薄膜电路发展

1. 厚、薄膜集成电路的区别

薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件，即晶体管，有两种材料结构形式：一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管，另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺，即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式，就可以组装成一块完整的集成电路

厚膜集成电路是在陶瓷片或玻璃等绝缘物体上，外加晶体二极管、晶体管、电阻器或半导体集成电路等元器件构成的集成电路，一般用在电视机的开关电源电路中或音响系统的功率放大电路中。部分彩色电视机的伴音电路和末级视放电路也使用厚膜集成电路。

1．电源厚膜集成电路 开关电源电路使用的厚膜集成电路主要用于脉冲宽度控制、稳压控制及开关振荡等。

自激式开关电源电路常用的厚膜集成电路有STR-S6308、STR-S6309、STR-S5941、STR59041等型号。它激式开关电源电路中常用的厚膜集成电路有STR-S6708、STR-S6709等型号。图9-2是STR-S6309和STR-S6709的内电路框图。

2．音频功放厚膜集成电路 音频功放集成电路的主要作用是对输入的音频信号进行功率放大，推动扬声器发声。

常用的音频功放厚膜集成电路有STK4803、STK4042、STK4171、STK4191、STK4152、STK4843、STK3048A、STK6153等型号。图9-3是STK4191的内电路框图。

市场上流行的“傻瓜”型厚膜集成电路也称功率模块，是将半导体功放集成电路及其外外围的电阻器、电容器、电感器等元器件封装在一起构成的，常用的有皇后AMP1200、傻瓜175及超级傻瓜D-100、D-150、D-200等型号。这种厚膜集成电路只要接通音源、电源和扬声器即可工作，不用外加其它元器件。

厚膜电路指的是电路的制造工艺,是指在陶瓷基片上采用部分半导体工艺集成分立元件、裸芯片、金属 连线等，一般其电阻是印刷在基片上，通过激光调节其阻值的一种电路封装形式,阻值精度可达0.5%.一般用于微波和航天领域。

1）基板材料：96%氧化铝或氧化铍陶瓷
2）导体材料：银、钯、铂等合金，最新也有铜
3）电阻浆料：一般为钌酸盐系列
4）典型工艺：CAD--制版--印刷--烘干--烧结--电阻修正--引脚安装--测试
5）名字来由：电阻和导体膜厚一般超过10微米，相对溅射等工艺所成电路的膜厚了一些，故称厚膜。当然，现在的工艺印刷电阻的膜厚也有小于10微米的了。

二、"厚膜工艺就是把专用的集成电路芯片与相关的电容、电阻元件都集成在一个基板上，在其外部采用统一的封装形式，做成一个模块化的单元。这样做的好处是提高了这部分电路的绝缘性能、阻值精度，减少了外部温度、湿度对其的影响，所以厚膜电路比独立焊接的电路有更强的外部环境适应性能"

