大中电路

Ⅰ 前级放大电路与功率输出级电路的区别是什么

前级放大电，主要是信号进行放大和匹配，给功率输出级合适大小的激励信号，这一级信号幅度一般500mvrms左右。 功率输出级电路,则是将前置级的信号进一步放大到足够推动扬声器，这一级信号幅度根据功率不同，通常10-20Vrms左右。

Ⅱ 放大电路中输入电阻大小在实际电路中有什么作用。能否举例说明一下。输出电阻呢

放大电路输入电阻的大小主要是考虑与信号源的匹配：
1、若要从信专号源取得尽可能大的属功率，就要求放大电路的输入电阻等于信号源的内阻（这一道理在中学物理中已讲过，在大学电路中有证明）；
2、若要从信号源取得尽可能大的电压，就要求放大电路的输入电阻比信号源内阻大得多。

从以上两种情况看，放大电路的输入电阻比信号源内阻小都是不好的，所以在书上就有很多提高放大电路输入电阻的方法。

但是还有一个问题就是在设计负反馈的时候，并联负反馈要求信号源内阻比放大电路的输入电阻大，反馈效果强些，而串联负反馈要求信号源内阻比放大电路的输入电阻小，反馈效果强些。

我对电路输入电阻的理解就是以上这些。

关于电路的输出电阻：
输出电阻主要是考虑与负载电阻的匹配。
若要有最大输出功率，要求输出电阻等于负载电阻；若要有最大输出电压，输出电阻尽可能小。所以在说输出级时，有“带负载能力强”，就是输出电阻小。

另外，对于多级放大器，前级的输出电阻对后级来说就相当于信号源内阻，也影响负反馈。

Ⅲ 5、在大功率电路中,可控硅直接串联有何问题,一般采用什么方法解决

在大功率电路中，可控硅直接串联有误差的问题，一般采用并联的方法解决。

用在交流电路中，常用的为有可控整流，交流调压等等。至于连接方式，可控硅一般都是串联在电路中的，利用它的单向和可控性能进行触发导通控制来改变导通角度，可控硅有单向和双向，双向可控硅相当于正向和反向并联着的两个可控硅，因为每个半周都需单独触发才能导通的。

可关断可控硅

也属于PNPN四层三端器件，其结构及等效电路和普通可控硅相同，大功率GTO大都制成模块形式。

尽管GTO与SCR的触发导通原理相同，但二者的关断原理及关断方式截然不同。这是由于普通可控硅在导通之后即外于深度饱和状态，而GTO在导通后只能达到临界饱和，所以GTO门极上加负向触发信号即可关断。GTO的一个重要参数就是关断增益，βoff，它等于阳极最大可关断电流IATM与门极最大负向电流IGM之比。

Ⅳ 中国矿大考研电路难吗

？中国矿大考研电路总的来说考研不是很难。但是考研肯定是有一定难度的。矿大有两个校区，徐州小区和北京校区，但是北京和徐州是合起来排名的，考研的话肯定是北京竞争激烈一些，因为北京就业单位比较多。首先笔试肯定要过关，然后笔试成绩出来了，一定尽快选导师，和导师联系。另外就是英语很重要，口语听力在面试的时候很加分的。中国矿大电路考研参考书有哪些呢？管致中《信号与线性系统》高等教育出版社。邱关源《电路》高等教育出版社（第五版）。中国矿大考研电路科目：思想政治理论、英语一、数学一、电路。复试科目：信号与线性系统。中国矿大考研电路就业怎么样？首先要说的是矿大毕业的就业面不是局限在煤矿企业，也是根据专业的，比如信电的，可以去通信企业，电力企业等等。而且现在电产业和发电产业公司大批招人，电力电子专业的毕业生很多都从事相关工作且工资待遇都不错，很多公司就奔着矿大电力电子专业来的。以后信息时代的发展，肯定离不开电路的。世界也正在数字化，网络化，特别是近几年来，从物联网的建立发展看出，网络和实际的操作的结合点就是电力电子，机电等。随着世界性分工的精细化，专业学科就是很热门的专业和就业前景，当然他的任务是很重，学精一定要精华。现在太阳能发电发展很快，无论国内还是国外在材料这方面已经尽了最大的努力了。如果利用利用光学仪器凸透镜类，或把光聚集到一起，这以后的发展都是非常大的。

