整流柜里可控硅前面为什么家电抗

① 电除尘高压控制柜里的可控硅的作用是什么变压器里有硅堆的作用是什么

电除尘器工作电压是高压脉冲直流电压，所以需要用变压器将电压上升到35-66KV左右，再整流为直流电压，变压器里的硅堆就是整流用的。而控制柜里的可控硅是控制电源导通角的，由于不同的烟囱浓度和组成需要不同的脉冲波，需要靠可控硅来进行控制得到这些不同的脉冲波

② 硅整流柜和可控硅整流柜的区别

整流柜，一般是指用整流二极管组成的整流电路，直流装置。特点：输出电压不可控。可控硅整流，是指用可控硅组成的整流电路。特点：输出电压可控。但、需要用触发电路来控制。

③ 可控硅整流柜的工作原理及注意事项

可控硅整流柜的工作原理如下：
1、可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成。
2、当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
3、由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。

可控硅整流柜注意事项如下：
1、把可控硅整流器安放好，并保持其稳定，为保证整流器通风良好，其前后左右0.5m以内不要有任何物体。另外，避免可控硅整流器在充满粉尘和腐蚀性气体的环境中工作，并远离产热源，和潮湿地带，相对湿度5%~70%，环境温度-25℃~40℃，以延长机器寿命。
2、检查一下可控硅整流器机器外壳有无松动，端口有无在运输过程中损坏，确认三相空气开关处于断开位置。
3、找出电源输入线，分别接好引线，将远控线对好插座的凹凸部位插牢并旋紧。
4、机箱后面外壳左下角有“ ”标识，请接入大地，预防静电。
5、将功率调节旋钮⑤逆时针旋转到底（最小状态）。
6、闭合空气开关，此时风扇开始转动，电源指示灯①亮。故障灯④会闪烁数次随即熄灭。
7、将“工作/待机”开关②拨至“待机”档，然后拨至“工作”档。
8、顺时针旋转调节旋钮⑤，当“稳压/稳流”开关置于“稳压”档时，电压表读数随即增加至所需值，电流表根据负载大小做出相应指示；当“稳压/稳流”开关置于“稳流”档时，有负载情况下，电流表读数随着增加至所需值，电压表根据负载大小做出相应指示，无负载时，顺时针旋转调节旋钮，电压指示最高值，电流表指示为零。
9、关闭电源时应先将调节旋钮逆时针旋到底，将“工作/待机”开关拨至“待机”档，断开空气开关。
10、机器正常工作时，外壳由于机内高频磁场的影响会产生涡流使外壳发热，并且有静电，属正常现象。
11、水冷可控硅整流器，在进水口中接水源管，出水口接好出水管，检查进水是否顺畅，机器出厂时已调好水压开关，工作时，不能低于所调水压。

④ 可控硅在电路中的作用以及连接方式

可控硅，是一种大功率电器元件，也称晶闸管。它具有体积小、效率高、专寿命长等优点。在自动控属制系统中，可作为大功率驱动器件，实现用小功率控件控制大功率设备。它在交直流电机调速系统、调功系统及随动系统中得到了广泛的应用。

可控硅分单向可控硅和双向可控硅两种。双向可控硅也叫三端双向可控硅，简称TRIAC。双向可控硅在结构上相当于两个单向可控硅反向连接，这种可控硅具有双向导通功能。其通断状态由控制极G决定。在控制极G上加正脉冲(或负脉冲)可使其正向(或反向)导通。这种装置的优点是控制电路简单，没有反向耐压问题，因此特别适合做交流无触点开关使用。

220v双向可控硅电路图（上图）

⑤ 可控硅的工作原理和主要作用

一、可控硅的工作原理：

1、双向可控硅：双向可控硅是一种硅可控整流器件，也称作双向晶闸管。这种器件在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，具有无火花、动作快、寿命长、可靠性高以及简化电路结构等优点。

(5)整流柜里可控硅前面为什么家电抗扩展阅读：

1、可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个电极---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型导体和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。

2、可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。

3、在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。

4、一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。

⑥ 可控硅过电流的原因及保护方法

产生过电流的原因多种多样，当变流装置内部元件损坏、控制或触发系统发生故障、可逆传动环流过大或逆变失败、交流电压过高、过低或缺相、负载过载等，均会引起装置中电力电子器件的电流超过正常工作电流。由于晶闸管的过流能力比一般电气设备低得多，因此，必须对晶闸管采取过电流保护措施。
闸管装置中可能采用的几种过电流保护措施：
1、交流进线串接漏抗大的整流变压器
利用电抗限制短路电流，但此种方法在交流电流较大时存在交流压降。
2、电检测和过流继电器
电流检测是用取样电流与设定值进行比较，当取样电流超过设定值时，比较器输出信号使移相角增大或拉逆变以减少电流。有时须停机。
3、直流快速开关
对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合，可采用动作时间只有2ms的直流快速开关，它能够先于快速熔断器断开而保护了晶闸管，但价格昂贵使用不多。
4、快速熔断器
与普通熔断器比较，快速熔断器是专门用来保护电力半导体功率器件过电流的元件，它具有快速熔断的特性，在流过6倍额定电流时其熔断时间小于工频的一个周期（20ms）。
快速熔断器可接在交流侧、直流侧或与晶闸管桥臂串联，后者直接效果最好。一般说来快速熔断器额定电流值（有效值IRD）应小于被保护晶闸管的额定方均根通态电流（即有效值）ITRMS即1.57ITAV，同时要大于流过晶闸管的实际通态方均根电流（即有效值）IRMS。

