流電流的大小（100mA）作為界線通常把輸出電流大於100mA的叫整流。面結型，工作頻率小於KHz，最高反向電壓從25伏至3000伏分A～X共22檔。分類如下：①硅半導體整流二極體2CZ型、②硅橋式整流器QL型、③用於電視機高壓硅堆工作頻率近100KHz的2CLG型。

3、限幅用二極體

大多數二極體能作為限幅使用。也有象保護儀表用和高頻齊納管那樣的專用限幅二極體。為了使這些二極體具有特別強的限制尖銳振幅的作用，通常使用硅材料製造的二極體。也有這樣的組件出售：依據限制電壓需要，把若干個必要的整流二極體串聯起來形成一個整體。

4、調制用二極體

通常指的是環形調制專用的二極體。就是正向特性一致性好的四個二極體的組合件。即使其它變容二極體也有調制用途，但它們通常是直接作為調頻用。

5、混頻用二極體

使用二極體混頻方式時，在500～10,000Hz的頻率范圍內，多採用肖特基型和點接觸型二極體。

6、放大用二極體

用二極體放大，大致有依靠隧道二極體和體效應二極體那樣的負阻性器件的放大，以及用變容二極體的參量放大。因此，放大用二極體通常是指隧道二極體、體效應二極體和變容二極體。

7、開關用二極體

有在小電流下（10mA程度）使用的邏輯運算和在數百毫安下使用的磁芯激勵用開關二極體。小電流的開關二極體通常有點接觸型和鍵型等二極體，也有在高溫下還可能工作的硅擴散型、檯面型和平面型二極體。開關二極體的特長是開關速度快。而肖特基型二極體的開關時間特短，因而是理想的開關二極體。2AK型點接觸為中速開關電路用；2CK型平面接觸為高速開關電路用；用於開關、限幅、鉗位或檢波等電路；肖特基（SBD）硅大電流開關，正向壓降小，速度快、效率高。

8、變容二極體

用於自動頻率控制（AFC）和調諧用的小功率二極體稱變容二極體。日本廠商方面也有其它許多叫法。通過施加反向電壓， 使其PN結的靜電容量發生變化。因此，被使用於自動頻率控制、掃描振盪、調頻和調諧等用途。通常，雖然是採用硅的擴散型二極體，但是也可採用合金擴散型、外延結合型、雙重擴散型等特殊製作的二極體，因為這些二極體對於電壓而言，其靜電容量的變化率特別大。結電容隨反向電壓VR變化，取代可變電容，用作調諧迴路、振盪電路、鎖相環路，常用於電視機高頻頭的頻道轉換和調諧電路，多以硅材料製作。

9、頻率倍增用二極體

對二極體的頻率倍增作用而言，有依靠變容二極體的頻率倍增和依靠階躍（即急變）二極體的頻率倍增。頻率倍增用的變容二極體稱為可變電抗器，可變電抗器雖然和自動頻率控制用的變容二極體的工作原理相同，但電抗器的構造卻能承受大功率。階躍二極體又被稱為階躍恢復二極體，從導通切換到關閉時的反向恢復時間trr短，因此，其特長是急速地變成關閉的轉移時間顯著地短。如果對階躍二極體施加正弦波，那麼，因tt（轉移時間）短，所以輸出波形急驟地被夾斷，故能產生很多高頻諧波。

10、穩壓二極體

是代替穩壓電子二極體的產品。被製作成為硅的擴散型或合金型。是反向擊穿特性曲線急驟變化的二極體。作為控制電壓和標准電壓使用而製作的。二極體工作時的端電壓（又稱齊納電壓）從3V左右到150V，按每隔10%，能劃分成許多等級。在功率方面，也有從200mW至100W以上的產品。工作在反向擊穿狀態，硅材料製作，動態電阻RZ很小，一般為2CW型；將兩個互補二極體反向串接以減少溫度系數則為2DW型。

11、PIN型二極體（PIN Diode）

這是在P區和N區之間夾一層本徵半導體（或低濃度雜質的半導體）構造的晶體二極體。PIN中的I是「本徵」意義的英文略語。當其工作頻率超過100MHz時，由於少數載流子的存貯效應和「本徵」層中的渡越時間效應，其二極體失去整流作用而變成阻抗元件，並且，其阻抗值隨偏置電壓而改變。在零偏置或直流反向偏置時，「本徵」區的阻抗很高；在直流正向偏置時，由於載流子注入「本徵」區，而使「本徵」區呈現出低阻抗狀態。因此，可以把PIN二極體作為可變阻抗元件使用。它常被應用於高頻開關（即微波開關）、移相、調制、限幅等電路中。

12、 雪崩二極體 (Avalanche Diode)

它是在外加電壓作用下可以產生高頻振盪的晶體管。產生高頻振盪的工作原理是欒的：利用雪崩擊穿對晶體注入載流子，因載流子渡越晶片需要一定的時間，所以其電流滯後於電壓，出現延遲時間，若適當地控制渡越時間，那麼，在電流和電壓關繫上就會出現負阻效應，從而產生高頻振盪。它常被應用於微波領域的振盪電路中。

