TTL電路

㈠ ttl電路和cmos電路的區別

TTL集成電路使用TTL管，也就是PN結。功耗較大，驅動能力強，一般工作電壓+5V
CMOS集成電路使用專MOS管，功耗小，工屬作電壓范圍很大，一般速度也低，但是技術在改進，這已經不是問題。
就TTL與CMOS電平來講，前者屬於雙極型數字集成電路，其輸入端與輸出端均為三極體，因此它的閥值電壓是3.4V為輸出高電平。
而CMOS電平就不同了，他的閥值電壓比TTL電平大很多。而串口的傳輸電壓都是以COMS電壓傳輸的。

㈡ TTL電路主要的作用是什麼

TTL電路是晶體管-晶體管邏輯電路的英文縮寫(Transister-Transister-Logic)，是數字集成電路的一大門類。從六十年代開發成功第一代產品以來現有以下幾代產品。
第一代TTL包括SN54/74系列，(其中54系列工作溫度為-55℃～+125℃，74系列工作溫度為0℃～+75℃)，低功耗系列簡稱LTTL，高速系列簡稱HTTL。
第二代TTL包括肖特基箝位系列(STTL)和低功耗肖特基系列(LSTTL）。
第三代為採用等平面工藝製造的先進的STTL(ASTTL)和先進的低功耗STTL(ALSTTL）。由於LSTTL和ALSTTL的電路延時功耗積較小，STTL和ASTTL速度很快，因此獲得了廣泛的應用。
TTL數字集成電路約有400多個品種，大致可以分為以下幾類：
門電路、解碼器/驅動器、觸發器、計數器、移位寄存器、單穩/雙穩電路和多諧振盪器、加法器/乘法器、奇偶校驗器、碼制轉換器、線驅動器/線接收器、多路開關、存儲器。
TTL電路採用雙極型工藝製造，具有工作速度高、驅動能力強、品種多等特點。是目前應用最廣泛的集成電路之一。它的主要缺點是功耗大，集成度低。
1.工作電源電壓范圍
S、LS、F系列為5.0±5%；AS、ALS系列為5.0±10%；ECL10K系列為-5.2±5%；ECL100K系列為-4.2～5.7V。
2.頻率特性
標準的TTL電路的工作頻率小於35MHz；LS系列TTL電路的工作頻率小於40MHz；ALS系列電路的工作頻率小於70MHz；
S系列電路的工作頻率小於125MHz；AS系列電路的工作頻率小於200MHz；ECL系列電路的工作頻率為100～1000MHz。
3.TTL電路的電壓輸出特性
當工作電壓為+5V時，邏輯「1」的輸出電平大於2.4V，邏輯「0」的輸出電平小於0.4V；邏輯「1」的輸入電平大於2.0V；邏輯「0」的輸入電平小於0.8V。
4.最小輸出驅動電流
標准輸出的TTL電路：標准TTL電路為16mA；LS-TTL電路為8mA；S-TTL電路為20mA；ALS-TTL電路為8mA；AS-TTL電路為20mA；
大電流輸出的TTL電路：標准TTL電路為48mA；LS-TTL電路為24mA；S-TTL電路為64mA；ALS-TTL電路為24/48mA；AS-TTL電路為48/64mA。
5.扇出能力(以帶動LS-TTL負載的個數為例)
標准輸出的TTL電路：標准TTL電路為40；LS-TTL電路為20；S-TTL電路為50；ALS-TTL電路為20；AS-TTL電路為50；
大電流輸出的TTL電路：標准TTL電路為120；LS-TTL電路為60；S-TTL電路為160；ALS-TTL電路為60/120；AS-TTL電路為120/160。

㈢ TTL電路和CMOS電路的優缺點是什麼

集成電路按晶體管的性質分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以內其優良的特性成為目容前應用最廣泛的集成電路。
CMOS是Complementary
Metal
Oxide
Semiconctor（互補金屬氧化物半導體）的縮寫。(PMOS管和NMOS管)共同構成的互補型MOS集成電路製造工藝，它的特點是低功耗。由於CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看，要麼PMOS導通，要麼NMOS導通，要麼都截至，比線性的三極體(BJT)效率要高得多，因此功耗很低。
TTL全稱Transistor-Transistor
Logic,即BJT-BJT邏輯門電路，是數字電子技術中常用的一種邏輯門電路，應用較早，技術已比較成熟。TTL主要有BJT（Bipolar
Junction
Transistor
即雙極結型晶體管，晶體三極體）和電阻構成，具有速度快的特點。最早的TTL門電路是74系列，後來出現了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由於TTL功耗大等缺點，正逐漸被CMOS電路取代。