Ⅳ 家庭电路过大的原因

电是和我们生活、学习息息相关的，可以说人人离不开电。居家之中，冰箱等家用电器，一般是一天24小时开启的，还有一些其他的电器，也需要经常使用。在很多电器同时用的情况下，可能会出现一些状况，比如电流过大。家庭电路中电流过大的原因有哪些呢？主要有两个方面的原因，即用电的总功率过大，再就是发生短路了。
我们在初中的时候都学过物理，知道电功率公式 P=UI，而I=P/U，如果电路之中的电压固定不变的时候，p越大的话，那么I就会越大。一般家庭当中使用的电路都是采用并联的形式，所以可以总结出用电器的总功率过大是家庭电路中电流过大的原因的一个原因。

家用电器的耗电量越大，当多个电器同时开启的时候，耗电量自然会比较大，总功率也就大，因此导致电流会过大。为减少这种情况出现，建议大家在选用家用电器的时候，还需要注意看电功率即能效标识情况，尽量选择耗电量低的产品。空调可以说是耗电大王，居家用的空调1~1.5匹就可以了，通常连续用8个小时，好点点，根据能耗级别不同，那么具体度数也不一样。一级能效大约1度电，二级能耗为2度电，而四级能耗的则为5度电左右。液晶电视使用比较多，耗电量主要和功率小大，还有尺寸大小有关系，居家面积不大的话，没必要选择那么大尺寸的。
另外一个家庭电路中电流过大的原因就是短路发生了。很多人家在买了新房或是二手房之后，都要对水电路进行改造，而在改造的时候，不小心接错线了，或是电线外面的绝缘皮因为时间长出现老坏了，或是被什么东西损坏了，从而造成了火线和零线直接连通，那么短路就出现了，此时电流会很大。

Ⅵ 放大电路中的小电流和大电流是什么

小电流大电流都是相比较而言。例如，基极是小电流，集电极射极是大电流。电压极是小电流，功率级是大电流。

Ⅶ 在大型电路图纸中，有一部分东西不了解，请各位师傅赐教

x6 To MP
这个看图上，是多个线同时指向这个标识，感觉应该是线路数量一共6根或6组的意思，To MP应该是接线到母排的意思。

Ⅷ 画电路图要注意什么 对于电路图的要求是什么

电路图最好呈长方形，各元件要均匀分布在各边，元件不要画在拐角处。电路图版中的各元权件的连接顺序要与实物图中的顺序对应。画电路图时，要注意电路所处的状态,开关是断开还是闭合。

并联电路，在电路较长上找出分点和合点并标出。并明确每个元件所处位置。（首先弄清楚干路中有无开并和电流表）连实物图，先连好电池组，找出电源正极，从正极出发，连干路元件，找到分点后，分支路连线，千万不能乱画，顺序作图。

直到合点，然后再画另一条支路[注意导线不得交叉，导线必须画到接线柱上（开关，电流表，电压表等）接电流表，电压表的要注意正负接线柱]遇到滑动变阻器，必须一上，一下作图，检查电路无误后，最后将电压表接在被测电路两端。

(8)大中电路扩展阅读：

设计电路，就是按照要求确定电路中的各个元件的位置。其方法是：先将开关和用电器对应地连接起来，要能分析出开关是控制哪个用电器的，在电路中起什么作用（是控制干路，还是控制支路）。

再将开关和所控制的用电器串联起来，若开关是在干路中，应与电源串联。然后通过分析，判断出用电器之间是串联，还是并联。在分析的基础上，正确画出电路图。

Ⅸ 什么叫电路

并联电路：把元件并列地连接起来组成的电路，如图，特点是：干路的电流在分支处分两部分，分别流过两个支路中的各个元件。例如：家庭中各种用电器的连接。
串联电路是一种电路,电流依次通过每一个组成元件的电路.串联电路的基本特征是只有一条支路，由此出发可以推出串联电路有如下五个特点：（1）流过每个电阻的电流相等。因为直流电路中同一支路的各个截面有相同的电流强度。（2）总电压（串联电路两端的电压）等于分电压（每个电阻两端的电压）之和，即u=u1+u2+……un。这可由电压的定义直接得出。（3）总电阻等于分电阻之和。把欧姆定律分别用于每个电阻可得u1=ir1，u2=ir2，……,un=irn代入u=u1+u2+……+un并注意到每个电阻上的电流相等，得u=i（r1+r2+rn）。此式说明，若用一个阻值为r=r1+r2+…+rn的电阻元件代替原来n个电阻的串联电路，这个元件的电流将与原串联电路的电流相同。因此电阻r叫原串联电阻的等效电阻（或总电阻）。故总电阻等于分电阻之和。（4）各电阻分得的电压与其阻值成正比，因为ui=iri。（5）各电阻分得的功率与其阻值成正比，因pi=i2（平方）ri。串联的优点：所以在电路中，
若想控制所有电路，
即可使用串联的电路；
串联的缺点；若电路中有一个用电器坏了，整个电路意味这都断了。

