电推门电路

㈠ 常用的基本门电路是哪几个 其功能是

常用的门电路在逻辑功能上有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等几种。

1、与门：实现逻辑“乘”运算的电路，有两个以上输入端，一个输出端(一般电路都只有一个输出端,ECL电路则有二个输出端)。只有当所有输入端都是高电平（逻辑“1”）时，该电路输出才是高电平（逻辑“1”），否则输出为低电平（逻辑“0”）。

2、或门

实现逻辑加的电路,又称逻辑和电路,简称或门。此电路有两个以上输入端,一个输出端。只要有一个或几个输入端是 “1”,或门的输出即为 “1”。而只有所有输入端为 “0”时,输出才为 “0”。

3、非门

实现逻辑代数非的功能，即输出始终和输入保持相反。

4、与非门

若当输入均为高电平1，则输出为低电平0；若输入中至少有一个为低电平0，则输出为高电平1。与非门可以看作是与门和非门的叠加。

5、或非门

具有多端输入和单端输出的门电路。当任一输入端(或多端)为高电平（逻辑“1”）时，输出就是低电平（逻辑“0”）；只有当所有输入端都是低电平（逻辑“0”）时，输出才是高电平（逻辑“1”）。

(1)电推门电路扩展阅读

门电路输出端的电路结构有三种型式：有源负载推拉式(或互补式)输出、集电极(或漏极)开路输出和三态输出。

推拉式输出的门电路一般用于完成逻辑运算。集电极开路的门电路(OC门)在实现一定逻辑功能的同时，还能实现电平变换或驱动较高电压、较大电流的负载：可以把两个门的输出端直接并联，实现逻辑与的功能(称“线与”联接)。三态输出门广泛应用于和系统总线的联接以及实现信号双向传输等方面。

㈡ 什么叫推拉式结构门电路，何来推拉

输出端采用两个管子串联，中点为输出端。当洞埋上面管子饱和，下面管子截止铅空时，输出为高电平；当下面管子饱和槐颤瞎，上面管子截止时，输出为高电平。

㈢ 怎样安装平移电动门接线路图

平移电动门接线路图如下：

安装方法：

(1)确定传达室内控制盒的位置,即操纵伸缩门开关的装置位置;

(2)将220V电源引到控制盒的位置下端,要求最好是再带1根接地线,粗细规格为1.37,而且有漏电保护装置,并采用PVC暗敷;

(3)预留￠32mm
PVC管道,从控制盒的位置下端往下至地平面以下,穿墙往外,至轨道大致位置地平面下0.1-0.15米处,供以后伸缩门室外线路入室

(4)按照上表得出门洞长度，砌门洞时洞宽内净空不小于0.75-0.8米,高度内净尺寸普通门不小于门高+0.25米,豪华门不小于门高+0.1米;门洞末端里侧中上端留宽0.4米,高0.6米检修孔,有条件的可将门洞总长度再加长0.2-0.3米,这样可将检修孔改成一扇小门,方便日后检修维护伸缩门电气线路;

(5)在铺设轨道前除留下约0.8-0.9米宽外,先做好两边的地面;2-3日(冬天5-7日)后,再在铺设轨道的同时,土建配合做好轨道处的地面，注意铺设轨道期间，路面禁止通行，以免压弯轨道;

(6)安装伸缩门，接好线路，调试开关控制盒。

(3)电推门电路扩展阅读：

平移电动门功能

1、高效率马达配合蜗轮蜗杆传动，起动力矩大，开关速度快，运行安静，寿命长。

2、防强风阻碍，当自动门处于闭合过程中，如遇外界强风阻碍门扇时，控制系统会进行自动功率矫正，提高马达力矩，强迫门扇闭合。

3、遇阻自动返回，当门在闭合过程中遇到人或物件阻碍，控制系统根据反应会自动反转，立即开门防止夹人事件和机件损坏现象发生，提高自动门的安全性和使用寿命。

4、马达装置配有自锁功能，可以更加方便控制进出人流，提高安全性。

5、遥控开关的运用，可以更加自如地调节自动门的运行模式，方便实用。

6、标准配置可连接多种附加配件，适用于各种场合环境的需要，PU导轮设计，使门扇运行更加宁静平稳。

㈣ 电动卷帘门电机控制电路图

• 单相电动卷帘门电机控制电路图

㈤ 门电路工作原理

第五节 CMOS逻辑门电路
http://www.fjtu.com.cn/fjnu/courseware/0321/course/_source/web/lesson/char2/j6.htm 看看把

CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ，所开发出的第二种广泛应用的数字集成器件，从发展趋势来看，由于制造工艺的改进，CMOS电路的性能有可能超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 。CMOS电路的工作速度可与TTL相比较，而它的功耗和抗干扰能力则远优于TTL。此外，几乎所有的超大规模存储器件 ，以及PLD器件都采用CMOS艺制造，且费用较低。
早期生产的CMOS门电路为4000系列 ，随后发展为4000B系列。当前与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换使用。下面首先讨论CMOS反相器，然后介绍其他CMO逻辑门电路。

MOS管结构图

MOS管主要参数：

1.开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后
，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID

4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5. 低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内

6. 导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大 ，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间

8. 低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输 出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

一、CMOS反相器

由本书模拟部分已知，MOSFET有P沟道和N沟道两种，每种中又有耗尽型和增强型两类。由N沟道和P沟道两种MOSFET组成的电路称为互补MOS或CMOS电路。
下图表示CMOS反相器电路，由两只增强型MOSFET组成，其中一个为N沟道结构，另一个为P沟道结构。为了电路能正常工作，要求电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和，即
VDD＞(VTN＋|VTP|) 。

1.工作原理

首先考虑两种极限情况：当vI处于逻辑0时 ，相应的电压近似为0V；而当vI处于逻辑1时，相应的电压近似为VDD。假设在两种情况下N沟道管 TN为工作管P沟道管TP为负载管。但是，由于电路是互补对称的，这种假设可以是任意的，相反的情况亦将导致相同的结果。
下图分析了当vI=VDD时的工作情况。在TN的输出特性iD—vDS（vGSN＝VDD）(注意vDSN=vO)上 ，叠加一条负载线，它是负载管TP在 vSGP=0V时的输出特性iD－vSD。由于vSGP＜VT（VTN=|VTP|=VT），负载曲线几乎是一条与横轴重合的水平线。两条曲线的交点即工作点。显然，这时的输出电压vOL≈0V（典型值＜10mV ，而通过两管的电流接近于零。这就是说，电路的功耗很小（微瓦量级）

下图分析了另一种极限情况，此时对应于vI＝0V。此时工作管TN在vGSN＝0的情况下运用，其输出特性iD－vDS几乎与横轴重合 ，负载曲线是负载管TP在vsGP＝VDD时的输出特性iD－vDS。由图可知，工作点决定了VO＝VOH≈VDD；通过两器件的电流接近零值 。可见上述两种极限情况下的功耗都很低。

由此可知，基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元，其输出电压接近于零或+VDD，而功耗几乎为零。

2.传输特性

下图为CMOS反相器的传输特性图。图中VDD=10V，VTN=|VTP|=VT=
2V。由于 VDD＞（VTN＋|VTP|），因此，当VDD-|VTP|>vI>VTN 时,TN和TP两管同时导通。考虑到电路是互补对称的，一器件可将另一器件视为它的漏极负载。还应注意到，器件在放大区（饱和区）呈现恒流特性，两器件之一可当作高阻值的负载。因此，在过渡区域，传输特性变化比较急剧。两管在VI=VDD/2处转换状态。

3.工作速度

CMOS反相器在电容负载情况下，它的开通时间与关闭时间是相等的，这是因为电路具有互补对称的性质。下图表示当vI=0V时 ，TN截止，TP导通，由VDD通过TP向负载电容CL充电的情况。由于CMOS反相器中，两管的gm值均设计得较大，其导通电阻较小，充电回路的时间常数较小。类似地，亦可分析电容CL的放电过程。CMOS反相器的平均传输延迟时间约为10ns。

二、CMOS门电路

1.与非门电路

下图是2输入端CMOS与非门电路，其中包括两个串联的N沟道增强型MOS管和两个并联的P沟道增强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。当输入端A、B中只要有一个为低电平时，就会使与它相连的NMOS管截止，与它相连的PMOS管导通，输出为高电平；仅当A、B全为高电平时，才会使两个串联的NMOS管都导通，使两个并联的PMOS管都截止，输出为低电平。

