高端驅動電路

❶ 目前最新的驅動電路有哪些

種類太多了，得看是恆壓驅動還是恆流驅動，如LED驅動就是恆流驅動。

❷ 半橋驅動電路工作原理及作用

半橋全橋的驅動電路是使功率管產生交流電的觸發信號，並不是將交流信號變直流信號。
即使單片機可以輸出直流信號，但是它的驅動能力也是有限的，所以單片機一般做驅動信號，驅動大的功率管，來產生大電流從而才能驅動電機。半橋驅動電路和半橋整流電路都可以稱為半橋電路。 半橋驅動指的是上下兩個部件交替輸出的電路。 半橋整流指的是只對半波整流。半橋電路是兩個三極體或MOS管組成的振盪， 全橋電路是四個三極體或MOS管組成的振盪。 全橋電路不容易產生瀉流，而半橋電路在振盪轉換之間容易瀉有電流使波形變壞，產生干擾。 半橋電路成本底，電路容易形成，全橋電路成本高，電路相對復雜。 半橋電路是兩個三極體或MOS管組成的振盪，全橋電路是四個三極體或MOS管組成的振盪。全橋電路不容易產生瀉流，而半橋電路在振盪轉換之間容易瀉有電流使波形變壞，產生干擾。半橋電路成本底，電路容易形成，全橋電路成本高，電路相對復雜。 半橋電路包括用於驅動各個下部晶體管(T1)和上部晶體管(T2)的低端驅動模塊(110)和高端驅動模塊(210)。每個驅動模塊(110，210)是電荷俘獲電路，其中低端驅動模塊(110)用電容性負載(C)上的電荷驅動低端晶體管(T1)，以及高端驅動模塊(210)在它被高電壓源驅動時交替地重新充電該電容性負載(C)。每個電荷俘獲電路(110，210)還包括二極體(D1，D2。

❸ 逆變驅動電路。IR2110的高端，柵源極電壓峰值為8V。為什麼呢自舉電容從0.1UF~10UF改變，電壓波形不變

1. 兄弟.自舉電容是會影響輸出波形沒錯.而且是影響電壓幅度.,

2. 我細細的看了一下電路.你應該說的內是C4吧. 那顆容電容准確的講.應該叫校正. 而不是自舉. 不會影響輸出波形. 會影響帶載能力. 如果此電容過小.負載電壓.電流會畸形.

注: 純屬個人見解.如有不對之處.還請指教.多海涵.!!!!

❹ 求助關於用ir2112S的自舉電路驅動BLDC，高端mosfet一直驅動不正常

不行。因為上橋臂的MOS管要飽和導通，必須要在門極與源極間加一個適當的電壓回。一般約答10V左右，才能使MOS管導通時的內阻達到其額定值。此電壓高一點其內阻會小一點，但太高則會損壞MOS管。當上橋臂MOS管導通時，其內阻Rds很小，甚至只有1～2mΩ，此時源極的電壓基本上等於電源電壓，那可能遠高於控制驅動迴路電壓的。造成門極電壓不可能高於源極要求的電壓，上橋臂MOS管也就不可以很好的導通了。 解決的辦法是，將上橋臂的驅動電路懸浮起來，Vs接上橋臂MOS管的S極，作為驅動電壓的參考點。將自舉電路中電容器在下橋臂導通時所充的電壓（等於控制迴路電壓減去一個隔離二極體的正向壓降約0.6V的電壓）來提供對上橋臂的驅動，使上橋臂MOS管可以很好的飽和導通。 不用自舉電路是不行的。在要求上橋臂MOS導管通時下橋臂MOS管肯定是截止的，下橋臂MOS管的漏極D（即上橋臂MOS管的源極S）的電壓，可能遠高於控制迴路的電壓，若將Vs接地，不僅不能滿足上橋臂MOS管導通的要求，甚至損壞上橋臂MOS管與半橋驅動IR2110.