㈣ TTL電路中輸出端可實現線與功能的電路是什麼

TTL電路中輸出端可實抄現線與襲功能的電路是」OC門「。

OC門，又稱集電極開路門，Open Collector。

線與邏輯，即兩個輸出端（包括兩個以上）直接互連就可以實現「AND」的邏輯功能。在匯流排傳輸等實際應用中需要多個門的輸出端並聯連接使用，而一般TTL門輸出端並不能直接並接使用，否則這些門的輸出管之間由於低阻抗形成很大的短路電流（灌電流），而燒壞器件。在硬體上，可用OC門或三態門（ST門）來實現。 用OC門實現線與，應同時在輸出埠應加一個上拉電阻。

TTL電路是晶體管-晶體管邏輯電路的英文縮寫（Transister-Transister-Logic ），是數字集成電路的一大門類。它採用雙極型工藝製造，具有高速度低功耗和品種多等特點。TTL電路採用雙極型工藝製造，具有高速度和品種多等特點。

㈤ TTL電路和門電路

1. TTL門電復路一般由晶體三極體電路構製成。對於TTL電路多餘輸入端的處理,應採用以下方法：

1. TTL與門和與非門電路：

1. 將多餘輸入端接高電平，即通過限流電阻與電源相連接；

2. 根據TTL門電路的輸入特性可知，當外接電阻為大電阻時，其輸入電壓為高電平，這樣可以把多餘的輸入端懸空，此時輸入端相當於外接高電平；

3. 通過大電阻（大於1kΩ）到地，這也相當於輸入端外接高電平；

4. 當TTL門電路的工作速度不高，信號源驅動能力較強，多餘輸入端也可與使用的輸入端並聯使用。

2. TTL或門、或非門：

1. 接低電平；

2. 接地；

3. 由TTL輸入端的輸入伏安特性可知，當輸入端接小於IKΩ的電阻時輸入端的電壓很小，相當於接低電平，所以可以通過接小於IKΩ（500Ω）的電阻到地。

2. CMOS 門電路一般是由MOS管構成，在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空

1. 與門和與非門電路：多餘輸入端應採用高電平，即可通過限流電阻（500Ω）接電源。

2. 或門、或非門電路：多餘輸入端的處理方法應是將多餘輸入端接低電平，即通過限流電阻（500Ω）接地。

㈥ TTL電路原理是怎麼工作的

ttl集成邏輯門電路的輸入和輸出結構均採用半導體三極體，所以稱晶體管—晶專體管邏輯門電路，簡稱屬ttl電路。ttl電路的基本環節是反相器。
當輸入高電平時，
ui=3.6v，
vt1處於倒置工作狀態，
集電結正偏，發射結反偏，
ub1=0.7v×3=2.1v，
vt2和vt4飽和，
輸出為低電平uo=0.3v。
當輸入低電平時，
ui=0.3v，
vt1發射結導通，ub1=0.3v+0.7v=1v，
vt2和vt4均截止，
vt3和vd導通。
輸出高電平
uo
=vcc
-ube3-ud
≈5v-0.7v-0.7v=3.6v採用推拉式輸出級利於提高開關速度和負載能力
vt3組成射極輸出器，優點是既能提高開關速度，又能提高負載能力。
當輸入高電平時，vt4飽和，ub3=uc2=0.3v+0.7v=1v，vt3和vd截止，vt4的集電極電流可以全部用來驅動負載。
當輸入低電平時，vt4截止，vt3導通(為射極輸出器)，其輸出電阻很小，帶負載能力很強。
可見，無論輸入如何，vt3和vt4總是一管導通而另一管截止。
這種推拉式工作方式，帶負載能力很強。

㈦ 什麼是ttl電路

TTL電路是晶體管輸入，晶體管輸出的邏輯集成電路的縮寫。(Transister input Transister output Logic )