⑦ 电容柜里的可控硅在抗器下端好还是上端好

1、电容柜里的可控硅在抗器上端好。
2、可控硅，是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，亦称为晶闸管。具有体积小、结构相对简单、功能强等特点，是比较常用的半导体器件之一。该器件被广泛应用于各种电子设备和电子产品中，多用来作可控整流、逆变、变频、调压、无触点开关等。家用电器中的调光灯、调速风扇、空调机、电视机、电冰箱、洗衣机、照相机、组合音响、声光电路、定时控制器、玩具装置、无线电遥控、摄像机及工业控制等都大量使用了可控硅器件。
3、电力系统中的负载类型大部分属于感性负载，加上用电企业普遍广泛地使用电力电子设备，使电网功率因数较低。较低的功率因数降低了设备利用率，增加了供电投资，损害了电压质量，降低了设备使用寿命，大大增加了线路损耗。

⑧ 可控硅整流器的简介

可控硅整流器是一种常用的电力半导体电子器件，具有控制开关数千瓦乃至兆瓦级电功率的能力.从结构上说，它是 一种反向截止三极管型的闸流晶体管，由三个PN结(PN-PN四层)构成.器件的外引线有阴极、阳极、控制极三个电极，典型大电流可控硅整流器的示意剖面见图.器件的反向特性(阳极接负)和PN结二极管的反向特性相似;其正向特性，在 一定范围内器件处于阻抗很高的关闭状态(正向阻断态，即伏安特性一象限中虚线下的实线部分).当正向瞬间电压大于转折电压时，器件迅速转变到低电压大电流的通导状态.

处于正向阻断态的器件，如果给予控制极一低功率的触发信号(使控制极-阴极PN结导通)，则器件可迅速被激发到导通状态，之后毋须继续保持触发电流即可维持在通导状态，此时若将电流降至维持电流(伏安特性虚线处)以下，器件可恢复到阻断状态.
可控硅整流器：主电路采用三相桥或双反星形带平衡电抗器电路。可控硅元件采用大功率元件，节能显著。主控制系统采用大板高槛抗干扰、大规模集成控制板；模块及集成元件全部采用进口，可靠性高。具有自动稳压、稳流，稳定精度优于1%。具有0~60S软起动，电镀氧化着色时间可任意设定，自动定时。采用多相整流，减小输出电压纹波系数ru，特别适应于镀硬铬工艺，表面光洁度好，镀层厚度均匀。冷却方式：水冷、风冷、自冷。
晶闸管全称晶体闸流管，又称可控硅:是一种功率半导体器件。它具有容量大、效率高、可控性好、寿命长以及体积小等诸多优点，是弱电控制和被控强电之间的桥梁。从节能的观点出发，电力电子技术被誉为新电气技术。我国的能源利用率较低，按国民生产单产能耗计算，我国则是法国的4.98倍、日本的4.43倍，因此以晶闸管为核心的电气控制装置的普及使用是我国有效节约电能的一项重要措施。

⑨ 可控硅为什么会被击穿

1、过压击穿：
过压击穿是可控硅击穿的主要原因之一，可控硅对过压的承受能力几乎是没有时间的，即使在几毫秒的短时间内过压也会被击穿的，因此实际应用电路中，在可控硅两端一定要接入RC吸收回路，以避免各种无规则的干扰脉冲所引起的瞬间过压。如果经常发生可控硅击穿，请检查一下吸收回路的各元件是否有烧坏或失效的。
2、过流与过热击穿：其实过流击穿与过热击穿是一回事。过流击穿就是电流在通过可控硅芯片时在芯片内部产生热效应，使芯片温度升高，当芯片温度达到175℃时芯片就会失效且不能恢复。在正常的使用条件下，只要工作电流不超过可控硅额定电流是不会发生这种热击穿的，因为过流击穿原理是由于温度升高所引起的，而温度升高的过程是需要一定时间的，所以在短时间内过流（几百毫秒到几秒时间）一般是不会击穿的。
3、过热击穿：这里所说的过热击穿是指在工作电流并不超过可控硅额定电流的情况下而发生的热击穿，发生这种击穿的原因主要是可控硅的辅助散热装置工作不良而引起可控硅芯片温度过高导致击穿。