电路图JA

1. 请问氩焊机的原理是怎么样的,电路图是怎么样的

氩弧焊机工作原理 一， 什么是氩弧焊 氩弧焊即钨极惰性气体保护弧焊,指用工业钨或活性钨作不熔化电极,惰性气体(氩气)作保护的焊接方法,简称TIG. 二,氩弧焊的起弧方式 氩弧焊的起弧采用高压击穿的起弧方式,先在电极针(钨针)与工件间加以高频高压,击穿氩气,使之导电,然后供给持续的电流,保证电弧稳定. 三,氩弧焊的一般要求对气体的控制要求:要求气体先来后走,氩气是较易被击穿的惰性气体,先在工件与电极针间充满氩气,有利于起弧;焊接完成后,保持送气,有助于防止工件迅速冷却防止氧化,保证了良好的焊接效果. 电流的手开关控制要求:要求按下手开关时,电流较气延迟,手开关断开(焊接结束后),根据要求延时供气电流先断. 高压的产生与控制要求:氩弧焊机采用高压起弧的方式,则要求起弧时有高压,起弧后高压消失. 干扰的防护要求:氩弧焊的起弧高压中伴有高频,其对整机电路产生严重的干扰,要求电路有很好的防干扰能力. 四,氩弧焊机与手弧焊机的工作电路的差别氩焊机与手弧焊机在主回路,辅助电源,驱动电路,保护电路等方面都是相似的.但它在后者的基础上增加了几项控制:1,手开关控制;2,高频高压控制;3,增压起弧控制.另外在输出回路上,氩弧焊机采用负极输出方式,输出负极接电极针,而正极接工件. 五,氩弧焊机的工作原理氩弧焊机在主回路,辅助电源,驱动电路,保护电路等方面的工作原理是与手弧焊机是相同的.在此不再多叙述,而著重介绍氩弧焊机所特有的控制功能及起弧电路功能. 氩弧焊机要求氩气先来后走,而电流则后来先走(相对气而言),这此都是通过手开关控制实现的. 当焊机主开关合上后,辅助电源工作,给控制电路提供了24V的直流电.手开关未合上时,24V直流电通过电阻R5使Q2导通, CW3525芯片的8脚经过T形滤波器(L5,C5组成,抗干扰用)对地短路,此时,CW3525处于封波状态,电路无输出;手开关合上时,24V直流电通过电阻R4, R8使Q1导通,Q2基极被拉低而关断,24V直流电通过电阻R6, R7使Q3导通继电器J3A吸合,使控制气体供给的电磁阀工作,给焊接供气.而8脚电位由于缓起动电阻,电容的作用缓慢增长,经过一定时间,CW3525开始工作,电路开始输出功率.这样,电流就较气延时供给延时时间由缓起动动阻,容值决定). 电磁阀为气体供给控制器件,当继电器J3A合上,电磁阀中的电感线圈获得电流,产生磁能,把铁块吸离气管管口,气体通过电磁阀供给焊接. 手开关控制电路中,电感线圈L1~L4及C1,C2起到防止干扰而使手开关误导通的作用. 手开关合上时,由于Q3导通继电器J3A吸合,电磁阀打开供气.辅助电源向电容C17充电.而由于热敏电阻RT4,RT5的限流,使得手开关不到于因电流过大而损坏; 2,焊接结束,手开关断开后,Q2导通,CW3525 的8脚电位被拉低,电路停止输出,而C17上仍充有电能,它通过R6,R7放电供给Q3导通,保持电磁阀导通延时供气.实现了焊接对电流,气体的控制要求. 高频,高压电流的产生与控制 产生:氩弧焊机的起弧需要高压,为了能在手弧焊机的基础上产生高压并送到输出回路电路. 工作原理: 升压变压器;图中变压器为24:70,将307电压升高约3倍. 采用4倍压整流电路;如图(C11~C14,D11~D14)来产生高压:?当升压变压器(T1)初级流过一正脉冲电流时(电压值为U),N2产生一上正下负(正向)的感应电动势,并给电容C14充电,使电容C14的端电压也为U,;且由于线圈续流和D14的作用,在主变中无电流流过时,C14也不能放电;?升压变压器流过一等值的负脉冲电流时,在N2上产生一上负下正的感应电动势(值为U),给C11充电,使得C11上的压降VC11=VC14+U感应 =2V,方向如图;?升压变压器T1再流过一正脉冲电流时,N2上又产生上正下负的感应电动势,这时,电容C13充电,端电压VC13=VC11+U感应-VC14=2V,方向如图;?升压变压器的电流方向再次改变,使得N2上的感应电动势方向为上负下正,这时,电容C12得到电能,且VC12=VC13+VC14-VC11=2V,方向如图,这样,在A,B间便形成了4U的压降. 高频振荡发生器:(由L3(N3),C5,放电嘴组成) ?A,B两点的压降达到4V(V为逆变器输出电压,约1KV),给电容C15充电; ?放电嘴因高压击穿放电,此时,相当于短路L3,C15; ?L3,C15产生高频振荡,f=L/2π√LC ?由于输出能量的不断补充,使得每隔一定时间,L3,C15便产生高频振荡电流,并通过T4次级输出到输出.由于T4上要通过高频高压的电流,其技术参数要求严格,它的质量是起弧难易,焊接效果的决定性因素. 输出回路中有高频高压电流后,保证了起弧,可如果防护不当,高频高压电流便会反向击穿二次整流中的整流管,甚至损坏主变T1初级线圈所联接的电路,而且,高频高压只是在起弧时使用,起弧后,便不再需要,所以,需适时断开高频高压发生器。 ?防干扰控制:在输出端的正负极间接有压敏电阻与电容,其对于高频高压电流来说明相当于短路同时,正负端都接有抗高频的电感线圈,这样,就控制了高频高压电流反窜到二次整流的电路中,只在输出端形成回路.同时,接在正极与机壳间的电阻(压敏)和电容也能有效地防止高频电流及其它干扰. ?高频高压电流的产生与关断控制:高频高压电流的产生与关断都由继电器J控制,手开关全上时,把S2合上,这时,电路工作,输出约56伏的直流电压,它使继电器动作,吸合JA,使高频高压电路工作,产生高频高压电流输出,引起电弧,电弧一引起,输出回路便出现大电流,流经电抗器(电感线圈);由于电感的续流作用,能使电抗器正端电压降到很低的电位(甚至为负值),这时,继电器被可靠地断开,高频高压发生器停止工作,完成了对高频高压电流的控制. 增压起弧控制 为了保护轻易起弧,提供焊接质量,氩弧焊机还在输出端增设了一个增压起弧的装置,其利用高频高压发生器的变压器的另一组次边作为增压变压器,使得高频高压发生器工作时,也同时抬高了输出端的电压,保证起弧,起弧后,增压装置也随著高频高压电流发生器一起被断开.
氩弧焊机电路图:
http://www.weldinfo.com.cn/set/html/set_2025.htm

