A0L電路板

A. 求高手這電路板叫什麼、怎麼用它修電腦詳細點，謝謝！

計算機主機板檢測卡（也就是主板檢測卡）

他是利用目前符合ATX BTX結構，以及其他類似結構或兼容X86結構的計算機中的標准執行程序而通過電路檢測實現檢測是否有損壞的

這種標准下的計算機啟動時，由開關觸發信號，COMS晶元前端電路被初始化，使用5VSB電源維持，並且檢測5VSB是否正常，然後MOS控制器開始接通開關電源信號迴路到5VSB中的+線上，進行PWM監控，初始化磁碟12V電路，初始化磁碟5V電路，初始化內存電源，初始化處理器電源，並入PCI匯流排電源（如果有PCI-E則先啟動PCI-E，其次是AGP然後才是PCI再到ISA）當全部完成加電後

按照COMS規則，遞交自檢晶元控制，分別對所有板卡設備全部進行檢測，由於PCI AGP ISA PCI-E匯流排均有一路信號迴路，該信號迴路不僅是作為他們自己初始化的迴路，也作為反饋信息迴路，這樣主板檢測卡就可以利用此迴路信號判斷大多數設備的工作情況

並且通過PCI槽的其他接腳，檢測計算機所有仔細的狀況，包括顯示卡和匯流排狀態，磁碟狀態，處理器，內存等等

總之他就是這樣工作的

這些信號全部都是脈沖直流信號，他們夾載著一定的信息，通過檢測卡解碼後，顯示在顯示器上，或者通過指示燈顯示，而電源則直接用指示燈顯示

如果無法通過的檢測則記錄下來並且報告，這樣你通過他的說明書就可以查出是什麼部分有問題了

但是僅供參考，檢測卡並非一個十全十美的東西，他經常會出現誤檢測狀態，所以不可以僅僅只用他的結果作為最終判斷依據。

查表必讀：
1、特殊代碼"00"和"ff"及其它起始碼有三種情況出現：
①已由一系列其它代碼之後再出現："00"或"ff"，則主板ok。
②如果將cmos中設置無錯誤，則不嚴重的故障不會影響bios自檢的繼續，而最終出現"00"或"ff"。
③一開機就出現"00"或"ff"或其它起始代碼並且不變化則為主板沒有運行起來。
2、本表是按代碼值從小到大排序，卡中出碼順序不定。
3、未定義的代碼表中未列出。
4、對於不同bios（常用ami、award、phoenix）用同一代碼代表的意義不同，因此應弄清您所檢測的電腦是屬於哪一種類型的bios，您可查閱您的電腦使用手冊，或從主板上的bios晶元上直接查看，也可以在啟動屏幕時直接看到。
5、有少數主板的pci槽只有一部分代碼出現，但isa槽有完整自檢代碼輸出。且目前已發現有極個別原裝機主板的isa槽無代碼輸出，而pci槽則有完整代碼輸出，故建議您在查看代碼不成功時，將本雙槽卡換到另一種插槽試一下。另外，同一塊主板的不同pci槽，有的槽有完整代碼送出，如dell810主板只有靠近cpu的一個pci槽有完整代碼顯示，一直變化到"00"或"ff"，而其它pci槽走到"38"後則不繼續變化。
6、復位信號所需時間isa與pci不一定同步，故有可能isa開始出代碼，但pci的復位燈還不熄，故pci代碼停要起始代碼上。

