简单的mos管开关电路图

『壹』 求简单的NMOS的开关电路

错了这么接

『贰』 请教PMOS管开关电路

你的图纸，应该是D是输入，S输出，G控制吧。上电后，G=0,D输入5V后，由于里面二极管的缘故，S输出等于VD-VF(二极管压降)，之后，VGS满足了门限电压，所以打开了，5V就有输出了。

『叁』 【求教】MOS管开关电路。

MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制回的时候需要考虑MOS的G端电答压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。

『肆』 MOS管模拟开关电路

用来切换交流的话MOS管好像不行吧.

『伍』 怎样用MOS管做开关电路

电路
错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于
PNP型三极管
，对P
三极管
来说，E接
电源
入，C接控制输出，同理如上。

『陆』 MOS管作为开关的电路图如何画

从图标出VBAT、VBAT OUT看，你的整个电路都错了：

1、P型场效应管应从S极输入、D极输出，回你把输入和输出弄反了。答

2、那个R23，应接在S、G之间，而不是接在G、D之间。R23是泄放电阻，当控制信后从0到1时，迅速将加在G极的负压释放，保证有效关断。就算你标错那个OUT，在S极输入、D极输出，你哪个R23就会使管子导通。除非EN FANG有个正压输入加到G极上，否则电路就不会关闭。

『柒』 请教：MOS管做开关电路

MOS管作为开关元件，同样是工作在截止或导通两种状态。由于MOS管是电压控制元件，所以主要回由栅源电压uGS决定其答工作状态。

MOS管在导通与截止两种状态发生转换时同样存在过渡过程，但其动态特性主要取决于与电路有关的杂散电容充、放电所需的时间，而管子本身导通和截止时电荷积累和消散的时间是很小的。

MOS管也是三端压控元件，三端分别是G、D、S，可以等效于普通三极管的B、C、E三极，VGS的电压（=VG-VS）控制Mos 开关状态:

当VGS大于Von（开启电压，NMOS为2~4V，PMOS为-2~-4V）时就使得Mos打开，D& S两极之间导通，压降为零，阻抗较小，零点几欧姆；

同理当VGS小于Von时就使得Mos处于关闭状态，D& S两极之间阻抗很大；

所以，G极就是控制极；

要注意的是，Vgs不能太高，比如IRF530，Von的最大值为4V，可是击穿电压为正负20V；又比如IRF9530，开启电压为最大-4V，也就是说Vgs=-5V时已经打开，开启电压上限也为正负20V，当Vgs=-21V或者22V时，管子会被击穿。通常使用时，可以使所加电压Vgs=正负9伏比较适合。

『捌』 MOS管开关电路

1 这个电来路采用是NMOS管，如自果COP是高组态，那么为什么A点处是高电平，那个Rcop上拉电阻如果达到1M，那么A处还是高电平吗？ 答：正是由于Rcop所以COP是高组态时处是高电平。即便Rcop阻值高达10MA处还会是高电平，只是阻值太高容易引入干扰，所以取几K的阻值就好。

2 图中标识的放电用FET，我大概分析下是：NMOS管的栅极B如果是低电平，那么放电用MOS管应该是导通的，此时电流流向是D流向S的，这个分析对吗？答：应该DOB是高电平时放电FET导通。

『玖』 请教：MOS管做电子开关电路

电路错了，PMOS你还D入S出？也就是说，S和D反了，调过来就对了。这个电路很常用，类似于PNP型三极管，对P三极管来说，E接电源入，C接控制输出，同理如上。

『拾』 求一个单片机控制mos管的电路图

电路原理图：

单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱动什么东西， 要只是一个继电器之类的小负载的话直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类负载要加保护二极管和吸收缓冲，最好用N沟道的MOS。

如果驱动的东西（功率）很大，（大电流、大电压的场合），最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等~~ 此时既要隔离传送控制信号（例如PWM信号），也要给驱动级（MOS管的推动电路）传送电能。

常用的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等 至于电能的传送可以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成本。

(10)简单的mos管开关电路图扩展阅读：

MOS管应用

1、低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be有0.7V左右的压降，导致实际最终加在gate上的电压只有4.3V。这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2、宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。