2. 薄膜晶体管的历史及现状

人类对 TFT 的研究工作已经有很长的历史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出结型场效应晶体管 (FET) 的基本定律,开辟了对固态放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又将绝缘栅结构引进场效应晶体管(后来被称为 MISFET).1962 年,Weimer 用多晶 CaS 薄膜做成 TFT;随后,又涌现了用 CdSe,InSb,Ge 等半导体材料做成的 TFT 器件.二十世纪六十年代,基于低费用,大阵列显示的实际需求,TFT 的研究广为兴起.1973 年,Brody 等人 136 光 子 技 术 2006 年 9 月 首次研制出有源矩阵液晶显示(AMLCD) ,并用 CdSe TFT 作为开关单元.随着多晶硅掺杂工艺的发展,1979 年 后来许多实验室都进行了将 AMLCD LeComber,Spear 和 Ghaith 用 a-Si:H 做有源层,做成如图 1 所示的 TFT 器件. 以玻璃为衬底的研究.二十世纪八十年代,硅基 TFT 在 AMLCD 中有着极重要的地位,所做成的产品占据了市场绝 大部分份额.1986 年 Tsumura 等人首次用聚噻吩为半导体材料制备了有机薄膜晶体管(OTFT) ,OTFT 技术从此开 始得到发展.九十年代,以有机半导体材料作为活性层成为新的研究热点.由于在制造工艺和成本上的优势,OTFT 被认为将来极可能应用在 LCD,OLED 的驱动中.近年来,OTFT 的研究取得了突破性的进展.1996 年,飞利浦公 司采用多层薄膜叠合法制作了一块 15 微克变成码发生器(PCG) ;即使当薄膜严重扭曲,仍能正常工作.1998 年, 的无定型金属氧化物锆酸钡作为并五苯有机薄膜晶体管的栅绝 IBM公司用一种新型的具有更高的介电常数 缘层,使该器件的驱动电压降低了 4V,迁移率达到 0.38cm2V-1 s-1.1999 年,Bell实验室的 Katz 和他的研究小组制 得了在室温下空气中能稳定存在的噻吩薄膜,并使器件的迁移率达到 0.1 cm2V-1 s-1.Bell 实验室用并五苯单晶制得 这向有机集成 了一种双极型有机薄膜晶体管, 该器件对电子和空穴的迁移率分别达到 2.7 cm2V-1 s-1 和 1.7 cm2V-1 s-1, 电路的实际应用迈出了重要的一步.最近几年,随着透明氧化物研究的深入,以 ZnO,ZIO 等半导体材料作为活性 层制作薄膜晶体管,因性能改进显着也吸引了越来越多的兴趣.器件制备工艺很广泛,比如:MBE,CVD,PLD 等, 均有研究.ZnO-TFT 技术也取得了突破性进展.2003 年,Nomura等人使用单晶 InGaO3 (ZnO)5 获得了迁移率为 80 cm2V-1 s-1 的 TFT 器件.美国杜邦公司采用真空蒸镀和掩膜挡板技术在聚酰亚铵柔性衬底上开发了 ZnO-TFT,电 这是在聚酰亚铵柔性衬底上首次研制成功了高迁移率的 ZnO-TFT, 这预示着在氧化物 TFT 子迁移率为 50 cm2V-1 s-1. 2006 年, Cheng 领域新竞争的开始. 2005 年, Chiang H Q 等人利用 ZIO 作为活性层制得开关比为 107 薄膜晶体管. H C等人利用 CBD 方法制得开关比为 105 ,迁移率为 0.248cm2V-1s-1 的 TFT,这也显示出实际应用的可能.

3. 薄膜发电电源电路图

于怒水

4. 薄膜集成电路的特点与应用

与厚膜混合集成电路相比较，薄膜电路的特点是所制作的元件参数范围宽、精度高、温度频率特性好，可以工作到毫米波段。并且集成度较高、尺寸较小。但是所用工艺设备比较昂贵、生产成本较高。
薄膜混合集成电路适用于各种电路，特别是要求精度高、稳定性能好的模拟电路。与其他集成电路相比，它更适合于微波电路。