❺ 求N-MOS管高端驅動電路。

你找下逆變器的驅動，用專用的IC也可以，IR2110之類的

❻ 驅動電路都有哪些

主電路和控制電路之間，用來對控制電路的信號進行放大的中間電路，稱回為驅動電路。
一般是由三極答管組成的放大電路，理想的是開環電壓放大倍數Aod=無窮
輸入電阻Rid=無情，Ric=無窮
共模抑制比Kcmr=無窮
輸出電阻Rod=0
-3DB帶寬Fh=無窮

❼ 高端驅動和低端驅動分別是什麼原理，有什麼區別

高端功率開關驅動的原理非常簡單，和低端功率開關驅動相對應，就是負載一端和開關管相連，另外一端直接接地。正常情況下，沒有控制信號的時候，開關管不導通，負載中沒有電流流過，即負載處於斷電狀態；反之，如果控制信號有效的時候，打開開關管，於是電流從電源正端經過高端的開關管，然後經過負載流出，負載進入通電狀態，從而產生響應的動作。基本的驅動原理圖如圖所示。

一般現在採用的開關功率管為N型MOSFET，N型MOSFET的優點是驅動採用電壓驅動，驅動電流很小，驅動功耗低，而且工作頻率可以很高，適用用高速控制，另外MOSFET的導通內阻很低，在mΩ級別，可以通過的穩定電流很大，因此適用於高功率的驅動。P型的MOSFET相對於同樣的矽片面積，導通內阻較大，故N型適用較多。

區別：

高端驅動是指在負載的供電端進行開關操作，低端驅動是指在負載的接地端進行開關操作。顯而易見的區別是，如果是低端驅動，那麼負載一端會始終接供電。應用上有諸多差別，但各有優劣，比如，如果你要做電流采樣，那麼用高端開關需要做差分采樣，低端開關可以一根線共地采樣。另外還有一些安全性的考慮，比如，如果你的驅動失效會引起安全問題，顯然高端開關更安全。

高端驅動是指相對於負載工作電壓而言用高電壓控制輸出，而低端驅動則是指相對於負載工作電壓而言用低電壓控制輸出。

❽ 哪種三極體驅動電路好

特點不同，要看前後級的關系，第一種是跟隨輸出，輸入阻抗高，輸出阻抗小，版當前級是高壓小電流的時權候好，並且輸出電壓是受控前級電壓，可做限幅開關，輸出是電壓源。第二種是反向共射集電極輸出，適合前級是低壓大電流，輸出是阻抗高，也是電流源，當負載變化時，電流不變。如果前級是低阻，如TTL，適合第二種。補充的電路是二者的結合，光耦的漏電流容易被放大，所以要加R大約2K左右（看光耦的參數），如是繼電器線圈，當釋放電壓低時，容易誤動作，電流優點是可給線圈提快速建立電壓。本例中如是繼電器，屬電流驅動，最好用集電極輸出，但也要有R。
補充：你是驅動電磁閥啊，又要晶體管功耗低，補充的驅動管子壓降很大，只能是第二種，把閥接到集電極上，並且1A的驅動電流要再加一級組成復合管

❾ 驅動電路的工作原理是什麼

驅動電路，位於主電路和控制電路之間，用來對控制電路的信號進行放大的中間專電路（即放大控制電路的信屬號使其能夠驅動功率晶體管），稱為驅動電路。
驅動電路的基本任務，就是將信息電子電路傳來的信號按照其控制目標的要求，轉換為加在電力電子器件控制端和公共端之間，可以使其開通或關斷的信號。對半控型器件只需提供開通控制信號，對全控型器件則既要提供開通控制信號，又要提供關斷控制信號，以保證器件按要求可靠導通或關斷。

❿ 如何選擇最適合的MOS管驅動電路

1、管種類和結構

MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被製造成增強型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

至於為什麼不使用耗盡型的MOS管，不建議刨根問底。

對於這兩種增強型MOS管，比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小，且容易製造。所以開關電源和馬達驅動的應用中，一般都用NMOS。下面的介紹中，也多以NMOS為主。

MOS管的三個管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由於製造工藝限制產生的。寄生電容的存在使得在設計或選擇驅動電路的時候要麻煩一些，但沒有辦法避免，後邊再詳細介紹。