因此，这种电路具有与非的逻辑功能，即
n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。

2.或非门电路

下图是2输入端CMOS或非门电路。其中包括两个并联的N沟道增强型MOS管和两个串联的P沟道增强型MOS管。

当输入端A、B中只要有一个为高电平时，就会使与它相连的NMOS管导通，与它相连的PMOS管截止，输出为低电平；仅当A、B全为低电平时，两个并联NMOS管都截止，两个串联的PMOS管都导通，输出为高电平。
因此，这种电路具有或非的逻辑功能，其逻辑表达式为

显然，n个输入端的或非门必须有n个NMOS管并联和n个PMOS管并联。
比较CMOS与非门和或非门可知，与非门的工作管是彼此串联的，其输出电压随管子个数的增加而增加；或非门则相反，工作管彼此并联，对输出电压不致有明显的影响。因而或非门用得较多。

3.异或门电路

上图为CMOS异或门电路。它由一级或非门和一级与或非门组成。或非门的输出。而与或非门的输出L即为输入A、B的异或

如在异或门的后面增加一级反相器就构成异或非门，由于具有的功能，因而称为同或门。异成门和同或门的逻辑符号如下图所示。

三、BiCMOS门电路

双极型CMOS或BiCMOS的特点在于，利用了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗低两方面的优势，因而这种逻辑门电路受到用户的重视
。

1.BiCMOS反相器

上图表示基本的BiCMOS反相器电路，为了清楚起见，MOSFET用符号M表示BJT用T表示。T1和T2构成推拉式输出级。而Mp、MN、M1、M2所组成的输入级与基本的CMOS反相器很相似。输入信号vI同时作用于MP和MN的栅极。当vI为高电压时MN导通而MP截止；而当vI为低电压时,情况则相反，Mp导通，MN截止。当输出端接有同类BiCMOS门电路时，输出级能提供足够大的电流为电容性负载充电。同理，已充电的电容负载也能迅速地通过T2放电。
上述电路中T1和T2的基区存储电荷亦可通过M1和M2释放，以加快
电路的开关速度。当vI为高电压时M1导通，T1基区的存储电荷迅速消散。这种作用与TTL门电路的输入级中T1类似。同理 ，当vI为低电压时，电源电压VDD通过MP以激励M2使M2导通，显然T2基区的存储电荷通过M2而消散。可见，门电路的开关速度可得到改善。

2.BiCMOS门电路

根据前述的CMOS门电路的结构和工作原理，同样可以用BiCMOS技术实现或非门和与非门。如果要实现或非逻辑关系，输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET，而P沟道MOSFET则彼此串联。正如下图所示的
2输入端或非门。

当A和B均为低电平时，则两个MOSFET MPA和MPB均导通，T1导通而MNA和MNB均截止，输出L为高电平。与此同时，M1通过MPA和MpB被VDD所激励，从而为T2的基区存储电荷提供一条释放通路。
另一方面，当两输入端A和B中之一为高电平时 ，则MpA和MpB的通路被断开，并且MNA或MNB导通，将使输出端为低电平。同时，M1A或M1B为T1的基极存储电荷提供一条释放道路。因此 ，只要有一个输入端接高电平，输出即为低电平。

四、CMOS传输门

MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称关系，因而它们常用作模拟开关。模拟开关广泛地用于取样——保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。下面着重介绍CMOS传输门。

