无比电路

Ⅰ 无穷网格电路化简

设Rab＝x
去掉第一个节点，后面的无穷网络正好是原来的两倍，电阻是2x
x＝R＋2xR／（2x＋R）
2xx－3xR－RR＝0
x＝（3＋根号17）R／4。

Ⅱ 电路如图：+5V、+12V、直流源均为不停电工作，请问当导线1老化断线悬空时，为什么DS1常亮注意导线1悬空

如果导线1不存在来时，DS1灯不亮源，那么就是导线1引入个稍大的交流电感应信号，致使Q1处在微导通与微截止之间周期变化，果真如此，那么DS1灯的亮度，会比正常时暗些许的；
如果导线1、2端加的只有直流电，那么在D5处并联个电容，应该可以解决的，去试试

Ⅲ 无稳态电路的工作原理是什么

1、上电瞬间前，Q1Q2都是截止的，上电后瞬间R1，R2让Q1，Q2导通。此刻C1左端和C2右端都是0V电压（Vce导通饱和，小电流时低于0.1V，大电流0.3V左右，实际并不为0V）。C1右端和C2左端都接Q1Q2的基极，导通状态电压约为0.7V。所以电容C1，C2开始充电。此刻Q1，Q2皆导通。

2、当C1，C2开始充电，透过R1，R2的电流被电容充电电流分流（电容端初始电压为0，不能突变，充电电流也很大，Vb得到的电流就很少了，会进入截止）。Vb会瞬间降低。由于元件的不对称，Q1Q2中会有一个先更快进入截止状态。假设是Q1.

3、当Q1一瞬间进入截止，C1左侧电压透过R3充电被抬升到Vcc。右边电压也会跟着被抬升，这样Q2的Vb会被抬升回原来Vbe的0.7V，回到导通状态。不会继续进入截止状态。此刻Q1截止，C1继续充电，（下面4看到，Q1的Vb会慢慢抬升，很快就会离开截止状态进入导通，通）。这个过程是Q1先进入截止，而Q2一直保持导通。

4、当Q1的Vb随着C2充电抬升，很快又回到导通区域。Q1再一次导通，让C1的左侧电位从Vcc快速透过Q1放电回到0V。这样,原来C1两侧电位差是Vcc-Vb，现在左侧被拉低到0V，电压无法突变，右侧电压被拉低为（Vb-Vcc），成为负电压，比电源负极的0V还负。Q2就突然深度截止了。（从原来正的Vb0.7V瞬间变为Vb-Vcc的负电压-4.3V）。此刻，Q1导通，Q2深度截止。

5、此刻，电容C1，左侧0V，右侧Vb-Vcc（-4.3V），电源Vcc5V开始透过R1给C1充电。而C2保持着Vb（0,7V）的电压。Q1保持导通，基极电流由R2提供。Q2保持截止，直到C1充电到Vb（0.7v）才会再次导通。C1从-4.3V充电到0.7V的周期，就是Q2输出高电平，Q1输出低电平的时间，也就是方波的前半个周期的时间。

C1右侧的初始电压为-4.7V，终止电压为0.7V，由电源5V透过R1给C1充电。透过电容充电公式可以计算时间t。

6、当C1充电到0.7V，Q2从截止进入导通。C2的右侧瞬间从Vcc被拉到0V。由于电容电压无法突变，C2左侧电压从Vb的0.7V，瞬间被拉低到0.7-5=-4.3V，负电压让Q1深度截止。此刻，Q1深度截止，Q2导通，Q2的导通基极电流由R1提供。

C2电容从-4.7V开始由电源5V透过R2充电到0.7V，让Q1导通，成为上面5的状态。透过电容充电公式可以计算这个充电周期需要的时间。

7、到此，从上电扰动进入了非稳态。在状态5和状态6中反复交替。Q1Q2反复轮流导通和截止。计算周期t1=0.69*R1C1,t2=0.69R2C2,总周期T=0.69*（R1C1+R2C2），调节R1R2可以调节占空比。如果R1R2，C1C2相等，那么T=1.38*RC，占空比50%。

注意地方就是:

1、R3，R4不能太小，太小让Q1Q2的Ic过大，无法进入饱和区，即使进入，Vce也比较高，如果大于Vb则电路不会震荡。即使三极管进入饱和区了，但随着Ic提高，Vce压降会提高（Vcest），会让方波的低电平提高。但R3，R4过小，会让电压从0拉升回5V时过慢，出现方波上升沿变缓。严重时变成三角波了。

2、R1，R2过大，导致Ib过小Ib=（Vcc-Vb）/R,三极管无法进入饱和截止区，同样方波最低电压也会抬升。当Vce提升到Vb（0.7V）就无法工作了。可选择高放大倍数的三极管。或者用达林顿接法。但达林顿接法让Vb成为1.2V，Vce为0.7V，方波输出低电平总是0.7V。

3、充电周期时间的计算：

电容充电公式Vt=V0+（Vcc-V0）（1-e-t/RC）

化简是Vt=Vcc-（Vcc-V0）e-t/RC

Vt是充电某个时刻t的电压。Vcc是充电无限长的电压，V0是初始电压。

t=-RCln(（Vcc-Vt）/(Vcc-V0))