2. 恳望师傅们提供一份美的MC-PD18JA电磁炉电路图或使用MC9808Y4CP和PJ339CD集成块的电磁炉电路图。谢谢！

美的PD16型的也是用这个集成，我发一份给你，本人QQ1019796531

3. 请问谁懂汽车，防盗的电路原理，要精通哦，懂的可以私信我哦

汽车中控锁一般由一个电源控制盒和四个或五个直线电机锁组成，其中一个为主锁，其余为分锁 (举个图例）电路主要JA、BG1和JB、BG2及外围阻容元件组成的两个延时继电器构成。假设中控锁起始静止状态为开销状态，换向开关K与 a点接通，BGl无偏置而截止，Cl无充电，JA也不吸合。BG2因e极开路也截止，电源通过R5、R6向C2充电至接近+12V

4. 请高手给我个高保真音频放大器设计的电路图，还有资料，详情看补充

LM4702高保真音频放大器的设计原理
1.静音功能

LM4702的静音功能由流入静音引脚的电流流量来控制。如果流入静音引脚的电流小于1mA，芯片处于静音状态。这可以通过短路到地或悬空静音引脚来实现。如果流入静音引脚的电流在1～2mA，芯片将处于播放模式。这可以通过电阻(Rm)将电源连接到静音引脚(Vmute)来实现。流入静音引脚的电流可以由公式

Imute=(Vmute-2.9)/Rm 来计算。例如，如果5V的电源通过1.4kΩ的电阻连接到静音引脚上，那么静音电流将为.5mA，在指定范围中。同样可以使用Vcc为静音脚供电，此时Rm需要相应地重新计算。目前不推荐使用流入静音引脚的电流大于2mA，因为这样LM4702可能会受到损坏。