代碼對照表
00 . 已顯示系統的配置；即將控制INI19引導裝入。
01 處理器測試1，處理器狀態核實,如果測試失敗，循環是無限的。 處理器寄存器的測試即將開始，不可屏蔽中斷即將停用。 CPU寄存器測試正在進行或者失敗。
02 確定診斷的類型（正常或者製造）。如果鍵盤緩沖器含有數據就會失效。 停用不可屏蔽中斷；通過延遲開始。 CMOS寫入／讀出正在進行或者失靈。
03 清除8042鍵盤控制器，發出TESTKBRD命令（AAH） 通電延遲已完成。 ROM BIOS檢查部件正在進行或失靈。
04 使8042鍵盤控制器復位，核實TESTKBRD。 鍵盤控制器軟復位／通電測試。 可編程間隔計時器的測試正在進行或失靈。
05 如果不斷重復製造測試1至5，可獲得8042控制狀態。 已確定軟復位／通電；即將啟動ROM。 DMA初如准備正在進行或者失靈。
06 使電路片作初始准備，停用視頻、奇偶性、DMA電路片，以及清除DMA電路片，所有頁面寄存器和CMOS停機位元組。 已啟動ROM計算ROM BIOS檢查總和，以及檢查鍵盤緩沖器是否清除。 DMA初始頁面寄存器讀／寫測試正在進行或失靈。
07 處理器測試2，核實CPU寄存器的工作。 ROM BIOS檢查總和正常，鍵盤緩沖器已清除，向鍵盤發出BAT（基本保證測試）命令。 .
08 使CMOS計時器作初始准備，正常的更新計時器的循環。 已向鍵盤發出BAT命令，即將寫入BAT命令。 RAM更新檢驗正在進行或失靈。
09 EPROM檢查總和且必須等於零才通過。 核實鍵盤的基本保證測試，接著核實鍵盤命令位元組。 第一個64K RAM測試正在進行。
0A 使視頻介面作初始准備。 發出鍵盤命令位元組代碼，即將寫入命令位元組數據。 第一個64K RAM晶元或數據線失靈，移位。
0B 測試8254通道0。 寫入鍵盤控制器命令位元組，即將發出引腳23和24的封鎖／解鎖命令。 第一個64K RAM奇／偶邏輯失靈。
0C 測試8254通道1。 鍵盤控制器引腳23、24已封鎖／解鎖；已發出NOP命令。 第一個64K RAN的地址線故障。
0D 1、檢查CPU速度是否與系統時鍾相匹配。2、檢查控制晶元已編程值是否符合初設置。3、視頻通道測試，如果失敗，則鳴喇叭。 已處理NOP命令；接著測試CMOS停開寄存器。 第一個64K RAM的奇偶性失靈
0E 測試CMOS停機位元組。 CMOS停開寄存器讀／寫測試；將計算CMOS檢查總和。 初始化輸入／輸出埠地址。
0F 測試擴展的CMOS。 已計算CMOS檢查總和寫入診斷位元組；CMOS開始初始准備。 .
10 測試DMA通道0。 CMOS已作初始准備，CMOS狀態寄存器即將為日期和時間作初始准備。 第一個64K RAM第0位故障。
11 測試DMA通道1。 CMOS狀態寄存器已作初始准備，即將停用DMA和中斷控制器。 第一個64DK RAM第1位故障。
12 測試DMA頁面寄存器。 停用DMA控制器1以及中斷控制器1和2；即將視頻顯示器並使埠B作初始准備。 第一個64DK RAM第2位故障。
13 測試8741鍵盤控制器介面。 視頻顯示器已停用，埠B已作初始准備；即將開始電路片初始化／存儲器自動檢測。 第一個64DK RAM第3位故障。
14 測試存儲器更新觸發電路。 電路片初始化／存儲器處自動檢測結束；8254計時器測試即將開始。 第一個64DK RAM第4位故障。
15 測試開頭64K的系統存儲器。 第2通道計時器測試了一半；8254第2通道計時器即將完成測試。 第一個64DK RAM第5位故障。
16 建立8259所用的中斷矢量表。 第2通道計時器測試結束；8254第1通道計時器即將完成測試。 第一個64DK RAM第6位故障。
17 調准視頻輸入／輸出工作，若裝有視頻BIOS則啟用。 第1通道計時器測試結束；8254第0通道計時器即將完成測試。 第一個64DK RAM第7位故障。
18 測試視頻存儲器，如果安裝選用的視頻BIOS通過，由可繞過。 第0通道計時器測試結束；即將開始更新存儲器。 第一個64DK RAM第8位故障。
19 測試第1通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。 已開始更新存儲器，接著將完成存儲器的更新。 第一個64DK RAM第9位故障。
1A 測試第2通道的中斷控制器（8259）屏蔽位。 正在觸發存儲器更新線路，即將檢查15微秒通／斷時間。 第一個64DK RAM第10位故障。
1B 測試CMOS電池電平。 完成存儲器更新時間30微秒測試；即將開始基本的64K存儲器測試。 第一個64DK RAM第11位故障。
1C 測試CMOS檢查總和。 . 第一個64DK RAM第12位故障。
1D 調定CMOS配置。 . 第一個64DK RAM第13位故障。
