igbt驱动电路原理

① IGBT模块的工作原理

IGBT工作原理：

IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

——IGBT栅极与发射极之间的电压；

——IGBT集电极与发射极之间的电压；

——流过IGBT集电极－发射极的电流；

——IGBT的结温。

如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压，流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。

② IGBT具体怎么工作

IGBT模块控制电路工作原理
1、PCB1板（主控制板）对IGBT逆变模块的控制信号
由脉宽调制电路（PCM+PFM）输出两路脉冲方波，周期为50微秒，脉宽可调，时序相差180度。若用万用表DVC档测量，可测得一直流电压值。
2、PCB2板（驱动板）对IGBT逆变模块的驱动信号
驱动电路产生四路（全桥）相互隔离的驱动信号，周期、脉宽、时序受PCB1控制，分别驱动四IGBT单元的导通和截止。用万用表DCV档测量，先测到一个负电位，延时后，再测到一个大于此负电位的电压值。注意：不能用双通道示波器同时测量两路驱动信号。
3、IGBT模块逆变电路
IGBT模块与主变压器构成的逆变电路是由滤波后的直流电，经控制信号使IGBT模块内部的大功率的场效应管交替导通工作，逆变输出为交流电（20KHZ），主变压器降压后，在次边输出一个高频电压（70V）的交流电，再经过后续整流电路变为70V左右的直流电。此电路如果有故障，请重点检查IGBT性能及是否击穿损坏，以及PCB3板铜箔线有没有腐蚀、烧断。
希望你能看懂并采纳。

③ igbt的工作原理

由图1看出IGBT包含P+/N-/P/N+四层结构，可以认为IGBT是由一个MOSFET和一个PNP三极管组成，由栅极控制的MOSFET来驱动PNP晶体管；也可以把它看成是由一个VDMOS和一个PN二极管组成。。以图1为例分析IGBT的工作模式。在图1所示的结构中，栅极G与发射极E短接且接正电压、集电极接负压时，器件处于反向截止状态。此时J1、J3结反偏、J2结正偏，J1、J3反偏结阻止电流的流通，反向电压主要由J1承担。当栅极G与发射极E短接，集电极C相对于栅极加正电压时，J1、J3结正偏、J2结反偏，电流仍然不能导通，电压主要由反偏结J2承担，此时IGBT处于正向截止。PT型IGBT由于缓冲层的存在通过牺牲反向阻断特性来获得较好的正向阻断特性，而NPT型IGBT则拥有较好的正反向阻断特性。当集电极C加正电压，栅极G与发射极E施加电压大于阈值电压时，IGBT的MOS沟道开启，器件进入正向导通状态。

④ IGBT的驱动电路，是如何工作的各部分电阻R12，R11和Q1，Q2，Q3是干什么的

IGBT驱动电路一般要对输入信号进行放大和隔离。
当PWM波为正电压时，Q1 Q3导通，而Q2不导通，经过Q1 Q3构成的放大电路将信号放大后，再通过光耦隔离，就得到了IGBT的驱动信号。
同理当PWM波为负（或0）电压时Q1不导通，Q2 Q3构成了放大电路，经过光耦隔离，就得到了IGBT关断信号。
R11起耦合作用，R12限流电阻。
纯手打，望采纳！！

⑤ IGBT驱动电路，谁能指点下迷津，这个原理图理解总觉得很矛盾，有人可以指点下吗在线等哦~~~

Rg：是IGBT驱动电阻；
VD3、R3、ZD1、C3组成稳压电路给恒流源供电，其中VD3负责整流和隔离；
VQ1、VQ2、VQ3、VQ4、R12、R11是个恒流源与VD1、CM配合实现控制IGBT开通dv/dt，原理是当IGBT开通过快导致IGBT的C极电压下降过快时（也就是dv/dt过高），这时电容CM的充电电流也加大，充电电流有部份来自IGBT的驱动电流（通过g点对驱动电流分流），这样就可以降低IGBT的开通速度，由此降低开通dv/dt；
VQ5、VQ6、VQ7、VQ8、R21、R22也是个恒流源与VD2、CM配合实现控制IGBT关断dv/dt，原理和上述一样，不过这是个反过程，当IGBT关断过快时它是注入电流至IGBT门极，降低IGBT关断速度。

这是我个人理解，只做参考！

⑥ IGBT的工作原理

由图1看出IGBT包含P+/N-/P/N+四层结构，可以认为IGBT是由一个MOSFET和一个PNP三极管组成，由栅极控制的MOSFET来驱动PNP晶体管；也可以把它看成是由一个VDMOS和一个PN二极管组成。。以图1为例分析IGBT的工作模式。在图1所示的结构中，栅极G与发射极E短接且接正电压、集电极接负压时，器件处于反向截止状态。此时J1、J3结反偏、J2结正偏，J1、J3反偏结阻止电流的流通，反向电压主要由J1承担。当栅极G与发射极E短接，集电极C相对于栅极加正电压时，J1、J3结正偏、J2结反偏，电流仍然不能导通，电压主要由反偏结J2承担，此时IGBT处于正向截止。PT型IGBT由于缓冲层的存在通过牺牲反向阻断特性来获得较好的正向阻断特性，而NPT型IGBT则拥有较好的正反向阻断特性。当集电极C加正电压，栅极G与发射极E施加电压大于阈值电压时，IGBT的MOS沟道开启，器件进入正向导通状态。

⑦ IGBT工作原理

IGBT工作原理：

IGBT的等效电路如图1所示。由图1可知,若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。

由此可知,IGBT的安全可靠与否主要由以下因素决定：

——IGBT栅极与发射极之间的电压；

——IGBT集电极与发射极之间的电压；

——流过IGBT集电极－发射极的电流；

——IGBT的结温。

如果IGBT栅极与发射极之间的电压,即驱动电压过低，则IGBT不能稳定正常地工作，如果过高超过栅极－发射极之间的耐压则IGBT可能永久性损坏；同样，如果加在IGBT集电极与发射极允许的电压超过集电极－发射极之间的耐压，流过IGBT集电极－发射极的电流超过集电极－发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过其结温的允许值，IGBT都可能会永久性损坏。

⑧ IGBT管在逆变器驱动板上的作用和工作原理有哪些

作用：
IGBT在逆变来器中的源基本作用是做为高速无触点电子开关。

工作原理：
利用IGBT的开关原理，利用控制电路给予适当的开通、关断信号，IGBT就能根据你的控制信号将直流电变换成交流电，直流电转换成交流电后电压会降低，例如火车供电系统的600V直流就是将380V交流整流而成，IGBT逆变器驱动板的作用就是将这个过程的再还原。同时可以通过控制信号的脉宽调节来控制电流的大小，也可以控制交流频率，从而控制电机的转速。

⑨ 谁明白这个互补推挽式IGBT驱动电路原理。

IGBT没有P沟道，准互补做不出来，要做指能做准互补，我看了IGBT的伏安特性，IGBT管有放大区，说明可以做功放，但由于没有P沟道配对，只能做变压器推挽电路，或是甲类电路