电路温度特性

1. 特性温度点是什么意思

特性温度点是指半导体器件的温度与电性能之间的关系中的一个关键余铅州温度点。在半导体器件的温度与电性能之间的关系曲线中，特性温度点是指曲线上的一个特定温度点，该点的电性能与器件的温度变化密切相关。

具体来说，特性温度点通常是指PN结的温度系数相等点，也称为零温度系数点（Zero Temperature Coefficient Point，ZTC）。在这个温度点上，PN结的温度系数为零，即当温度变化时，PN结的电性能不会发生变化，因此这个温度点是半导体器件的最佳工作温度。

对于不同类型的半导体器件，特性温度点的位置和意义可能有所不同。例如，对于场效应管，特性温度点通常是指漏极电流温度系数为零的温度点。在实际应用中，了解半导体器件的特性温度点激拿可以帮助设计师选择合适的工作温度，以确保器件的性能竖蔽和可靠性。

2. 电子电路：请问温度特性最好的电阻和电容是什么

你问的范围太宽，电容式指陶瓷电容吗？
陶瓷电容有I类和II类瓷介电容，I类常有的如NP0，C0G,SL0等，II类有X7R,X5R,Y5U,Y5Z等，I类电容的容量稳定性很好，基本不随温度，电压，时间等因数变化而变化，但是II类瓷介电容的容量稳定性很差，所以应用在控制、采样、谐振等对容量稳定性要求高的场合需选用NPO、SLO特性的陶瓷电容,II类瓷介电容通常用在滤波等场合！
电阻除了热敏电阻，其他普通电阻温度对阻值的影响也较小，基本在几十到几百个PPM，所以选择的时候只要关注需要的精度即可，不要考虑温度的影响，但是因电阻阻值会随使用环境和时间发生漂移，选用时应有设计裕度(一般为电路要求变化范围的一半，如电路要求可在±10%范围内变化，应选择在±5%内变化的电阻器),对取样电阻应特别注意精度要求。

3. 二极管温度特性，请大佬解惑。

温度升高时，二极氏扮管的反向知卖特性曲线之所以下移，表示是反向电流的增大，这有别于正向电流增大。从垂直坐标歼猛灶上可看作绝对值的增加，但却是反方向的增加。

4. 电流型集成电路温度传感器有哪些特性

一个最最主要的特性是输出电流与温度的对应关系。例如：AD590传感器指庆在工作温度：-55～+150℃，以绝对温度定标：1μA/K（K为绝对温度）册悉。绝对温度与摄氏温度的关系：绝对温度 = 摄氏温度 + 273.16。例如：0℃时州逗乎，AD590传感器的输出电流是 273.16μA。

5. 电路温度随什么变化而变化

电路温度随电压值变化而变化温度。
温度是由电流决定的，电流核颂老等于电压除以电阻改升，I=U除以R，樱李电压值改变，电流就会改变，温度就会变化。
电路，由金属导线和电气、电子部件组成的导电回路，称为电路。

6. 电容温度特性是什么

电容温度特性是在温度高时电容可以变高也可以咐禅变底。

电容器：

是一种能储存电荷的容器，它是由两片靠得较近的金属片，中间再隔以绝缘物质而组成的，按绝缘材料不同，可制成各种各样的电容器。

电容温度：

系数表达式为：αc=(式中：αc为电容温度系数，C为给定温度下的标称电容，dC为当温度变化dt时电容的变化值，dt为温度的变化值)。如在某温度范围内，则电容量的平均温度系数的表达式为：(式中C为电容量；Δt为温度变化值，ΔC为温度变化Δt时电容量的变化值)。电容温度系数是电容器陶瓷、微波陶瓷等材谨卖料的重要的电性能指标之一。

7. 三极管的温度特性

随着温度的升高，三极管的工作效用越高。三极管全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

(7)电路温度特性扩展阅读：

三极管的相关原理：

1、发射区向基区发射电子：电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）棚桥锋不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合：电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子：由于集消坦电链晌结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