1E 測定系統存儲器的大小，並且把它和CMOS值比較。 . 第一個64DK RAM第14位故障。
1F 測試64K存儲器至最高640K。 . 第一個64DK RAM第15位故障。
20 測量固定的8259中斷位。 開始基本的64K存儲器測試；即將測試地址線。 從屬DMA寄存器測試正在進行或失靈。
21 維持不可屏蔽中斷（NMI）位（奇偶性或輸入／輸出通道的檢查）。 通過地址線測試；即將觸發奇偶性。 主DMA寄存器測試正在進行或失靈。
22 測試8259的中斷功能。 結束觸發奇偶性；將開始串列數據讀／寫測試。 主中斷屏蔽寄存器測試正在進行或失靈。
23 測試保護方式8086虛擬方式和8086頁面方式。 基本的64K串列數據讀／寫測試正常；即將開始中斷矢量初始化之前的任何調節。 從屬中斷屏蔽存器測試正在進行或失靈。
24 測定1MB以上的擴展存儲器。 矢量初始化之前的任何調節完成，即將開始中斷矢量的初始准備。 設置ES段地址寄存器注冊表到內存高端。
25 測試除頭一個64K之後的所有存儲器。 完成中斷矢量初始准備；將為旋轉式斷續開始讀出8042的輸入／輸出埠。 裝入中斷矢量正在進行或失靈。
26 測試保護方式的例外情況。 讀出8042的輸入／輸出埠；即將為旋轉式斷續開始使全局數據作初始准備。 開啟A20地址線；使之參入定址。
27 確定超高速緩沖存儲器的控制或屏蔽RAM。 全1數據初始准備結束；接著將進行中斷矢量之後的任何初始准備。 鍵盤控制器測試正在進行或失靈。
28 確定超高速緩沖存儲器的控制或者特別的8042鍵盤控制器。 完成中斷矢量之後的初始准備；即將調定單色方式。 CMOS電源故障／檢查總和計算正在進行。
29 . 已調定單色方式，即將調定彩色方式。 CMOS配置有效性的檢查正在進行。
2A 使鍵盤控制器作初始准備。 已調定彩色方式，即將進行ROM測試前的觸發奇偶性。 置空64K基本內存。
2B 使磁碟驅動器和控制器作初始准備。 觸發奇偶性結束；即將控制任選的視頻ROM檢查前所需的任何調節。 屏幕存儲器測試正在進行或失靈。
2C 檢查串列埠，並使之作初始准備。 完成視頻ROM控制之前的處理；即將查看任選的視頻ROM並加以控制。 屏幕初始准備正在進行或失靈。
2D 檢測並行埠，並使之作初始准備。 已完成任選的視頻ROM控制，即將進行視頻ROM回復控制之後任何其他處理的控制。 屏幕回掃測試正在進行或失靈。
2E 使硬磁碟驅動器和控制器作初始准備。 從視頻ROM控制之後的處理復原；如果沒有發現EGA／VGA就要進行顯示器存儲器讀／寫測試。 檢測視頻ROM正在進行。
2F 檢測數學協處理器，並使之作初始准備。 沒發現EGA／VGA；即將開始顯示器存儲器讀／寫測試。 .
30 建立基本內存和擴展內存。 通過顯示器存儲器讀／寫測試；即將進行掃描檢查。 認為屏幕是可以工作的。
31 檢測從C800：0至EFFF：0的選用ROM，並使之作初始准備。 顯示器存儲器讀／寫測試或掃描檢查失敗，即將進行另一種顯示器存儲器讀／寫測試。 單色監視器是可以工作的。
32 對主板上COM／LTP／FDD／聲音設備等I／O晶元編程使之適合設置值。 通過另一種顯示器存儲器讀／寫測試；卻將進行另一種顯示器掃描檢查。 彩色監視器（40列）是可以工作的。
33 . 視頻顯示器檢查結束；將開始利用調節開關和實際插卡檢驗顯示器的關型。 彩色監視器（80列）是可以工作的。
34 . 已檢驗顯示器適配器；接著將調定顯示方式。 計時器滴答聲中斷測試正在進行或失靈。 35 . 完成調定顯示方式；即將檢查BIOS ROM的數據區。 停機測試正在進行或失靈。
36 . 已檢查BIOS ROM數據區；即將調定通電信息的游標。 門電路中A－20失靈。
37 . 識別通電信息的游標調定已完成；即將顯示通電信息。 保護方式中的意外中斷。
38 . 完成顯示通電信息；即將讀出新的游標位置。 RAM測試正在進行或者地址故障＞FFFFH。
39 . 已讀出保存游標位置，即將顯示引用信息串。 .
3A . 引用信息串顯示結束；即將顯示發現信息。 間隔計時器通道2測試或失靈。
3B 用OPTI電路片（只是486）使輔助超高速緩沖存儲器作初始准備。 已顯示發現＜ESC＞信息；虛擬方式，存儲器測試即將開始。 按日計算的日歷時鍾測試正在進行或失靈。
3C 建立允許進入CMOS設置的標志。 . 串列埠測試正在進行或失靈。
3D 初始化鍵盤／PS2滑鼠／PNP設備及總內存節點。 . 並行埠測試正在進行或失靈。
3E 嘗試打開L2高速緩存。 . 數學協處理器測試正在進行或失靈。
40 . 已開始准備虛擬方式的測試；即將從視頻存儲器來檢驗。 調整CPU速度，使之與外圍時鍾精確匹配。
