光耦經典電路

『壹』 光耦驅動電路

最好用左邊一種，它能兼容CMOS和TTL邏輯，右邊一種只能用於內CMOS邏輯，用於TTL時下拉電流可能容不夠，導致低電平電壓比較高。
左邊一種如果邏輯極性不對，不要改用右邊的電路，可以改輸入端，讓輸入通過電阻和光耦對地。
另外，24V邏輯轉5V邏輯其實不需要光耦，一個二極體和一個對5V電源的上拉電阻就夠了，如果是接內置上拉的單片機等晶元，只需要一個二極體。當然也可以只用一個限流電阻，單片機內部的ESD保護二極體可以將輸入電壓鉗制在0至5V之間。

『貳』 請常用光耦電路有哪些，磁耦電路有哪些

光耦分兩部分，前部分為發光管，後部分為光敏接收部分，普通的用途專就是隔離，拿單路的屬521或817來說，1腳為前端輸入+，2腳為前端入-，3腳為後端輸出-，4腳為後端輸出+，前後端都要串聯限流電阻，如果只選用開關隔離，光耦一般電流也就在5mA左右，可長時間通電，電阻值可以根據電源電壓計算選用！如果用於模擬量就比較復雜了，要精密計算得出，而且連進口的521現在誤差也比較大，玩模擬量一般是老工程師用的，新人已經不怎麼用模擬量了，全玩數字電路！

光耦的電路看我上傳的圖

『叄』 光耦控制雙向可控硅經典電路，為什麼電阻要用360R的，是怎麼計算出來的

好像沒具體計算公式，目前只知道上面電阻是限流，下面電阻是防誤觸導通，右邊RC是保護。。。。

『肆』 關於光耦電路的原理

光耦電路即光電耦合器一般由三部分組成，光的發射、光的接收及信號放大。輸入的電信號驅動發光二極體（LED），使之發出一定波長的光，被光探測器接收而產生光電流，再經過進一步放大後輸出。這就完成了電—光—電的轉換，從而起到輸入、輸出、隔離的作用。

在光耦電路設計中，有兩個參數需要格外注意，一個是反向電壓Vr，是指原邊發光二極體所能承受的最大反向電壓，超過此反向電壓，可能會損壞LED。而一般光耦中，這個參數只有5V左右，在存在反壓或振盪的條件下使用時，要特別注意不要超過反向電壓。

另外一個參數是光耦的電流傳輸比是指在直流工作條件下，光耦的輸出電流與輸入電流之間的比值。光耦的CTR類似於三極體的電流放大倍數，是光耦的一個極為重要的參數，它取決於光耦的輸入電流和輸出電流值及電耦的電源電壓值，

這幾個參數共同決定了光耦工作在放大狀態還是開關狀態，其計算方法與三極體工作狀態計算方法類似。若輸入電流、輸出電流、電流傳輸比設計搭配不合理，可能導致電路不能工作在預想的工作狀態。

光耦電路中C-E飽和電壓Vce(sat)，即光敏三極體的集電極-發射極飽和壓降。正向工作電壓Vf(ForwardVoltage)，Vf是指在給定的工作電流下，LED本身的壓降。常見的小功率LED通常以If=10mA來測試正向工作電壓，當然不同的LED，測試條件和測試結果也會不一樣。

(4)光耦經典電路擴展閱讀；

線形光耦介紹，光隔離是一種很常用的信號隔離形式。常用光耦器件及其外圍電路組成。由於光耦電路簡單，在數字隔離電路或數據傳輸電路中常常用到，如UART協議的20mA電流環。對於模擬信號，光耦因為輸入輸出的線形較差，並且隨溫度變化較大，限制了其在模擬信號隔離的應用。

對於高頻交流模擬信號，變壓器隔離是最常見的選擇，但對於支流信號卻不適用。一些廠家提供隔離放大器作為模擬信號隔離的解決方案，如ADI的AD202，能夠提供從直流到幾K的頻率內提供0.025%的線性度，但這種隔離器件內部先進行電壓-頻率轉換。

對產生的交流信號進行變壓器隔離，然後進行頻率-電壓轉換得到隔離效果。集成的隔離放大器內部電路復雜，體積大，成本高，不適合大規模應用。

『伍』 光耦應用電路

單片機中，本身就有光電隔離，如果你再想加一級，可採取以下電路。

『陸』 雙向可控硅電路 按照經典電路接的

簡單說，觸發信號抄電平是以陰極（或陽極2）為參考點的，因此，觸發信號必須經過陰極節點先自成迴路（即不包含可控硅內部電路），R3（或其等效電路）就是用來實現這種迴路的，顯見的，觸發電平就是R3的電壓降了；

『柒』 3V -24V 光耦隔離電路

1、PC817、TIP521,4N25等光耦都可以的，器工作速度可以到達30kHz左右。
2、如果你需要更高的速度，可使用6N135等高速光隔，其工作速度可達2MHz。

『捌』 線性光耦HCNR201典型電路

A2作用電壓放大 有影響：Vout/Vin=R2/PD2

『玖』 光耦3020能否驅動阻容性負載。電路選擇的是光耦所附帶的典型電路

不能，3020承受不了。

『拾』 請教一個簡單的光耦電路

具體是什麼問題，想用光耦做什麼電路？下圖是一個通過光耦控制繼電器的電路。