ir2102驱动电路

1. 请教下，关于IR2102驱动电机，老是烧坏mos管是什么情况，mos管的最大电流80A，过电流保护

MOS管要留意的参数除了电流，还有一个就是击穿电压；

一般过电流越大，MOS管的击穿电压越低；
如果烧坏的MOS管表面看上去完好，那就有可能是击穿了。

2. IR2101驱动MOS管，一接上MOS管后二极管就烧，这是为什么呢

in4148负载能力100ma，如果烧掉，8pin输入电流太大，可能ir2101s已经挂了。

3. 我们用IR2111做了一个mosfet的驱动电路，但是发现其HO总是保持在13V左右而不受控制（但是LO可控）请赐教！

将VS端接在HO控制的mos管源极

4. 求使用IR2110驱动单个mos管的电路

我最近也在用IR2110，做一个交流逆变电源。 IR2110的高端驱动电平（6脚与5脚）相对于COM是悬浮的，必须通过开通半桥的下管给VB-VS脚所接的自举电容充电，这样7脚才有足够的电荷驱动半桥的上管。
如果是驱动单个MOSFET的话用低端驱动，即用1脚和2脚，换作LIN给PWM信号。如果实在要用7脚与5脚的话，必须把5脚强制接COM，即接到15V的地。否则7脚对COM一直为高。

5. ir2111驱动MOSFET的问题

这块驱动芯片就是用来驱动半桥的，板桥的电路很简单，上下桥驱动互补，上桥关断下桥二极管续流，与之相反！只是不是很明白楼主的意思！

芯片的使用手册上写的很清楚！原理图如下图：

6. 用两片ir2101怎么构成驱动电路

IR2101 芯片是CMOS驱动芯片，一路是NMOS,一路是PMOS,可以驱动一组CMOS三极管，通过PWM波控制负载的电流可以稳定，如果是感性发展要增加一个续流管。注意只使用其中一路就可以了。

7. 用IR2101驱动芯片驱动三相逆变电路，直流侧220V，VB与VS之间的自举电容耐压值要怎么选择

自举电容器耐压要求并不高，取VCC电源的1.5-2倍即可。比如VCC是12V，取耐压25V的电容器即可满足要求。建议使用容许工作温度为105摄氏度的电解（10-22uF/25V），再并联一个100n/63V的贴片电容器。

8. IR2101驱动MOSFET管HOUT端输出波形不对

你的输入波形指的那个点 输出又指的那个点 输出的波形要经过IC内部斩波 输出的波形频率取决芯片设置的工作频率 输入波形就是你提供的电源本身的波形

9. ir2102负压产生电路

3.3负反馈放大电路抄产生自激振荡的原因及条件

l 产生自激振荡的原因

引入负反馈后，净输入信号 在减小，因此， 与 必须是同相的，即有 ，n=0，1，2…（ 、 分别是 、 的相角）。可是，在高频区或低频区时，电路中各种电抗性元件的影响不能再被忽略。 、 是频率的函数，因而 、 的幅值和相位都会随频率而变化。相位的改变，使 和 不再相同，产生了附加相移（ ）。可能在某一频率下， 、 的附加相移达到 即 ，这时， 与 必然由中频区的同相变为反相，使放大电路的净输入信号由中频时的减小而变为增加，放大电路就由负反馈变成了正反馈。当正反馈较强以 ，也就是 时，即使输入端不加信号（ ），输出端也会产生输出信号，电路产生自激振荡。这时，电路失去正常的放大作用而处于一种不稳定的状态。

l 产生自激振荡的相位条件和幅值条件

，负反馈放大电路产生自激振荡的条件是环增益

（1）

它包括幅值条件和相位条件，即

（2）

（3）

、 的幅值条件和相位条件同时满足时，负反馈放大电路就会产生自激。在 及 时，更加容易产生自激振荡。