41 中斷已打開，將初始化數據以便於0：0檢測內存變換（中斷控制器或內存不良） 從視頻存儲器檢驗之後復原；即將准備描述符表。 系統插件板選擇失靈。
42 顯示窗口進入SETUP。 描述符表已准備好；即將進行虛擬方式作存儲器測試。 擴展CMOS RAM故障。
43 若是即插即用BIOS，則串口、並口初始化。 進入虛擬方式；即將為診斷方式實現中斷。 . 44 . 已實現中斷（如已接通診斷開關；即將使數據作初始准備以檢查存儲器在0：0返轉。） BIOS中斷進行初始化。
45 初始化數學協處理器。 數據已作初始准備；即將檢查存儲器在0：0返轉以及找出系統存儲器的規模。 .
46 . 測試存儲器已返回；存儲器大小計算完畢，即將寫入頁面來測試存儲器。 檢查只讀存儲器ROM版本。
47 . 即將在擴展的存儲器試寫頁面；即將基本640K存儲器寫入頁面。
48 . 已將基本存儲器寫入頁面；即將確定1MB以上的存儲器。 視頻檢查，CMOS重新配置。
49 . 找出1BM以下的存儲器並檢驗；即將確定1MB以上的存儲器。 .
4A . 找出1MB以上的存儲器並檢驗；即將檢查BIOS ROM數據區。 進行視頻的初始化。
4B . BIOS ROM數據區的檢驗結束，即將檢查＜ESC＞和為軟復位清除1MB以上的存儲器。 . 4C . 清除1MB以上的存儲器(軟復位)即將清除1MB以上的存儲器. 屏蔽視頻BIOS ROM。. 4D。已清除1MB以上的存儲器（軟復位）；將保存存儲器的大小。 .
4E 若檢測到有錯誤；在顯示器上顯示錯誤信息，並等待客戶按＜F1＞鍵繼續。 開始存儲器的測試：（無軟復位）；即將顯示第一個64K存儲器的測試。 顯示版權信息。
4F 讀寫軟、硬碟數據，進行DOS引導。 開始顯示存儲器的大小，正在測試存儲器將使之更新；將進行串列和隨機的存儲器測試。 .
50 將當前BIOS監時區內的CMOS值存到CMOS中。 完成1MB以下的存儲器測試；即將高速存儲器的大小以便再定位和掩蔽。 將CPU類型和速度送到屏幕。
51 . 測試1MB以上的存儲器。 .
52 所有ISA只讀存儲器ROM進行初始化，最終給PCI分配IRQ號等初始化工作。 已完成1MB以上的存儲器測試；即將准備回到實址方式。 進入鍵盤檢測。
53 如果不是即插即用BIOS，則初始化串口、並口和設置時種值。 保存CPU寄存器和存儲器的大小，將進入實址方式。 .
54 . 成功地開啟實址方式；即將復原准備停機時保存的寄存器。 掃描「打擊鍵」
55 . 寄存器已復原，將停用門電路A－20的地址線。 .
56 . 成功地停用A－20的地址線；即將檢查BIOS ROM數據區。 鍵盤測試結束。
57 . BIOS ROM數據區檢查了一半；繼續進行。 .
58 . BIOS ROM的數據區檢查結束；將清除發現＜ESC＞信息。 非設置中斷測試。
59 . 已清除＜ESC＞信息；信息已顯示；即將開始DMA和中斷控制器的測試。 .
5A . . 顯示按「F2」鍵進行設置。
5B . . 測試基本內存地址。
5C . . 測試640K基本內存。
60 設置硬碟引導扇區病毒保護功能。 通過DMA頁面寄存器的測試；即將檢驗視頻存儲器。 測試擴展內存。
61 顯示系統配置表。 視頻存儲器檢驗結束；即將進行DMA＃1基本寄存器的測試。 .
62 開始用中斷19H進行系統引導。 通過DMA＃1基本寄存器的測試；即將進行DMA＃2寄存器的測試。 測試擴展內存地址線。
63 . 通過DMA＃2基本寄存器的測試；即將檢查BIOS ROM數據區。 .
64 . BIOS ROM數據區檢查了一半，繼續進行。 .
65 . BIOS ROM數據區檢查結束；將把DMA裝置1和2編程。 .
66 . DMA裝置1和2編程結束；即將使用59號中斷控制器作初始准備。 Cache注冊表進行優化配置。
67 . 8259初始准備已結束；即將開始鍵盤測試。 .
68 . . 使外部Cache和CPU內部Cache都工作。
6A . . 測試並顯示外部Cache值。
6C . . 顯示被屏蔽內容。
6E . . 顯示附屬配置信息。
70 . . 檢測到的錯誤代碼送到屏幕顯示。
72 . . 檢測配置有否錯誤。
74 . . 測試實時時鍾。
76 . . 掃查鍵盤錯誤。
7A . . 鎖鍵盤。
7C . . 設置硬體中斷矢量。
7E . . 測試有否安裝數學處理器。
80 . 鍵盤測試開始，正在清除和檢查有沒有鍵卡住，即將使鍵盤復原。 關閉可編程輸入／輸出設備。
81 . 找出鍵盤復原的錯誤卡住的鍵；即將發出鍵盤控制埠的測試命令。 .
82 . 鍵盤控制器介面測試結束，即將寫入命令位元組和使循環緩沖器作初始准備。 檢測和安裝固定RS232介面（串口）。
83 . 已寫入命令位元組，已完成全局數據的初始准備；即將檢查有沒有鍵鎖住。 .