强烈推荐在静音与播放模式之间迅速转换这个功能，它可通过拨动开关实现，拨动开关一边连接到静音引脚，另一边通过电阻连接到地或电源上。缓慢增加静音电流可能会导致直流电压产生在LM4702的输出上，致使喇叭损坏。

2.热保护

LM4702有完整的热保护系统来防止系统长时间工作所带来的热压。当芯片内部的温度超过150℃的时候，LM4702自动关闭，当芯片内部的温度降低到145℃时又开始工作，如果温度继续升高到150℃，芯片又继续关闭。因此，如果发生短暂故障，芯片允许发热到一定的高温，但如果是持续的故障，就有可能导致它工作在一个145℃ ～150℃的热开合工况下。这样一来，通过循环极大地减轻了芯片的热压力，从而大大改善了持续故障情况下的可靠性。因为晶圆温度与散热器的温度直接相关，所以散热器必须经过选择，以保证在正常状态下过热开关不会触发。如使用成本和空间所允许的最好散热器，则可以保证任何半导体设备长时间稳定地工作。

3.功耗和散热

在播放模式时，它的工作电流是常量，与输入信号幅度无关。因此，功耗对于给定的电压是一定的，可以用公式PDMAX=Icc×(Vcc-Vee)来表示。对PDMAX的一个快速计算方法是：在电流约为25mA的时候，用整个电压与它相乘即可(电流在工作范围内会有微小的变化)。

对高功率放大器的散热器进行选择完全是为了将晶圆的温度保持在一定的水平上，以保证在一定的水平上热保护系统不被触发。晶圆与外界空气间的热阻θJA(Junction to Ambient)与环境相关，它由3个热阻组成，分别为θJC(晶圆到封装外壳)、θCS(封装外壳到散热片)、θSA(散热片到环境)。θJC在LM4702中为0.8℃/W。使用耐热合金后，θCS大约为0.2 ℃/W。因为热流(功耗)类似于电流流动，所以热阻就像电阻，温度的降低就像电压下降。LM4702的功耗也可表示为

PDMAX=(TJMAx-TAMB)/θJA

当TJMAx=150℃时，TAMB是系统的环境温度，且θJA=θJC +θCS+ θSA散热片的最大热阻θSA为

θSA=[(TJMAX-TAMB)-PDMA×(θJC+θCS)]/PDMAX

再次说明，θSA的数值与系统设计师对放大器的要求有关。如果放大器的环境温度高于25℃，那么在其他条件不变的情况下散热器的热阻需要更小一些。

4.外部器件的恰当选择

为了满足应用的设计要求，应对外部器件进行恰当的选择。下面就来谈谈外围器件数值的选择将影响增益和低频响应。每个非反向放大器的增益都是由电阻Rf和Ri决定的，如图2所示。放大器的增益可表示为

Av=1+Rf/Ri

为了获得最好的信噪比表现，可以使用更低的电阻值。Ri通常采用1kΩ，然后再根据设计的放大倍数来确定Rf的值。对于LM4702，放大倍数必须不小于26dB，如果小于26dB将是不稳定的。Ri与Ci串联(如图2所示)构成了一个高通滤波器，低频响应就由这两个元件来决定。这个-3dB的频率点可以由下式来得到

fi=1/(2πRiCi)

如果一个输入耦合电容被用来阻断来自输入的直流，那里将会产生一个高通滤波器(CIN与RIN的结合)。当使用输入耦合电容时，必须用RIN来设置放大器输入端的直流偏置点。CIN与RIN结合后产生的-3dB频率响应可以由下式来表示

fIN=1/(2πRINCIN)

当输入端悬空时，在输出端有可能会观测到RIN值的大幅变化。减小RIN的值或输入平稳就可以使这种变动消失。在RIN减小的时候，CIN应该相应加大以保证-3dB的频率响应不变。

5.用作双极性输出时避免热失控

当对LM4702使用双极性晶体管作输出级的时候(如图2所示)，设计者必须注意热失控的问题。热失控是由于对Vbe(晶体管的固有性质)的温度依赖所造成的。当温度上升时，Vbe下降。实际上，电流流过双极性晶体管的时候加热了晶体管，但又降低了Vbe，这又反过来增加了电流强度，并且开始循环这个过程。如果系统没有恰当的设计，这种正反馈机制将会毁坏输出级的双极性晶体管。第一种推荐方法是在双极性输出晶体管上使用散热器来避免热失控，这将使晶体管的温度降低。

