⑴ 单管放大电路如图所示,已知三级管B=60.rbb=100欧姆,Vbeq=0.7V等等 1、求静态工作断背Ibq、Icq Vceq
1.Ibq=(Ucc-Ubeq)/Rb=(12V-0.7V)/300kΩ=0.0377mA
Icq=βIbq=60x0.0377mA=2.26mA
Uceq=Ucc-RcIcq=12V-3kΩx2.26mA=5.2V
2.微变等效电路
3.输入电阻Ri≈rbe=rbb+UT/Ibq=100Ω+26mV/0.0377mA=100Ω+690Ω=790Ω
输出电阻Ro=Rc=3kΩ
电压放大倍数Au=-βRc//RL/rbe=-60x3//3/0.79=-60x1.5/0.79=-114
⑵ 求解电工这道题
1) Uce = Vcc - Rc*Ic;求得 Ic,那么 Ib 可得;
2)Ib*(Rp+Rb) + Ube = Vcc; Ube = 0.7V;
那么,Rp 可求得;
好了自己去计算吧;
⑶ 图示为单管电压放大电路,已知:晶体管β=50, UCC=12V, U
1)先求Ib,
Ib=Ic/β=2/50=0.04mA
然后求Rb,
由于UBE忽略不计,则Rb=Ucc/Ib=12/0.04=300KΩ(为了方便计,电流单位用mA,电阻取KΩ)
2)Uc=Ucc-UCE=12-6=6V
Rc=Uc/Ic=6/2=3KΩ(为了方便计,电流单位用mA,电阻取KΩ)
⑷ 如图所示的放大电路,β=50,试画出直流通路并估算静态工作点
Vb=0.7V(硅管)
Vce=Vcc-Ic*Re
Ic=(Vcc-Vb)/Rb
直流通路就是把电容和电容之后的东西都去掉之后剩下的部分。
就剩下三极管,Rb,Re,Vcc和地了。
⑸ 单管晶体管放大电路如图所示,已知Ucc=12V,RC=RL=3KΩ,RB=240Ω,晶体管的β=40 求rbe 求输入和输出电阻
这个是教材必讲解的典型电路,有公式可套用,现在不过是要你代入具体参数进行计算而已,去看书吧
⑹ 单管共发射极放大电路如图所示,已知其静态电流ICQ=1.5mA,静态电压UCEQ=6V,三极管为NPN型硅管,β=60
Rc=(Ucc-Uce)/Icq=6/1.5=4K
Ibq=Icq/β=1.5/60=0.025mA
Rb=(Ucc-0.7)//Ibq=11.3/0.025=452K
⑺ 如图所示单管共射放大电路中,Vcc=12V,Rc=3kΩ,Rb=280kΩ,Rl=3kΩ,NPN型硅三极管的β等于50。
你好:
根据题中信息可得:
IB=(Vcc-UBEq)/Rb=11.3V/280kΩ≈0.04mA,IC=50*IB=2mA,所以UCEQ=Vcc-IC*RC=12V-2*3=6V>饱和电压,所以管子工作在放大区。
因你没说明rbb或者rbe大小,根据《模拟电子技术基础》中约定为300Ω,则rbe=300+51*(23/2)=0.963KΩ,则Au=-51*(Rc||RL)/rbe=-79倍,输入电阻Ri=Rb||rbe≈0.963KΩ,输出电阻Ro=RC||RL=1.5KΩ;
微变电路不好画,参考《模拟电子技术基础(第四版)》中有很多这种微变电路。
希望我的回答能帮助到你。
⑻ 放大电路如下图所示,已知三极管的电流放大倍数β=50
忒简单了:Ib=(12-0.7)/(Rb+(1+β)(Re1+Re2))=28μA,Ic=βIb=1.4mA,Ie=(1+β)Ib=1.43mA,则UceQ=V-Ic×回Rc-Ie×(Re1+Re2)=6.34V(整个计算过程答中约等于,)。。电路图就自己画吧,我手机呢
⑼ 电子管如何实现放大
在真空状态下,灯丝的热辐射会逐渐加热了阴极的金属片,阴极金属片温度达到一定程度后(版摄氏800度左右)。权虽然当电子管的灯丝加上电,灯丝的温度会提高。金属片上的电子会游离在阴极周围,形成带电荷的电子云。
根据异性相吸原理,游离在阴极周围电子云中的负电子会穿过栅极,飞奔向阳极形成一个电子束,因为阴极和阳极之间加上一个高电压时,此时栅极就像一个电子开关。这就是电子管放大器放大信号的原理。
(9)单管放大电路如图所示扩展阅读:
功放的比较
特点与结构
晶体管放大器是在低电压大电流下工作,功放级的工作电压在几十伏之内,而电流达几安或数十安。电路设计上多采用直耦式(OCL、BTL等)无输出变压器电路,输出功率可以做得很大,可达数百瓦,各项电性能都做得很高。
电子管放大器是在高电压、低电流状态下工作。末极功放管的屏极电压可达到400-500V甚至上千伏,而流过电子管的电流仅几十毫安至几百毫安。输入动态范围大,转换速率快。
电子管放大器大多是采用分立元件、手工搭线、焊接,效率低,成本高。而晶体放大器多是采用晶体管和集成电路相结合方式,广泛使用印刷电路板,效率高,焊接质量稳定,电性能指标高。