84 . 已檢查有沒有鎖住的鍵，即將檢查存儲器是否與CMOS失配。 檢測和安裝固定並行口。 85 . 已檢查存儲器的大小；即將顯示軟錯誤和口令或旁通安排。 .
86 . 已檢查口令；即將進行旁通安排前的編程。 重新打開可編程I／O設備和檢測固定I／O是否有沖突。
87 . 完成安排前的編程；將進行CMOS安排的編程。 .
88 . 從CMOS安排程序復原清除屏幕；即將進行後面的編程。 初始化BIOS數據區。
89 . 完成安排後的編程；即將顯示通電屏幕信息。 .
8A . 顯示頭一個屏幕信息。 進行擴展BIOS數據區初始化。
8B . 顯示了信息：即將屏蔽主要和視頻BIOS。 .
8C . 成功地屏蔽主要和視頻BIOS，將開始CMOS後的安排任選項的編程。 進行軟碟機控制器初始化。
8D . 已經安排任選項編程，接著檢查滑了鼠和進行初始准備。 .
8E . 檢測了滑鼠以及完成初始准備；即將把硬、軟磁碟復位。 .
8F . 軟磁碟已檢查，該磁碟將作初始准備，隨後配備軟磁碟。 .
90 . 軟磁碟配置結束；將測試硬磁碟的存在。 硬碟控制器進行初始化。
91 . 硬磁碟存在測試結束；隨後配置硬磁碟。 局部匯流排硬碟控制器初始化。
92 . 硬磁碟配置完成；即將檢查BIOS ROM的數據區。 跳轉到用戶路徑2。
93 . BIOS ROM的數據區已檢查一半；繼續進行。 .
94 . BIOS ROM的數據區檢查完畢，即調定基本和擴展存儲器的大小。 關閉A－20地址線。 95 . 因應滑鼠和硬磁碟47型支持而調節好存儲器的大小；即將檢驗顯示存儲器。 .
96 . 檢驗顯示存儲器後復原；即將進行C800：0任選ROM控制之前的初始准備。 「ES段」注冊表清除。
97 . C800：0任選ROM控制之前的任何初始准備結束，接著進行任選ROM的檢查及控制。 . 98 . 任選ROM的控制完成；即將進行任選ROM回復控制之後所需的任何處理。 查找ROM選擇。
99 . 任選ROM測試之後所需的任何初始准備結束；即將建立計時器的數據區或列印機基本地址。 .
9A . 調定計時器和列印機基本地址後的返回操作；即調定RS－232基本地址。 屏蔽ROM選擇。
9B . 在RS－232基本地址之後返回；即將進行協處理器測試之初始准備。 .
9C . 協處理器測試之前所需初始准備結束；接著使協處理器作初始准備。 建立電源節能管理。
9D . 協處理器作好初始准備，即將進行協處理器測試之後的任何初始准備。 .
9E . 完成協處理器之後的初始准備，將檢查擴展鍵盤，鍵盤識別符，以及數字鎖定。 開放硬體中斷。
9F . 已檢查擴展鍵盤，調定識別標志，數字鎖接通或斷開，將發出鍵盤識別命令。 .
A0 . 發出鍵盤識別命令；即將使鍵盤識別標志復原。 設置時間和日期。
A1 . 鍵盤識別標志復原；接著進行高速緩沖存儲器的測試。 .
A2 . 高速緩沖存儲器測試結束；即將顯示任何軟錯誤。 檢查鍵盤鎖。
A3 . 軟錯誤顯示完畢；即將調定鍵盤打擊的速率。 .
A4 . 調好鍵盤的打擊速率，即將制訂存儲器的等待狀態。 鍵盤重復輸入速率的初始化。
A5 . 存儲器等候狀態制定完畢；接著將清除屏幕。 .
A6 . 屏幕已清除；即將啟動奇偶性和不可屏蔽中斷。 .
A7 . 已啟用不可屏蔽中斷和奇偶性；即將進行控制任選的ROM在E000：0之所需的任何初始准備。 .
A8 . 控制ROM在E000：0之前的初始准備結束，接著將控制E000：0之後所需的任何初始准備。 清除「F2」鍵提示。
A9 . 從控制E000：0 ROM返回，即將進行控制E000：0任選ROM之後所需的任何初始准備。 .
AA . 在E000：0控制任選ROM之後的初始准備結束；即將顯示系統的配置。 掃描「F2」鍵打擊。
AC . . 進入設置.
AE . . 清除通電自檢標志。
B0 . . 檢查非關鍵性錯誤。
B2 . . 通電自檢完成准備進入操作系統引導。
B4 . . 蜂鳴器響一聲。
B6 . . 檢測密碼設置（可選）。
B8 . . 清除全部描述表。
BC . . 清除校驗檢查值。
BE 程序預設值進入控制晶元，符合可調制二進制預設值表。 . 清除屏幕（可選）。
BF 測試CMOS建立值。 . 檢測病毒，提示做資料備份。
C0 初始化高速緩存。 . 用中斷19試引導。
C1 內存自檢。 . 查找引導扇區中的「55」「AA」標記。
C3 第一個256K內存測試。 . .
C5 從ROM內復制BIOS進行快速自檢。 . .
C6 高速緩存自檢。 . .
CA 檢測Micronies超速緩沖存儲器（如果存在），並使之作初始准備。 . .
CC 關斷不可屏蔽中斷處理器。 . .
EE 處理器意料不到的例外情況。 . .
FF 給予INI19引導裝入程序的控制，主板OK。