由于V0=Vb-Vcc，Vt=Vb

所以t=-RCln（（Vcc-Vb）/(2Vcc-Vb))

由于Vcc>Vb可以近似简化成t=-RCln(Vcc/2Vcc)=-RCln0.5=0.69RC

也可以近似为t=0.7RC，所以整个周期T=1.4RC，频率就是f=1/(2*0.69*RC)=0.72/(RC)

实际电路中，电压越小，Vb的忽略会让误差变大。电压5V之后误差在1%以内，7V以后误差在0.1%以内。3V的电压误差在1.5%以上。

有一个问题就是，反而用精确的公式把Vb算进去，计算的误差反而很大（10V

时5.1%，7V时7.3%，4V时13%）。还不如估算公式准确（基本都在1%以内）。不知道是什么原因。也许电容充电计算部分有问题。但电容充电的初始电压和终止电压是经过实际测试，没有问题的。这个问题还需要深入研究。

这是基极Vb1，Vb2，也就是电容内侧的电压波形。我们看到电容充电从负电压开始（图中波形中间的线是0V）。清楚看到Q2的Vb（也就是C1）电压降了一点接近0V然后又充电慢慢回到Vb导通，此刻让Q1的Vb立刻被拉到负电压状态，开始充电爬升到Vb才导通。让Q2的Vb立刻变成负电压状态。不断反复循环。

Ⅳ 三极管放大电路和运算放大器电路的比较

区别来1：三极管只有三个脚，而运源放最少八只脚。2：单个三极管的放大倍数很有限，而运放的放大倍数很大很大。3：单个三极管的输入电阻可能会很低，而运放的输入电阻很高。4运放可以组成各种各样的电路单元，而单个三极管不能。

Ⅳ 求一个电路原理图

附图电路工作原理：

闭合S1，V2基极有电流通过而饱和导通，继电器(K)得电吸合，常开版触点闭权合；当闭合S2(给一个高电平信号)时，V1得电饱和导通，集电极呈低电位，V2基极无电流通过而截止，继电器失电复位，常开触点断开切断供电，此时电容储存电荷向V1基极供电保持饱和导通，集电极继续呈低电位，继电器继续呈复位状态(延时过程)；当电容储存电荷释放完毕，V1基极无电流通过而截止，集电极变为高电位，V2基极有电流通过而饱和导通，继电器得电吸合；如此不断循环工作(改变电容量可改变延时时间)。

Ⅵ 无稳态多谐振荡器电路怎么理解

1. C1充电后抄，是电容的左侧为+，右侧为-（相对来说的，就是左侧对地的电压高于右侧对地的电压），当Q1饱和后，相当于电容的正极接了Q2的发射极（由于Q1饱和，CE看成导通），也就是接了图中的参考端GND，一般认为GND是0V，而电容的负极电压比正极低4.3V，所以认为电容负极对地是-4.3V的。

2. NPN三极管导通条件是基极与集电极之间的正向电流达到临界值，基极电压必须大于集电极0.7V以上才可以，上文中都是负数了，所以不满足导通条件。

3. 根据上面的1.R1一端电压为5V，另一端电压为-4.3V，电压差就是9.3V
   

Ⅶ 如何判断电路是放大电路还是比较电路

对于三极管放大电路比较复杂，你说的问题是对于运放吧。运放比较器，版输入和输出之间是开环的，权也就是没有反馈环节；运算放大电路，输入和输出端之间要有反馈环节，是闭环的。此时，无论是正反馈还是负反馈，运放都具有放大作用，否则，不会起振。

Ⅷ 数字电路和模拟电路的区别

数字电路和模拟电路的区别如下：

1、应用范围不一样：数字电路与数字电子技术广泛的应用于电视、雷达、通信、电子计算机、自动控制、航天等科学技术领域。专用模拟电路市场是指在消费类电子产品、计算机、通信、汽车和工业其他部门应用的电路。

2、以二进制作为基础的数字逻辑电路，可靠性较强。电源电压的小的波动对其没有影响，温度和工艺偏差对其工作的可靠性影响也比模拟电路小得多。

3、数字电路的发展与模拟电路一样经历了由电子管、半导体分立器件到集成电路等几个时代。但其发展比模拟电路发展的更快。从60年代开始，数字集成器件以双极型工艺制成了小规模逻辑器件。随后发展到中规模逻辑器件；70年代末，微处理器的出现，使数字集成电路的性能产生质的飞跃。

4、与模拟电路相比，数字电路主要进行数字信号的处理（即信号以0与1两个状态表示），因此抗干扰能力较强。数字集成电路有各种门电路、触发器以及由它们构成的各种组合逻辑电路和时序逻辑电路。

5、一个数字系统一般由控制部件和运算部件组成，在时脉的驱动下，控制部件控制运算部件完成所要执行的动作。通过模拟数字转换器、数字模拟转换器，数字电路可以和模拟电路互相连接。

Ⅸ 无电阻电路

电源正负直接连接，热量都在电源内部，如果电源无内阻，那是理想电压源，短路后电流无穷大，功率p=U*I, I=无穷大， 功率也无穷大，不用你的公式。

Ⅹ 电路专业课计算题，恳请大神帮忙解答！！无比感谢！

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