在MOS管原理圖上可以看到，漏極和源極之間有一個寄生二極體。這個叫體二極體，在驅動感性負載(如馬達)，這個二極體很重要。順便說一句，體二極體只在單個的MOS管中存在，在集成電路晶元內部通常是沒有的。

2、MOS管導通特性

導通的意思是作為開關，相當於開關閉合。

NMOS的特性，Vgs大於一定的值就會導通，適合用於源極接地時的情況(低端驅動)，只要柵極電壓達到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小於一定的值就會導通，適合用於源極接VCC時的情況(高端驅動)。但是，雖然PMOS可以很方便地用作高端驅動，但由於導通電阻大，價格貴，替換種類少等原因，在高端驅動中，通常還是使用NMOS。

3、MOS開關管損失

不管是NMOS還是PMOS，導通後都有導通電阻存在，這樣電流就會在這個電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導通損耗。選擇導通電阻小的MOS管會減小導通損耗。現在的小功率MOS管導通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。

MOS在導通和截止的時候，一定不是在瞬間完成的。MOS兩端的電壓有一個下降的過程，流過的電流有一個上升的過程，在這段時間內，MOS管的損失是電壓和電流的乘積，叫做開關損失。通常開關損失比導通損失大得多，而且開關頻率越快，損失也越大。

導通瞬間電壓和電流的乘積很大，造成的損失也就很大。縮短開關時間，可以減小每次導通時的損失;降低開關頻率，可以減小單位時間內的開關次數。這兩種辦法都可以減小開關損失。

4、MOS管驅動

跟雙極性晶體管相比，一般認為使MOS管導通不需要電流，只要GS電壓高於一定的值，就可以了。這個很容易做到，但是，我們還需要速度。

在MOS管的結構中可以看到，在GS，GD之間存在寄生電容，而MOS管的驅動，實際上就是對電容的充放電。對電容的充電需要一個電流，因為對電容充電瞬間可以把電容看成短路，所以瞬間電流會比較大。選擇/設計MOS管驅動時第一要注意的是可提供瞬間短路電流的大小。

第二注意的是，普遍用於高端驅動的NMOS，導通時需要是柵極電壓大於源極電壓。而高端驅動的MOS管導通時源極電壓與漏極電壓(VCC)相同，所以這時柵極電壓要比VCC大4V或10V。如果在同一個系統里，要得到比VCC大的電壓，就要專門的升壓電路了。很多馬達驅動器都集成了電荷泵，要注意的是應該選擇合適的外接電容，以得到足夠的短路電流去驅動MOS管。

上邊說的4V或10V是常用的MOS管的導通電壓，設計時當然需要有一定的餘量。而且電壓越高，導通速度越快，導通電阻也越小。現在也有導通電壓更小的MOS管用在不同的領域里，但在12V汽車電子系統里，一般4V導通就夠用了。

MOS管的驅動電路及其損失，可以參考Microchip公司的AN799 Matching MOSFET Drivers to MOSFETs。講述得很詳細，所以不打算多寫了。

5、MOS管應用電路

MOS管最顯著的特性是開關特性好，所以被廣泛應用在需要電子開關的電路中，常見的如開關電源和馬達驅動。

5種常用開關電源MOSFET驅動電路解析

在使用MOSFET設計開關電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但並不是一個好的設計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數。對一個確定的MOSFET，其驅動電路，驅動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的開關性能。

當電源IC與MOS管選定之後， 選擇合適的驅動電路來連接電源IC與MOS管就顯得尤其重要了。

一個好的MOSFET驅動電路有以下幾點要求：

(1)開關管開通瞬時，驅動電路應能提供足夠大的充電電流使MOSFET柵源極間電壓迅速上升到所需值，保證開關管能快速開通且不存在上升沿的高頻振盪。

(2)開關導通期間驅動電路能保證MOSFET柵源極間電壓保持穩定且可靠導通。

(3)關斷瞬間驅動電路能提供一個盡可能低阻抗的通路供MOSFET柵源極間電容電壓的快速泄放，保證開關管能快速關斷。

(4)驅動電路結構簡單可靠、損耗小。

(5)根據情況施加隔離。