B. 華碩主板顯示a0

如果是主板檢測卡顯示A0：發出鍵盤識別命令；即將使鍵盤識別標志復原。 設置時間和日期。

C. 電腦檢測卡a0

A0代表： 發出鍵盤識別命令；即將使鍵盤識別標志復原。 設置時間和日期。
詳細的看下面。
主板檢測卡(DEBUG卡錯誤代碼表)

診斷卡的工作原理是利用主板中BIOS內部自檢程序的檢測結果，通過代碼一一顯示出來，結合本書的代碼含義速查表就能很快地知道電腦故障所在。尤其在PC機不能引導操作系統、黑屏、喇叭不叫時，使用本卡更能體現其便利，使您事半功倍。

BIOS在每次開機時，對系統的電路、存儲器、鍵盤、視頻部分、硬碟、軟碟機等各個組件進行嚴格測試，並分析硬碟系統配置，對已配置的基本I／O設置進行初始化，一切正常後，再引導操作系統。其顯著特點是以是否出現游標為分界線，先對關鍵性部件進行測試。

關鍵性部件發生故障強制機器轉入停機，顯示器無游標，則屏幕無任何反應。然後，對非關鍵性部件進行測試，對有故障機器也繼續運行，同時顯示器無顯示時，將本卡插入擴充槽內。

根據卡上顯示的代碼，參照你的機器是屬於哪一種BIOS，再通過本書查出該代碼所表示的故障原因和部位，就可清楚地知道故障所在。

(3)A0L電路板擴展閱讀：

因檢測卡是數顯，R0與A0相同，主要是開機自檢後，無顯示問題較多。
如下代碼：：

1、 FF、00、C0、D0、CF、F1主板BIOS未讀取CPU信息-->可檢測CPU部分，重新放置。

2、C1、C3、D3、D4、D5、B0、A7、E1表示內存不過 -->重新插拔內存測試。

3、24、25、01、0A、0B、2A、2B、2E、A0表示顯卡不過 -清除cmos信息，重插顯卡。

4、31、3C、73音效晶元或南橋晶元不良。

5、根據主板不同，個別品牌主板顯示0B開機，則表示正常。

D. a0史密斯熱水器電路板壞了可以換原裝嗎

打電話給廠家售後就可以了，他們會來換，如果在保修期內就是免費的，超出保修期要收費的哦

E. Arino可以把A0和數字信號引腳相連嗎

可以，arino本身就是數字信號。要用單片機驅動電機，io口的輸出電流是不夠得，要加一個驅動電路。比如加個功率三極體，mos管或者達林頓管。用單片機io口輸出pwm到三極體基級。電機接在集電極賀電源之間。發射級接地。電機兩段再並聯一個保護二極體。防止電機在接通斷電的時候燒壞單片機。輸出pwm調節就可以控制電機的快慢。

F. 誰有內存條電路圖/PCB圖

內存條晶元參數

整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數字或字母組成，他們分別代表內存的一個重要參數，了解了他們，就等於了解了現代內存。

顆粒編號解釋如下：

1． HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現代製造的產品。

2． 內存晶元類型：（5D=DDR SDRAM）

3． 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）

4． 晶元容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 內存條晶元結構：（4＝4顆晶元；8＝8顆晶元；16＝16顆晶元；32＝32顆晶元）

6． 內存bank（儲蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 介面類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）
8． 內核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H＝鹵素；R=鉛+鹵素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作溫度：（I=工業常溫（-40 - 85度）；E=擴展溫度（-25 - 85度））

由上面14條註解，我們不難發現，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數字的實際含義，就能輕松實現對使用現代DDR SDRAM內存顆粒的產品進行辨別。尤其是第13位數字，它將明確的告訴消費者，這款內存實際的最高工作狀態是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那麼就算內存條上貼的標簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產品。