所谓传输门（TG）就是一种传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道增强型MOSFET并联而成，如上图所示。TP和TN是结构对称的器件，它们的漏极和源极是可互换的。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的变化范围为-5V到+5V 。为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏 ，故TP的衬底接+5V电压，而TN的衬底接-5V电压 。两管的栅极由互补的信号电压（+5V和-5V）来控制，分别用C和表示。
传输门的工作情况如下：当C端接低电压-5V时TN的栅压即为-5V，vI取-5V到+5V范围内的任意值时，TN均不导通。同时,TP的栅压为+5V
，TP亦不导通。可见，当C端接低电压时，开关是断开的。
为使开关接通，可将C端接高电压+5V。此时TN的栅压为+5V ，vI在-5V到+3V的范围内，TN导通。同时TP的棚压为-5V ，vI在-3V到+5V的范围内TP将导通。
由上分析可知，当vI＜-3V时，仅有TN导通，而当vI＞+3V时，仅有TP导通当vI在-3V到+3V的范围内，TN和TP两管均导通。进一步分析
还可看到，一管导通的程度愈深，另一管的导通程度则相应地减小。换句话说，当一管的导通电阻减小，则另一管的导通电阻就增加。由于两管系并联运行，可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。这是CMOS传输出门的优点。
在正常工作时，模拟开关的导通电阻值约为数百欧，当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时，可以忽略不计。
CMOS传输门除了作为传输模拟信号的开关之外，也可作为各种逻辑电路的基本单元电路。

㈥ 门电路有几种电路.工作原理是什么

不说门电路的逻抄辑功能，门电路有三种电路：
1、常规门电路，输出依输入出0或1。
2、OC门电路，原理为：集电极开路，使用时要外接上拉电阻，可用于线与。
3、三态门电路，原理为：设有选中控制端端，没被选中的话输出高阻态，相当于未接入线路，用于总线数据传送。

㈦ 推拉式电路原理

推拉式电路原理：
如果输出级的有两个三极管，始终处于一个导通、一个截止的状态，也就是两个三级管推挽相连，这样的电路结构称为推拉式电路或图腾柱（Totem-pole）输出电路。
当输出低电平时，也就是下级负载门输入低电平时，输出端的电流将是下级门灌入T4；当输出高电平时，也就是下级负载门输入高电平时，输出端的电流将是下级门从本级电源经 T3、D1 拉出。这样一来，输出高低电平时，T3 一路和 T4 一路将交替工作，从而减低了功耗，提高了每个管的承受能力。又由于不论走哪一路，管子导通电阻都很小，使 RC 常数很小，转变速度很快。
因此，推拉式输出级既提高电路的负载能力，又提高开关速度。推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制，总是在一个三极管导通的时候另一个截止。要实现线与需要用 OC（open collector）门电路。
参考链接：推挽电路_网络
http://ke..com/link?url=WCqOwSFtTuogegTf2q-_abiJWkvbUhIaSd6NDJ59kVLPeP-H-8q

㈧ 关于电动门和电动调门的探讨

电动门 是泛指用电气控制谈郑高的门。工业上包括：电动调门、电动插板门（开关门）、电动速关门、电动阀门等。 民用方面：是指通过人的门，是电动开关的。

而电动调门，严格的说：定义为：电动门的一种，指用来在一定范围内调节管道内介质流量大小的电动门。

调门的形式很多，比如从挡板的叶片上可以分单叶片，多叶片。从口径上分：逐一口径。。。

无论是开关型的电动门 还是调节型的电动门，多数的电动门上都有丛告反馈型号，开关型的电动门的反馈含尺是开关量状态，包括开或者关状态反馈，由继电器完成。调节型的电动门反馈信号多数是模拟量或者脉冲量的，电压或者电流信号做反馈、或者是编码开关脉冲量输出。

㈨ 什么叫门电路

门电路，是指用以实现基本逻辑运算和复合逻辑运算的单元电路，常用的门电路专在逻辑功能上有与门、属或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等几种。门电路的各输入端所加的脉冲信号只有满足一定的条件时，“门”才打开，即才有脉冲信号输出。门电路几乎可以组成数字电路里面任何一种复杂的功能电路，包括类似于加法、乘法的运算电路，或者寄存器等具有存储功能的电路，以及各种自由的控制逻辑电路，都是由基本的门电路组合而成的。门电路输出端的电路结构有三种型式：有源负载推拉式(或互补式)输出、集电极(或漏极)开路输出和三态输出。

㈩ 门控制开关电路

不用电路，门框顶部安装一个干簧管，串接在220V线路上，在门顶部与干簧管对应位置安装回一块小磁铁答即可。门闭合时，磁铁靠近干簧管，使干簧管闭合，电路接通，门打开时，磁铁离开干簧管，干簧管复位，电路断开。
这种方法很好，只是干簧管控制的负载不能太大，100W以内应该没问题，功率大了，可以用两个或几个干簧管并联，或采用其它方法控制。