㈧ 關於TTL電路工作原理，求詳細解答

這是個與非門電路。
T1有三個發射極：A、B、C，其中只要有一個發射極低電位T1就導通，T1導通時C1為低電位；這時T2截止、T5也截止（T5是依靠R3上的電壓來控制導通和截止的）；由於T2截止，C2處於高電位，所以T3、T4導通，輸出F為高電位。
T1隻有當A、B、C都是高電位時T1才截止，T1截止時，T1的bc結相當於一個二極體，所以T2由R2及T1的bc結獲得基極電流而導通，T5也隨著導通；由於T2 的導通，C2處於低低電位，T3、T4截止，輸出F為低電位。
所以，當A、B、C都是高電位時輸出F為低電位，A、B、C中只要有一個是低電位時輸出F就是高電位。
這里我只量定性敘述了一下高低電位的原理，圖上也定量計算了高低電位。

㈨ TTL與CMOS電路怎麼區分

1、CMOS是場效應管構成(單極性電路)，TTL為雙極晶體管構成（雙極性電路）

2、COMS的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作

3、CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，TTL則相差小，抗干擾能力差

4、CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門）

5、CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當

6、CMOS的雜訊容限比TTL雜訊容限大

7、通常以為TTL門的速度高於「CMOS門電路。影響 TTL門電路工作速度的主要因素是電路內部管子的開關特性、電路結構及內部的各電阻阻數值。電阻數值越大，工作速度越低。