常見SDRAM 編號識別

維修SDRAM內存條時，首先要明白內存晶元編號的含義，在其編號中包括以下幾個內容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標志等。通過對這些參數的分析比較，就可以正確認識和理解該內存條的規格以及特點。
(1)世界主要內存晶元生產廠商的前綴標志如下：
▲ HY HYUNDAI ------- 現代
▲ MT Micron ------- 美光
▲ GM LG-Semicon
▲ HYB SIEMENS ------ 西門子
▲ HM Hitachi ------ 日立
▲ MB Fujitsu ------ 富士通
▲ TC Toshiba ------ 東芝
▲ KM Samsung ------ 三星
▲ KS KINGMAX ------ 勝創
(2)內存晶元速度編號解釋如下:
★ -7 標記的SDRAM 符合 PC143 規范,速度為7ns.
★ –75標記的SDRAM 符合PC133規范,速度為7.5ns.
★ –8標記的SDRAM 符合PC125規范,速度為8ns.
★ –7k/-7J/10P/10S標記的SDRAM 符合PC100規范,速度為10ns.
★ –10K標記的SDRAM符合PC66規范,速度為15ns.
(3) 編 號 形 式
HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj
其中5a中的a表示晶元類別,7---SDRAM; D—DDR SDRAM.
b表示電壓,V—3.3V; U---2.5V; 空白—5V.
CCC表示容量,16—16M; 65—64M; 129—129M; 256—256M.
dd表示帶寬。
f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.
g表示版本號，B—第三代。
h表示電源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。
ii表示封裝形式， TC—400mil TSOP—H.
jj表示速度，7—143MHZ; 75—133MHZ;8—125MHZ;
10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)
10—100MHZ(非PC100)。
例：1） HY57V651620B TC-75
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.
2) HY57V653220B TC-7
按照解釋該內存條應為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要內存晶元生產廠家(掌握內存晶元生產技術的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、台灣)：

序號 品牌 國家/地區 標識 備注
1 三星 韓國 SAMSUNG
2 現代 韓國 HY
3 樂金 韓國 LGS 已與HY合並
4 邁克龍 美國 MT
5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合並
6 日電 日本 NEC
7 日立 日本 HITACHI
8 沖電氣 日本 OKI
9 東芝 日本 TOSHIBA
10 富士通 日本 F
11 西門子 德國 SIEMENS
12 聯華 台灣 UMC
13 南亞 台灣 NANYA
14 茂矽 台灣 MOSEI

SAMSUNG內存

體含義解釋：
例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0
主要含義：
第1位——晶元功能K，代表是內存晶元。
第2位——晶元類型4，代表DRAM。
第3位——晶元的更進一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的內存採用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。
第6、7位——數據線引腳個數，08代表8位數據；16代表16位數據；32代表32位數據；64代表64位數據。
第11位——連線「-」。
第14、15位——晶元的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。
知道了內存顆粒編碼主要數位的含義，拿到一個內存條後就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位「28」代表該顆粒是128Mbits，第6、7位「08」代表該顆粒是8位數據帶寬，這樣我們可以計算出該內存條的容量是128Mbits（兆數位） × 16片/8bits=256MB（兆位元組）。

註：「bit」為「數位」，「B」即位元組「byte」，一個位元組為8位則計算時除以8。關於內存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內存，每8片8位數據寬度的顆粒就可以組成一條內存；另一種ECC內存，在每64位數據之後，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內存數據中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內存條實際容量按16乘。在購買時也可以據此判定18片或者9片內存顆粒貼片的內存條是ECC內存。

Hynix(Hyundai)現代

現代內存的含義：
HY5DV641622AT-36
HY XX X XX XX XX X X X X X XX
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1、HY代表是現代的產品

2、內存晶元類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；

3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V

4、晶元容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref

5、代表晶元輸出的數據位寬：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位

6、BANK數量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關系

7、I/O界面：1 :SSTL_3、 2 :SSTL_2

8、晶元內核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往後代表內核越新

9、代表功耗：L=低功耗晶元，空白=普通晶元

10、內存晶元封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-Ⅱ，TD=13mm TSOP-Ⅱ，TG=16mm TSOP-Ⅱ

11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR200、H :DDR266B、 K :DDR266A

Infineon（億恆）

Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內市場上西門子的子公司Infineon生產的內存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細列出了其內存的容量、數據寬度。Infineon的內存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。

HYB39S128400即128MB/ 4bits，「128」標識的是該顆粒的容量，後三位標識的是該內存數據寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S128160即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。

Infineon內存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最後加一短線，然後標上工作速率。

-7.5——表示該內存的工作頻率是133MHz；
-8——表示該內存的工作頻率是100MHz。

例如：
1條Kingston的內存條，採用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位）×16片/8=256MB（兆位元組）。

1條Ramaxel的內存條，採用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內存顆粒生產。其容量計算為： 128Mbits（兆數位） × 8 片/8=128MB（兆位元組）。

KINGMAX、kti

KINGMAX內存的說明

Kingmax內存都是採用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。並且該封裝模式是專利產品，所以我們看到採用Kingmax顆粒製作的內存條全是該廠自己生產。Kingmax內存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內存顆粒型號列表出來。

容量備註：
KSVA44T4A0A——64Mbits，16M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV884T4A0A——64Mbits，8M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV244T4XXX——128Mbits，32M地址空間 × 4位數據寬度；
KSV684T4XXX——128Mbits，16M地址空間 × 8位數據寬度；
KSV864T4XXX——128Mbits，8M 地址空間 × 16位數據寬度。

