锗管电路图

⑴ 二极管降压原理和电路图

二极管是一个PN结，电流可以从P流向N ，反之不导通，P和N之间的电压是0.7V左右，这就是二极管的压降，在电路里串连一个二极管就降低0.7V的电压，前提是电流方向是从P到N。

(1)锗管电路图扩展阅读：

二极管降压特性：

正向性

外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管正向导通，电流随电压增大而迅速上升。

在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压。当二极管两端的正向电压超过一定数值 ，内电场很快被削弱，特性电流迅速增长，二极管正向导通。

叫做门坎电压或阈值电压，硅管约为0.5V，锗管约为0.1V。硅二极管的正向导通压降约为0.6~0.8V，锗二极管的正向导通压降约为0.2~0.3V。

反向性

外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小，二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。

一般硅管的反向电流比锗管小得多，小功率硅管的反向饱和电流在nA数量级，小功率锗管在μA数量级。温度升高时，半导体受热激发，少数载流子数目增加，反向饱和电流也随之增加。

击穿

外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。

电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。

二极管是一种具有单向导电的二端器件，有电子二极管和晶体二极管之分，电子二极管因为灯丝的热损耗，效率比晶体二极管低，所以现已很少见到，比较常见和常用的多是晶体二极管。二极管的单向导电特性，几乎在所有的电子电路中，都要用到半导体二极管。

⑵ 有高人能给（绘）出这个简单锗管小功放的电路图吗

网上有最简单的电路图。

锗管就是pnp管，找pnp单管电路图。

⑶ 二极管、三极管的工作原理及基本电路图

二极管和三极管都是由PN结构成，二极管是一个PN结，三极管是两个PN结。
二极管根据材料的版不同有锗权管和硅管，导通电压分别为0.3V和0.7V，通常用来整流。
三极管有基极B、集电极C、射极E三个脚，有NPN型和PNP型，根据三个引脚的电压不同，在电路中的作用不同，通常用于放大或者开关。