Ⅹ 超大规模集成电路的分类

集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路等。
小规模集成电路于1960年出现，在一块硅片上包含10-100个元件或1-10个逻辑门。如 逻辑门和触发器等。如果用小规模数字集成电路(SSI)进行设计组合逻辑电路时，是以门电路作为电路的基本单元，所以逻辑函数的化简应使使用的门电路的数目最少，而且门的输入端数目也最少。
中规模集成电路（Medium Scale Integration：MSI）
1966年出现，在一块硅片上包含100-1000个元件或10-100个逻辑门。如 ：集成计时器，寄存器，译码器等。
如果选用中规模集成电路(MSI)设计组合逻辑电路时，则以所用集成电路个数最少，品种最少，同时集成电路间的连线也最少。这往往需将逻辑函数表达式变换成选用电路所要求的表达形式，有时可直接用标准范式。
MSI中规模组合逻辑器件功能虽然比小规模集成电路SSI强，但也不像大规模集成电路LSI那样功能专一化，这些器件产品的品种虽然不少，但也不可能完全符合使用者的要求，这就需要将多片级联以扩展其功能，而且还可以用一些标准的中规模继承组件来实现其它一些组合逻辑电路的设计。用中规模集成组件来进行组合逻辑电路设计时，其方法是选择合适的MSI后，将实际问题转化后的逻辑表达式变换为响应的MSI的表达形式。用MSI设计的组合逻辑电路与用门电路设计的组合逻辑电路相比，不仅体积小，重量较轻，而且提高了工作的可靠性。
中规模数据选择起的级联可扩展其选择数据的路数，其功能扩展不仅可用于组合逻辑电路，而且还可用于时序逻辑电路。在组合逻辑电路中主要有以下应用：
（1）级联扩展，以增加选择的路数、位数，可实现由多位到多位的数据传送；
（2）作逻辑函数发生器，用以实现任意组合逻辑电路的设计。
大规模集成电路(Large Scale Integrated circuits：LSI)
1970年出现，在一块硅片上包含103-105个元件或100-10000个逻辑门。如 ：半导体存储器，某些计算机外设。628512，628128（128K）最大容量1G。
超大规模集成电路(Very Large Scale Integrated circuits：VLSI)
在一块芯片上集成的元件数超过10万个，或门电路数超过万门的集成电路，称为超大规模集成电路。超大规模集成电路是20世纪70年代后期研制成功的，主要用于制造存储器和微处理机。64k位随机存取存储器是第一代超大规模集成电路，大约包含15万个元件，线宽为3微米。
超大规模集成电路的集成度已达到600万个晶体管，线宽达到0.3微米。用超大规模集成电路制造的电子设备，体积小、重量轻、功耗低、可靠性高。利用超大规模集成电路技术可以将一个电子分系统乃至整个电子系统“集成”在一块芯片上，完成信息采集、处理、存储等多种功能。例如，可以将整个386微处理机电路集成在一块芯片上，集成度达250万个晶体管。超大规模集成电路研制成功，是微电子技术的一次飞跃，大大推动了电子技术的进步，从而带动了军事技术和民用技术的发展。超大规模集成电路已成为衡量一个国家科学技术和工业发展水平的重要标志，也是世界主要工业国家，特别是美国和日本竞争最激烈的一个领域。
特大规模集成电路(Ultra Large-Scale Integration：ULSI)
1993年随着集成了1000万个晶体管的16M FLASH和256M DRAM的研制成功，进入了特大规模集成电路ULSI (Ultra Large-Scale Integration)时代。特大规模集成电路的集成组件数在107～109个之间。
ULSI电路集成度的迅速增长主要取决于以下两个因素：一是完美晶体生长技术已达到极高的水平；二是制造设备不断完善，加工精度、自动化程度和可靠性的提高已使器件尺寸进入深亚微米级领域。硅单晶制备技术可使晶体径向参数均匀，体内微缺陷减少，0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少于0.05个/平方厘米。对电路加工过程中诱生的缺陷理论模型也有了较为完整的认识，由此发展了一整套完美晶体的加工工艺。生产电路用的硅片直径的不断增大，导致生产效率大幅度提高，硅片的直径尺寸已达到12英寸。微缺陷的减少使芯片成品率增加，0.02个/平方厘米缺陷的硅片可使256MB DRAM的成品率达到80~90%。
巨大规模集成电路（Giga Scale Integration：GSI）
1994年由于集成1亿个元件的1G DRAM的研制成功，进入巨大规模集成电路GSI（Giga Scale Integration）时代。巨大规模集成电路的集成组件数在109以上。