5. 关于薄膜集成电路

薄膜集成电路是将整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜,并通过真空蒸发、溅射和电镀等工艺制成的集成电路。薄膜集成电路中的有源器件,即晶体管,有两种材料结构形式:一种是薄膜场效应硫化镉或硒化镉晶体管,另一种是薄膜热电子放大器。更多的实用化的薄膜集成电路采用混合工艺,即用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉和抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的连线,再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不使用薄膜工艺制作的功率电阻、大容量的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式,就可以组装成一块完整的集成电路
厚膜集成电路是在陶瓷片或玻璃等绝缘物体上,外加晶体二极管、晶体管、电阻器或半导体集成电路等元器件构成的集成电路,一般用在电视机的开关电源电路中或音响系统的功率放大电路中。部分彩色电视机的伴音电路和末级视放电路也使用厚膜集成电路。
1.电源厚膜集成电路
开关电源电路使用的厚膜集成电路主要用于脉冲宽度控制、稳压控制及开关振荡等。
自激式开关电源电路常用的厚膜集成电路有STR-S6308、STR-S6309、STR-S5941、STR59041等型号。它激式开关电源电路中常用的厚膜集成电路有STR-S6708、STR-S6709等型号。图9-2是STR-S6309和STR-S6709的内电路框图。
2.音频功放厚膜集成电路
音频功放集成电路的主要作用是对输入的音频信号进行功率放大,推动扬声器发声。
常用的音频功放厚膜集成电路有STK4803、STK4042、STK4171、STK4191、STK4152、STK4843、STK3048A、STK6153等型号。图9-3是STK4191的内电路框图。
市场上流行的“傻瓜”型厚膜集成电路也称功率模块,是将半导体功放集成电路及其外外围的电阻器、电容器、电感器等元器件封装在一起构成的,常用的有皇后AMP1200、傻瓜175及超级傻瓜D-100、D-150、D-200等型号。这种厚膜集成电路只要接通音源、电源和扬声器即可工作,不用外加其它元器件。

6. 近几年薄膜电容的发展前景如何

薄膜电容器广泛应用于家电、通讯、电力、工业控制、照明和新能源(光伏，风能，汽车)等多个行业，几乎存在于所有的电子电路中，是基础电子元件。我国薄膜电容器行业尚处于中低端水平，但是目前随着新能源的发展，电子元器件技术的推进，产业不断升级，满足新型产业配套需求的高质量、超薄化、耐高温、高能量密度的安全可靠关键性电子元件;为节能环保设备配套，新能源以及智能电网产品配套的电子元件将得到发展。未来我国薄膜电容器行业的市场竞争也将向这一方向靠拢，从产品生产线的扩张转向技术服务的强化和品牌的提升。

薄膜电容器上游主要包括基膜、金属箔、导线、外包装等，其中，基膜是核心原材料，材料的差异会使薄膜电容器体现出不同的性能。薄膜电容器由于其拥有耐高压、无极性、频率响应广、温度特性好等优点，下游应用广泛，主要分为传统领域和新领域，传统领域包括家电、照明、工控等；新兴领域包括风电光伏、新能源汽车等。长期来看，新能源汽车将会成为行业增长的核心驱动。

从下游应用来看，传统领域的薄膜电容需求较为平稳，但是新兴领域，光伏发电、风力发电等行业都为塑料薄膜电容行业带来了新的机遇。

综合以上分析，薄膜电容器在传统应用领域有增有减，家电领域保持平稳上升，照明领域有下降趋势；但是在新兴应用领域，包括新能源汽车、光伏发电、风电装机等领域均获得了新的发展驱动力。未来，薄膜电容器行业应用领域多面开花，应用前景广阔。

以上数据来源参考前瞻产业研究院发布的《中国薄膜电容器行业市场前瞻与投资规划分析报告》。

7. 薄膜电路

问题也太专业了
是否要放在芯片上
或者简单的连接电线
如果是连电线可以用修电脑专用的导电银胶
如果是植入芯片没有专门设备好像不行吧

导电银胶是用银粉做的胶水一样的东西
在电路板上涂上以后可以当导线

8. 薄膜集成电路是怎么组成的

薄膜集成电路是将整个电路的晶体管､二极管､电阻､电容和电感等元件以及它们之间的互连引线

9. 学习薄膜电路应该从哪些方面下手

与此相对的是厚膜集成电路。它是将能实现某种功能的整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件以及它们之间的互连引线，全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发

10. 厚薄膜集成电路与半导体集成电路的区别

厚薄膜集成电路是将整个电路的晶体管或半导体集成电路芯片 、二极管、电专阻、电容 电阻器属和电感等元件以及它们之间的互连引线，组装成一块完整的电路块。集成在一个封装内。而半导体集成电路是纯粹的半导体集成电路芯片独立封装在一个外壳中。它也可以有电阻和小容量的电容。但是电感和大电容一般不容易集成在小小的硅片上。