8. 求大神帮我分析一下这张图，详细一点，晶体三极管共射放大电路的温度特性分析

晶体管（与基什么极无关）随温度上升结势垒会发生变化，势垒电压的变化又会影响外电路（电池效应），因此电流会发生变化。而且这种关联互为因果，就是说如果温度变化会使PN结电压变化，反过来电压的变化也能引起温度变化。这就是半导体制冷（半导体冰箱）的原理。
在共发射极放大电路中，温度升高会使发射结的势垒电压变小，所以同样的电压下，因为发射结的势垒发生变小了，所以Ib会就变大，引起Ic变大。
这种姿岁变化在某个范围内接近线性，超出一定范围就是非线性的了。
通常在发射极串一个电阻可以把电流的变化引起发射级电阻上的电压变化叠加在基极回路中神脊，抵消基极电压在基极上产生的电流变化。这叫做电流负反馈。
但是负反馈是以电流发变化为前提条件产生作用的，所以负反馈只能减小变化，不会使电流绝对不随温度变化。就算反馈率为100%，也只把静态电流的变化减小到无反馈时的1/β。
所以晶体管电流随温度变化是必然的，不变只是把较小迹瞎睁的变化忽略不计。

你的图上横轴标的是温度。但是没有单位，纵轴没标量纲，标的单位是米，我想应该是电流吧？

9. 电流型集成电路温度传感器有哪些特性与半导体热敏电阻，热电偶相比有哪些优点

电流型集成电路温度传感器的特点：输出线性、精度高、体积小、成本低。比半导体热敏电阻线性好，但工作范围比热电阻、热电偶要小。

电流型集成电路温度传感器：是将温敏晶体管燃运及其辅助电路集成在同一芯片的集成化温度传感器。

这种传感器最大的优点是：

• 直接给出正比于绝对温度的理想的线性输出，流过的电流数值等于绝对温度(K)的度数；

• 激励电压可以从+4V～＋30Y。即使电源在4V—30V之间变化，其电流只是在1μA以下作微小变化。

• 在一定温度下，相当于一个恒流源。因此，它源返具有不易受接触电阻、引线电阻、电压噪声的干扰。

这种传感器最大的缺点是：测温范围较小。目前约在－55～+150℃

半导体热敏电阻：是一种电阻值随温度变化而变化的半导体器件。

热电偶：是由两种不同成分的导体构成的测温元件，当两种不同成分的导体两端接合成回路，且两接合点温度不同时，就会在回路内产生与两接合点温度相关的电流。

电流型集成电路温度传感器与半导体热敏电阻相比，精度高、线性好。

电流型集成电路温度传感器与热电偶相比，允许的测量范围要小得多（热电偶可测范皮裂梁围-270~+2300℃）。

电流型集成电路温度传感器的输出线性化可以使与其配套的电子线路得到很大简化

10. 热敏电阻阻温特性是啥意思有哪些特点呢

1）热电阻：
①特点：具有较高的灵敏度和测量精度；性能稳定。
②要求：热电阻的引线及连接导线的电阻对温度测量结果有很大影响锋散禅，特别是热电阻的引线常处于被测温度的环境中，温度波动较大，其阻值温度的变化难以估计和修正。
2）热敏电阻：
①特点：电阻温度系数大，灵敏度高；结构简单，体积小，热惯性小；使用寿命长；利用半导体掺杂技术，可以测量42~100K之间的温度；不足之处是，互换性差，发散性严重。
②要求：热敏电阻作为温度测量仪表的感温元件掘颂，实际测温中是接在不平衡电桥的银尘一个臂中，工作时必定通过测量电流，一般使测量电流保持在电流与电压特性曲线的0~5mA区域，电流和电压的关系基本上符合欧姆定律。
3）热电偶：
①特点：测温范围较宽，一般为-50~1600°C，最高的可达到3000°C，并有较高的测量精度，另外，它具有结构简单，制造方便，热惯性小，输出信号便于远传等优点。
②要求：因为使用热电偶测温时，冷端温度必须恒定，所以，测量电路必须对热电偶的冷端进行温度补偿。