第二种推荐方法是使用发射极负反馈电阻(Emitter DegenerationResistor，图2中的Re1、Re2、Re3、Re4)。当电流增加的时候，发射极负反馈电阻的电压也在增加，这样便可减小基极与发射极之间的电压。这种机制可以帮助限制电流，并中和热失控。

第三种推荐的方法是使用一种“Vbe乘法器”来钳位双极性输出级，如图2所示。这种Vbe乘法器包括了一个双极性晶体管(Qmult,如图2所示)和两个电阻，一个从基极到集电极(图2中的Rb2和Rb4)，另一个从基极到发射极(图2中的Rb1和Rb3)。从集电极到发射极的电压(同时也是输出级的偏置电压)Vbias=Vbe(1+Rb2/Rb1)，这也就是为什么这个循环叫做Vbe乘法器的原因。当Vbe乘法器晶体管Qmult像双极性输出晶体管一样连接散热器时，它的温度将与输出晶体管的温度同步。它的Vbe也与温度有关，所以当输出晶体管使它变热时，它将吸收更多的电流。这将限制基极进入输出晶体管的电流，从而中和热失控。

表1为LM4702 C工作电压在±75V 和±50V时的电气特性。表2为LM4702A、B工作电压在±100V时的电气特性。

表1 LM4702C的电气特性

(Imute=1.5mA，除非特别说明，否则TA=25℃)

5. 甲类功放怎么区分

甲类功放是重播音乐的理想选择，它能提供非常平滑的音质，音色圆润温暖内，高音透明开扬。容

甲类功放声音上有饱满通透的优点，晶体管功率放大器是由三极管组成的，而三极管是由多组配对（N结及P结），这两个结构成的，当没有外加电压时是截止，只有在上面外加一个偏置电压并且

甲类功放是把正向偏置定在最大输出功率的一半处，使功放在没有信号输入时也处于满负载工作状态，使得功放在整个信号周期内都导通都有电流输出。

(5)电路图JA扩展阅读：

注意事项：

1、由于一直因为耗电多，效率低，容易发热和对散热要求高而未能在大功率的放大器中得到广泛使用。由于器件长期工作于大电流高温下，容易引起可靠和寿命方面的问题。

2、而且整机成本高，所以制造甲类功率放大器出名的厂家，现在已大多停止生产晶体管甲类功率放大器。

3、任何设计下的甲类功放电路中，电流负反馈都能完美兼容非线性失真和瞬间互调失真，有着理想的放大效果。

6. 这是个可控硅，请高手帮我讲解这电路图的工作原理，这图所表达的意思是什么

MTC-110-16 是可控硅（晶闸管）模块，内部有两个相同的可控硅。

A 是阳极， K 是阴极， G 是控制极。版

从电路图可知：

1号可控硅的权阳极 A1 与2号可控硅的阴极 K2 在内部是连接在一起的，并且与器件外部的两个端子 ① 、K2相连 。

注意：①、②、③、是连接大电流的主端子。

可控硅_网络 http://ke..com/link?url=AP_uw9JA26ffnC2m4w6vg8InnBD-_YzjZ3MRquMn0yDk403-_

7. 振荡器的电路图

如图所示为考毕兹振荡抄器电路。它带一个基频率晶体，其频率为1499kHz，晶体SJT并接在电容C2、C3两端。射极分压电阻R2、R3提供基本的反馈信号，反馈受电容分压器C2、C3的控制。晶体SJT起振工作后输入给三极管VT基极l499kHz正弦波信号，由射极输出器VT输出，经耦合电容C4送入电位器RP输出。电阻R1把18V电压降压供给VT一个合适的偏置电压，适当调节电阻R1可使考毕兹振荡器工作在软激励状态。电阻R4、电容C5为专耦电路。调节电容C1，可将振荡器精密的微调在工作频率上。调节电位器RP，可改变振荡信号输出电平的大小。

元器件选择：电容Cl为5～20p，C2为51p，C3、C6为100p，C4为15p，C5为100μ／32V。电阻Rl为62kΩ，R2为300Ω，R3为2．4kΩ，R4为360Ω，1／2W，R5为15kΩ。电位器RP选4．7kΩ。三极管VT为3DGl20C，65≤β≤115。稳压二极管VD用2CW58。晶体SJT选用JA5B型-1499Hz。