Kingmax內存的工作速率有四種狀態，是在型號後用短線符號隔開標識內存的工作速率：
-7A——PC133 /CL=2；
-7——PC133 /CL=3；
-8A——PC100/ CL=2；
-8——PC100 /CL=3。

例如一條Kingmax內存條，採用16片KSV884T4A0A-7A 的內存顆粒製造，其容量計算為： 64Mbits（兆數位）×16片/8=128MB（兆位元組）。

Micron（美光）

以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內存的編碼規則。
含義：
MT——Micron的廠商名稱。
48——內存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。
LC——供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。
16M8——內存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數據寬度。
A2——內存內核版本號。
TG——封裝方式，TG即TSOP封裝。
-75——內存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。

實例：一條Micron DDR內存條，採用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒製造。該內存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數片內存顆粒。

其容量計算為：容量32M ×4bit ×16 片/ 8=256MB（兆位元組）。

Winbond（華邦）

含義說明：
W XX XX XX XX
1 2 3 4 5

1、W代表內存顆粒是由Winbond生產

2、代表顯存類型：98為SDRAM，94為DDR RAM

3、代表顆粒的版本號：常見的版本號為B和H；

4、代表封裝，H為TSOP封裝，B為BGA封裝，D為LQFP封裝

5、工作頻率:0：10ns、100MHz；8：8ns、125MHz；Z：7.5ns、133MHz；Y：6.7ns、150MHz；6：6ns、166MHz；5：5ns、200MHz

G. 求助，開機主板顯示A0

主板顯示A0代表： 發出鍵盤識別命令；即將使鍵盤識別標志復原。
設置時間和日期。
板檢測卡顯示的是:
電路、存儲器、鍵盤、視頻部分、硬碟、軟碟機等各個組件的檢測結果.

H. PCB電路板的製作流程

下料---內層塗覆---曝光----顯影---蝕刻----蝕刻檢驗----A0I----打靶孔---黑化---層壓---鑽孔---沉銅（也叫板電）---外層塗覆--曝光--顯影---圖電---去摸蝕刻---中檢---阻焊-字元--表面處理--外形--測試--成檢--包裝--入庫

內層塗覆到層壓 是多層板流程，雙面板不需要這部份

I. 拼音a0l是啥意思

AOI（Automatic Optic Inspection）的全稱是自動光學檢測，是基於光學原理來對焊接生產中遇到的常見缺陷進行檢測的設備。
AOI是新興起的一種新型測試技術，但發展迅速，很多廠家都推出了AOI測試設備。
當自動檢測時，機器通過攝像頭自動掃描PCB，採集圖像，
測試的焊點與資料庫中的合格的參數進行比較，
經過圖像處理，檢查出PCB上缺陷，
並通過顯示器或自動標志把缺陷顯示/標示出來，供維修人員修整。

J. 誰知道一個控制電路板上的PCA9554AD是做什麼用的有什麼功能，謝謝。

PCA9554和PCA9554A是16腳的CMOS器件，它們提供了I2C/SMBus的應用中的8位通用並行輸入/輸出口（GPIO）的擴展。該器件使PHILIP的I2C I/O擴展器件系列得到增強。改進的特性包括更高的驅動能力、5V I/O口、更低的電源電流、單獨的I/O口配置、400kHz時鍾頻率和更小的封裝形式。當應用中需要額外的I/O口來連接ACPI電源開關、感測器、按鈕、LED、風扇等時，可使用I/O擴展器件實現簡單的解決方案。
PCA9554/54A包含一個8位配置寄存器（輸入或輸出選擇）、8位輸入寄存器、8位輸出寄存器和一個極性反轉（高電平或低電平操作有效）寄存器。系統主控器通過寫I/O口相應的配置位來激活埠的輸入或輸出。每個輸入或輸出口的數據都保存在相應的輸入/輸出寄存器中。讀寄存器操作的極性根據極性反轉寄存器內容而反轉。系統主控器可以讀取所有寄存器的內容。雖然PCA9554的管腳和I2C地址與PCF8574兼容，但由於它在功能上的增強，因此需要對軟體進行更改，有關這一點將在應用文檔AN469中討論。
當任何輸入口狀態與相應輸入口寄存器的值不同時，PCA9554/54A的開漏中斷輸出就被激活。該中斷可用來向系統主控器指明輸入埠狀態的改變。上電復位將所有寄存器設置成默認值並使器件狀態機初始化。
PCA9554/54A有3個硬體管腳（A0，A1，A2）來實現不同的固定I2C地址，最多允許8個器件共用一個I2C/SMBus匯流排上。PCA9554與PCA9554A的唯一區別在於固定I2C地址的不同，這樣最多允許16個器件（9554和9554A各8個）連接接到同一個I2C/SMBus匯流排上。