(9)TTL電路擴展閱讀：

CMOS使用注意事項

1、COMS電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恆定的電平。

2、輸入端接低內組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內。

3、當接長信號傳輸線時，在COMS電路端接匹配電阻。

4、當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。

5、COMS的輸入電流超過1mA，就有可能燒壞COMS。

㈩ TTL電路與COMS電路有什麼不同,各有什麼特點

TTL全稱-TransistorLogic,即BJT-BJT邏輯門電路，是數字電子技術中常用的一種邏輯門電路，應用較早，技術已比較成熟。TTL主要有BJT（BipolarJunctionTransistor即雙極結型晶體管，晶體三極體）和電阻構成，具有速度快的特點。最早的TTL門電路是74系列，後來出現了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由於TTL功耗大等缺點，正逐漸被CMOS電路取代。TTL門電路有74（商用）和54（軍用）兩個系列，每個系列又有若干個子系列。TTL電平信號:TTL電平信號被利用的最多是因為通常數據表示採用二進制規定，+5V等價於邏輯「1」，0V等價於邏輯「0」，這被稱做TTL（晶體管-晶體管邏輯電平）信號系統，這是計算機處理器控制的設備內部各部分之間通信的標准技術。TTL電平信號對於計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是很理想的，首先計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸對於電源的要求不高以及熱損耗也較低，另外TTL電平信號直接與集成電路連接而不需要價格昂貴的線路驅動器以及接收器電路；再者，計算機處理器控制的設備內部的數據傳輸是在高速下進行的，而TTL介面的操作恰能滿足這個要求。TTL型通信大多數情況下，是採用並行數據傳輸方式，而並行數據傳輸對於超過10英尺的距離就不適合了。這是由於可靠性和成本兩面的原因。因為在並行介面中存在著偏相和不對稱的問題，這些問題對可靠性均有影響。TTL輸出高電平>2.4V，輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，雜訊容限是0.4V。TTL電路是電流控制器件，TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。
CMOS（），互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件。是組成CMOS數字集成電路的基本單元。
CMOS集成電路介紹
自1958年美國德克薩斯儀器公司(TI)發明集成電路（IC）後，隨著硅平面技術的發展，二十世紀六十年代先後發明了雙極型和MOS型兩種重要的集成電路，它標志著由電子管和晶體管製造電子整機的時代發生了量和質的飛躍。MOS是:金屬-氧化物-半導體(Metal-Oxide-Semiconctor)結構的晶體管簡稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管構成的集成電路稱為MOS集成電路，而由PMOS管和NMOS管共同構成的互補型MOS集成電路即為CMOS-IC（）。目前數字集成電路按導電類型可分為雙極型集成電路（主要為TTL）和單極型集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。CMOS電路的單門靜態功耗在毫微瓦（nw）數量級。CMOS發展比TTL晚，但是以其較高的優越性在很多場合逐漸取代了TTL。以下比較兩者性能，大家就知道其原因了。1.CMOS是場效應管構成，TTL為雙極晶體管構成2.CMOS的邏輯電平范圍比較大（5～15V），TTL只能在5V下工作3.CMOS的高低電平之間相差比較大、抗干擾性強，TTL則相差小，抗干擾能力差4.CMOS功耗很小，TTL功耗較大（1～5mA/門）5.CMOS的工作頻率較TTL略低，但是高速CMOS速度與TTL差不多相當。集成電路中詳細信息：1,TTL電平：輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，雜訊容限是0.4V。2，CMOS電平：1邏輯電平電壓接近於電源電壓，0邏輯電平接近於0V。而且具有很寬的雜訊容限。3，電平轉換電路：因為TTL和CMOS的高低電平的值不一樣（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相連接時需要電平的轉換：就是用兩個電阻對電平分壓，沒有什麼高深的東西。4，驅動門電路OC門，即集電極開路門電路，OD門，即漏極開路門電路，必須外接上拉電阻和電源才能將開關電平作為高低電平用。否則它一般只作為開關大電壓和大電流負載，所以又叫做驅動門電路。5，TTL和CMOS電路比較：
1）TTL電路是電流控制器件，而CMOS電路是電壓控制器件。
2）TTL電路的速度快，傳輸延遲時間短(5-10ns)，但是功耗大。CMOS電路的速度慢，傳輸延遲時間長(25-50ns),但功耗低。CMOS電路本身的功耗與輸入信號的脈沖頻率有關，頻率越高，晶元集越熱，這是正常現象。
3）CMOS電路的鎖定效應：CMOS電路由於輸入太大的電流，內部的電流急劇增大，除非切斷電源，電流一直在增大。這種效應就是鎖定效應。當產生鎖定效應時，CMOS的內部電流能達到40mA以上，很容易燒毀晶元。防禦措施：1）在輸入端和輸出端加鉗位電路，使輸入和輸出不超過不超過規定電壓。2）晶元的電源輸入端加去耦電路，防止VDD端出現瞬間的高壓。3）在VDD和外電源之間加線流電阻，即使有大的電流也不讓它進去。
4）當系統由幾個電源分別供電時，開關要按下列順序：開啟時，先開啟CMOS電路得電源，再開啟輸入信號和負載的電源；關閉時，先關閉輸入信號和負載的電源，再關閉CMOS電路的電源。6，CMOS電路的使用注意事項1）CMOS電路時電壓控制器件，它的輸入總抗很大，對干擾信號的捕捉能力很強。所以，不用的管腳不要懸空，要接上拉電阻或者下拉電阻，給它一個恆定的電平。2）輸入端接低內組的信號源時，要在輸入端和信號源之間要串聯限流電阻，使輸入的電流限制在1mA之內。3）當接長信號傳輸線時，在CMOS電路端接匹配電阻。4）當輸入端接大電容時，應該在輸入端和電容間接保護電阻。電阻值為R=V0/1mA.V0是外界電容上的電壓。
5）CMOS的輸入電流超過1mA，就有可能燒壞CMOS。7，TTL門電路中輸入端負載特性（輸入端帶電阻特殊情況的處理）：1）懸空時相當於輸入端接高電平。因為這時可以看作是輸入端接一個無窮大的電阻。2）在門電路輸入端串聯10K電阻後再輸入低電平，輸入端出呈現的是高電平而不是低電平。因為由TTL門電路的輸入端負載特性可知，只有在輸入端接的串聯電阻小於910歐時，它輸入來的低電平信號才能被門電路識別出來，串聯電阻再大的話輸入端就一直呈現高電平。這個一定要注意。CMOS門電路就不用考慮這些了。8，TTL和CMOS電路的輸出處理TTL電路有集電極開路OC門，MOS管也有和集電極對應的漏極開路的OD門，它的輸出就叫做開漏輸出。OC門在截止時有漏電流輸出，那就是漏電流，為什麼有漏電流呢？那是因為當三機管截止的時候，它的基極電流約等於0，但是並不是真正的為0，經過三極體的集電極的電流也就不是真正的0，而是約0。而這個就是漏電流。開漏輸出：OC門的輸出就是開漏輸出；OD門的輸出也是開漏輸出。它可以吸收很大的電流，但是不能向外輸出的電流。所以，為了能輸入和輸出電流，它使用的時候要跟電源和上拉電阻一齊用。OD門一般作為輸出緩沖/驅動器、電平轉換器以及滿足吸收大負載電流的需要。