cmos模拟电路

1. 拉扎维模拟cmos集成电路设计哪章最难

第三章是重难点，非常重要，要熟练到对于单及放大器闭着眼睛都能写出增益的表达式。
《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念，同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深，理论与实际结合，提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。
毕查德·拉扎维于1985年在沙里夫理工大学的电气工程系获得理学学士学位，并分别于1988年和1992年在斯坦福大学电气工程系获得理学硕士和博士学位。他曾在AT&T贝尔实验室工作，随后又受聘于Hewlett-Packard实验室，直到1996年为止。1996年9月，他成为加利福尼亚大学洛杉矶分校的电气工程系副教授，随后晋升为教授。他从事的研究包括无线收发、频率合成，高速数据通信及数据转换的锁相和时钟恢复。其编著的《模拟CMOS集成电路设计》一书更是加州大学洛杉矶分校（UCLA）的新教材。其组织严谨，内容丰富，循序渐进。在阐述原理和概念时，由浅入深，逐步分析。模拟电路设计需要直观、严密和创新。在阐述各种模拟电路的改进和新电路结构的产生时，着重观察和分析，不断地提出问题和解决问题，重视这三方面能力的培养。

2. 什么是cmos模拟集成电路

CMOS实际上是英文 Complementary Metal Oxide Semiconctor 的首字母缩写，本意是指互补金属氧化物半导体。它是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料，在模拟集成电路中，它主要作为电压控制的放大器而大量使用。

3. CMOS电路有哪些模拟应用电路

CMOS门电路 (非门、或非门、与非门、或门、与门、与或非门、异或门、OD门、传输门、三态门)
先了解二极管门电路逻辑，再次介绍CMOS门电路，也是IC中用的最广泛的门电路。
主要了解与非门、或非门以及相同面积的cmos与非门和或非门哪个更快。OD门、传输门、三态门。
CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconctor)的英文字头缩写，它由绝缘场效应晶体管组成，由于只有一种载流子，因‘而是一种单极型晶体管集成电路，其基本结构是一个N沟道MOS管和一个P沟道MOS管。

4. CMOS模拟集成电路的重要性

微电子的学生并想以后从事模拟集成电路设计的话，一定要学好这门课，这是模拟电路中最重要的。bipolar集成电路看兴趣吧，bipolar的应用范围没有cmos大，但是高性能的运放，大电流ldo等电路还是biporlar多。

多说一句，找工作就靠这么课和外语了。

5. CMOS正确来说是数字电路还是模拟电路

严格来讲，cmos是一种物理构造，用可以用于制造数字电路，也可用于模拟电路的。

6. 安博职业教育提到《CMOS模拟集成电路技术》的课程是什么

《CMOS模拟集成电路技术》课程是工业和信息化部教育与考试中心组织开展的“工业和信息化职业技能提升工程”培训项目，旨在培养CMOS模拟集成电路中级应用型人才，提升一线企业工作人员的理论和动手能力。

7. CMOS模拟集成电路与数字集成电路的区别

模拟集成电路：主要是针对模拟信号处理的模块。如；话筒里的声音信号，电版视信号和VCD输出的图象信号、温权度采集的模拟信号和其它模拟量的信号处理的集成模块。

数字集成电路：主要是针对数字信号处理的模块。如；计算机里的2近制、8近制、10近制、16近制的数据进行处理的集成模块。

CMOS：是一种制造工艺，它采用的是“绝缘栅场效应型三极管”作为芯片制造的主要器件。

8. TTL是数字电路而CMOS是模拟电路吗

TTL全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。
TTL电平： 输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。

MOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconctor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而由PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为 CMOS-IC（ Complementary MOS Integrated Circuit）。
CMOS电平： 1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

附：
TTL和CMOS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而CMOS电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。 CMOS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。 CMOS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常现象。 3）CMOS电路的锁定效应

9. CMOS反相器的电路结构是怎样的它有哪些特点

反相器是可以将输入信号的相位反转180度，这种电路应用在模拟电路，比如说音频放大，时钟振荡器等。

CMOS反相器
CMOS反相器电路由两个增强型MOS场效应管组成，其中V1为NMOS管，称驱动管，V2为PMOS管，称负载管。
NMOS管的栅源开启电压UTN为正值，PMOS管的栅源开启电压是负值，其数值范围在2~5V之间。
为了使电路能正常工作，要求电源电压UDD>(UTN+|UTP|)。UDD可在3~18V之间工作，其适用范围较宽。工作原理：当UI=UIL=0V时，UGS1=0，因此V1管截止，而此时|UGS2|>|UTP|，所以V2导通，且导通内阻很低，所以UO=UOH≈UDD， 即输出为高电平。
当UI=UIH=UDD时，UGS1=UDD>UTN，V1导通，而UGS2=0<|UTP|，因此V2截止。此时UO=UOL≈0，即输出为低电平。 可见，CMOS反相器实现了逻辑非的功能。
CMOS反相器的主要特性：在AB段由于V1截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流几乎为0。
在CD段V2截止，阻抗很高，所以流过V1和V2的漏电流也几乎为0。
只有在BC段，V1和V2均导通时才有电流iD流过V1和V2，并且在UI=1/2UDD附近，iD最大。