13、江崎二極體 （Tunnel Diode）

它是以隧道效應電流為主要電流分量的晶體二極體。其基底材料是砷化鎵和鍺。其P型區的N型區是高摻雜的（即高濃度雜質的）。隧道電流由這些簡並態半導體的量子力學效應所產生。發生隧道效應具備如下三個條件：①費米能級位於導帶和滿帶內；②空間電荷層寬度必須很窄（0.01微米以下）；簡並半導體P型區和N型區中的空穴和電子在同一能級上有交疊的可能性。江崎二極體為雙端子有源器件。其主要參數有峰谷電流比（IP／PV），其中，下標「P」代表「峰」；而下標「V」代表「谷」。江崎二極體可以被應用於低雜訊高頻放大器及高頻振盪器中（其工作頻率可達毫米波段），也可以被應用於高速開關電路中。

14、快速關斷（階躍恢復）二極體 (Step Recovary Diode)

它也是一種具有PN結的二極體。其結構上的特點是：在PN結邊界處具有陡峭的雜質分布區，從而形成「自助電場」。由於PN結在正向偏壓下，以少數載流子導電，並在PN結附近具有電荷存貯效應，使其反向電流需要經歷一個「存貯時間」後才能降至最小值（反向飽和電流值）。階躍恢復二極體的「自助電場」縮短了存貯時間，使反向電流快速截止，並產生豐富的諧波分量。利用這些諧波分量可設計出梳狀頻譜發生電路。快速關斷（階躍恢復）二極體用於脈沖和高次諧波電路中。

15、肖特基二極體 （Schottky Barrier Diode）

它是具有肖特基特性的「金屬半導體結」的二極體。其正向起始電壓較低。其金屬層除材料外，還可以採用金、鉬、鎳、鈦等材料。其半導體材料採用硅或砷化鎵，多為N型半導體。這種器件是由多數載流子導電的，所以，其反向飽和電流較以少數載流子導電的PN結大得多。由於肖特基二極體中少數載流子的存貯效應甚微，所以其頻率響僅為RC時間常數限制，因而，它是高頻和快速開關的理想器件。其工作頻率可達100GHz。並且，MIS（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極體可以用來製作太陽能電池或發光二極體。

16、阻尼二極體

具有較高的反向工作電壓和峰值電流，正向壓降小，高頻高壓整流二極體，用在電視機行掃描電路作阻尼和升壓整流用。

17、瞬變電壓抑制二極體

TVP管，對電路進行快速過壓保護，分雙極型和單極型兩種，按峰值功率（500W－5000W）和電壓（8.2V～200V）分類。

18、雙基極二極體（單結晶體管）

兩個基極，一個發射極的三端負阻器件，用於張馳振盪電路，定時電壓讀出電路中，它具有頻率易調、溫度穩定性好等優點。

19、發光二極體

用磷化鎵、磷砷化鎵材料製成，體積小，正向驅動發光。工作電壓低，工作電流小，發光均勻、壽命長、可發紅、黃、綠單色光。

三、根據特性分類

點接觸型二極體，按正向和反向特性分類如下。

1、一般用點接觸型二極體

這種二極體正如標題所說的那樣，通常被使用於檢波和整流電路中，是正向和反向特性既不特別好，也不特別壞的中間產品。如：SD34、SD46、1N34A等等屬於這一類。

2、高反向耐壓點接觸型二極體

是最大峰值反向電壓和最大直流反向電壓很高的產品。使用於高壓電路的檢波和整流。這種型號的二極體一般正向特性不太好或一般。在點接觸型鍺二極體中，有SD38、1N38A、OA81等等。這種鍺材料二極體，其耐壓受到限制。要求更高時有硅合金和擴散型。

3、高反向電阻點接觸型二極體

正向電壓特性和一般用二極體相同。雖然其反方向耐壓也是特別地高，但反向電流小，因此其特長是反向電阻高。使用於高輸入電阻的電路和高阻負荷電阻的電路中，就鍺材料高反向電阻型二極體而言，SD54、1N54A等等屬於這類二極體。

4、高傳導點接觸型二極體

它與高反向電阻型相反。其反向特性盡管很差，但使正向電阻變得足夠小。對高傳導點接觸型二極體而言，有SD56、1N56A等等。對高傳導鍵型二極體而言，能夠得到更優良的特性。這類二極體，在負荷電阻特別低的情況下，整流效率較高。

『柒』 如題圖所示電路中，二極體為硅管，求圖示中電流i的值

可憐的三秒微笑274，你不能得到得到答案。原因如下：

1. 忘記上傳你的圖了；

2. 你的圖網路審核沒通過，去網路申訴；

3. 網路可能不是人工識別或疏忽，根本沒審核。還是要去申訴。

『捌』 電路如題二圖所示，三極體是硅管，rbb』=300Ω，β=100。 畫出小信號等效電路；

樓主，我來畫一下：

如下：

樓主看完答案，記得採納，不是贊成...

『玖』 題目中的放大電路三極體怎麼判斷是硅管還是鍺管

放大電路中，三極體be結導通電壓硅管是0.5-0.7V，鍺管0.2-0.3V，可以根據這個特性測試後判定區分。

『拾』 三極體在電路圖中能顯示硅管和鍺管嗎

沒錯！硅管】鍺管】可以量測出來。
電路圖中有給出型號的話就能看出來了，